Calculatrice A à Z
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Résistance de sortie étant donné la modulation de longueur de canal Calculatrice
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Tension
Transconductance
Transistors MOS
✖
La modulation de longueur de canal est une mesure de la mesure dans laquelle la longueur effective du canal du FET change avec la tension drain-source.
ⓘ
Modulation de longueur de canal [λ
c
]
+10%
-10%
✖
Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.
ⓘ
Courant de vidange [i
d
]
abampère
Ampère
Attoampère
Biot
centiampère
CGS EM
Unité CGS ES
Déciampère
Dékaampère
UEM de courant
ESU de courant
Exaampère
Femtoampère
Gigaampère
Gilbert
Hectoampère
Kiloampère
Mégaampère
Microampère
Milliampère
Nanoampère
Petaampère
Picoampère
Statampere
Téraampère
Yoctoampere
Yottaampere
Zeptoampère
Zettaampere
+10%
-10%
✖
La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.
ⓘ
Résistance de sortie étant donné la modulation de longueur de canal [R
out
]
Abohm
EMU de la Résistance
ESU de Résistance
Exaohm
Gigaohm
Kilohm
mégohm
Microhm
milliohm
Nanohm
Ohm
Petaohm
Impédance Planck
Résistance Hall Hall Quantized
Siemens réciproque
Statohm
Volt par ampère
Yottaohm
Zettaohm
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Résistance de sortie étant donné la modulation de longueur de canal
Formule
`"R"_{"out"} = 1/("λ"_{"c"}*"i"_{"d"})`
Exemple
`"1.584284kΩ"=1/("7.89"*"0.08mA")`
Calculatrice
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Télécharger MOSFET Formule PDF
Résistance de sortie étant donné la modulation de longueur de canal Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Résistance de sortie
= 1/(
Modulation de longueur de canal
*
Courant de vidange
)
R
out
= 1/(
λ
c
*
i
d
)
Cette formule utilise
3
Variables
Variables utilisées
Résistance de sortie
-
(Mesuré en Ohm)
- La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.
Modulation de longueur de canal
- La modulation de longueur de canal est une mesure de la mesure dans laquelle la longueur effective du canal du FET change avec la tension drain-source.
Courant de vidange
-
(Mesuré en Ampère)
- Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Modulation de longueur de canal:
7.89 --> Aucune conversion requise
Courant de vidange:
0.08 Milliampère --> 8E-05 Ampère
(Vérifiez la conversion
ici
)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
R
out
= 1/(λ
c
*i
d
) -->
1/(7.89*8E-05)
Évaluer ... ...
R
out
= 1584.28390367554
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
1584.28390367554 Ohm -->1.58428390367554 Kilohm
(Vérifiez la conversion
ici
)
RÉPONSE FINALE
1.58428390367554
≈
1.584284 Kilohm
<--
Résistance de sortie
(Calcul effectué en 00.004 secondes)
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Résistance
»
Résistance de sortie étant donné la modulation de longueur de canal
Crédits
Créé par
Suma Madhuri
Université VIT
(VIT)
,
Chennai
Suma Madhuri a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
Vérifié par
Parminder Singh
Université de Chandigarh
(UC)
,
Pendjab
Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
<
14 Résistance Calculatrices
MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect
Aller
Résistance linéaire
=
Longueur du canal
/(
Mobilité des électrons à la surface du canal
*
Capacité d'oxyde
*
Largeur de canal
*
Tension efficace
)
Résistance de sortie de l'amplificateur différentiel
Aller
Résistance de sortie
= ((
Signal d'entrée en mode commun
*
Transconductance
)-
Courant total
)/(2*
Transconductance
*
Courant total
)
Résistance d'entrée du Mosfet
Aller
Résistance d'entrée
=
Tension d'entrée
/(
Courant du collecteur
*
Gain de courant de petit signal
)
Résistance finie entre le drain et la source
Aller
Résistance finie
=
modulus
(
Tension CC positive
)/
Courant de vidange
Libre parcours moyen des électrons
Aller
Libre parcours moyen des électrons
= 1/(
Résistance de sortie
*
Courant de vidange
)
Résistance de sortie de vidange
Aller
Résistance de sortie
= 1/(
Libre parcours moyen des électrons
*
Courant de vidange
)
Résistance de sortie étant donné la modulation de longueur de canal
Aller
Résistance de sortie
= 1/(
Modulation de longueur de canal
*
Courant de vidange
)
Résistance de sortie étant donné la transconductance
Aller
Résistance de sortie
= 1/(
Mobilité des transporteurs
*
Transconductance
)
Résistance d'entrée étant donné la transconductance
Aller
Résistance d'entrée
=
Gain de courant de petit signal
/
Transconductance
Résistance de sortie du Mosfet
Aller
Résistance de sortie
=
Tension précoce
/
Courant du collecteur
Résistance dépendante de la tension dans MOSFET
Aller
Résistance finie
=
Tension efficace
/
Courant de vidange
Résistance d'entrée de petit signal
Aller
Résistance d'entrée
=
Tension d'entrée
/
Courant de base
Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET
Aller
Conductance du canal
= 1/
Résistance linéaire
MOSFET comme résistance linéaire
Aller
Résistance linéaire
= 1/
Conductance du canal
Résistance de sortie étant donné la modulation de longueur de canal Formule
Résistance de sortie
= 1/(
Modulation de longueur de canal
*
Courant de vidange
)
R
out
= 1/(
λ
c
*
i
d
)
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