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Ausgangswiderstand bei Kanallängenmodulation Taschenrechner
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Voreingenommenheit
✖
Die Kanallängenmodulation ist ein Maß dafür, wie stark sich die effektive Kanallänge des FET mit der Drain-Source-Spannung ändert.
ⓘ
Kanallängenmodulation [λ
c
]
+10%
-10%
✖
Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.
ⓘ
Stromverbrauch [i
d
]
Abampere
Ampere
Attoampere
Biot
Centiampere
CGS EM
CGS ES-Einheit
Dezampere
Dekaampere
EMU von Strom
ESU von Strom
Exaampere
Femtoampere
Gigaampere
Gilbert
Hektoampere
Kiloampere
Megaampere
Mikroampere
Milliampere
Nanoampere
Petaampere
Picoampere
Statampere
Teraampere
Yoctoampere
Yottaampere
Zeptoampere
Zettaampere
+10%
-10%
✖
Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.
ⓘ
Ausgangswiderstand bei Kanallängenmodulation [R
out
]
Abohm
EMU von Widerstands
ESU der Widerstands
Exaohm
Gigaohm
Kiloohm
Megahm
Mikroohm
Milliohm
Nanohm
Ohm
Petaohm
Planck-Impedanz
Quanten-Hall-Widerstand
Reziproker Siemens
Statohm
Volt pro Ampere
Yottaohm
Zettaohm
⎘ Kopie
Schritte
👎
Formel
✖
Ausgangswiderstand bei Kanallängenmodulation
Formel
`"R"_{"out"} = 1/("λ"_{"c"}*"i"_{"d"})`
Beispiel
`"1.584284kΩ"=1/("7.89"*"0.08mA")`
Taschenrechner
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Herunterladen MOSFET Formel Pdf
Ausgangswiderstand bei Kanallängenmodulation Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Ausgangswiderstand
= 1/(
Kanallängenmodulation
*
Stromverbrauch
)
R
out
= 1/(
λ
c
*
i
d
)
Diese formel verwendet
3
Variablen
Verwendete Variablen
Ausgangswiderstand
-
(Gemessen in Ohm)
- Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.
Kanallängenmodulation
- Die Kanallängenmodulation ist ein Maß dafür, wie stark sich die effektive Kanallänge des FET mit der Drain-Source-Spannung ändert.
Stromverbrauch
-
(Gemessen in Ampere)
- Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Kanallängenmodulation:
7.89 --> Keine Konvertierung erforderlich
Stromverbrauch:
0.08 Milliampere --> 8E-05 Ampere
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
R
out
= 1/(λ
c
*i
d
) -->
1/(7.89*8E-05)
Auswerten ... ...
R
out
= 1584.28390367554
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1584.28390367554 Ohm -->1.58428390367554 Kiloohm
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1.58428390367554
≈
1.584284 Kiloohm
<--
Ausgangswiderstand
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
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Widerstand
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Ausgangswiderstand bei Kanallängenmodulation
Credits
Erstellt von
Suma Madhuri
VIT-Universität
(VIT)
,
Chennai
Suma Madhuri hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Parminder Singh
Chandigarh-Universität
(KU)
,
Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!
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14 Widerstand Taschenrechner
MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis
Gehen
Linearer Widerstand
=
Kanallänge
/(
Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals
*
Oxidkapazität
*
Kanalbreite
*
Effektive Spannung
)
Ausgangswiderstand des Differenzverstärkers
Gehen
Ausgangswiderstand
= ((
Gleichtakt-Eingangssignal
*
Steilheit
)-
Gesamtstrom
)/(2*
Steilheit
*
Gesamtstrom
)
Eingangswiderstand des Mosfet
Gehen
Eingangswiderstand
=
Eingangsspannung
/(
Kollektorstrom
*
Kleinsignal-Stromverstärkung
)
Endlicher Widerstand zwischen Drain und Source
Gehen
Endlicher Widerstand
=
modulus
(
Positive Gleichspannung
)/
Stromverbrauch
Mittlerer freier Elektronenweg
Gehen
Mittlerer freier Elektronenweg
= 1/(
Ausgangswiderstand
*
Stromverbrauch
)
Ausgangswiderstand entleeren
Gehen
Ausgangswiderstand
= 1/(
Mittlerer freier Elektronenweg
*
Stromverbrauch
)
Ausgangswiderstand bei Kanallängenmodulation
Gehen
Ausgangswiderstand
= 1/(
Kanallängenmodulation
*
Stromverbrauch
)
Eingangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz
Gehen
Eingangswiderstand
=
Kleinsignal-Stromverstärkung
/
Steilheit
Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET
Gehen
Endlicher Widerstand
=
Effektive Spannung
/
Stromverbrauch
Ausgangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz
Gehen
Ausgangswiderstand
= 1/(
Trägermobilität
*
Steilheit
)
Ausgangswiderstand des Mosfet
Gehen
Ausgangswiderstand
=
Frühe Spannung
/
Kollektorstrom
Kleinsignal-Eingangswiderstand
Gehen
Eingangswiderstand
=
Eingangsspannung
/
Basisstrom
Leitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET
Gehen
Leitfähigkeit des Kanals
= 1/
Linearer Widerstand
MOSFET als linearer Widerstand
Gehen
Linearer Widerstand
= 1/
Leitfähigkeit des Kanals
Ausgangswiderstand bei Kanallängenmodulation Formel
Ausgangswiderstand
= 1/(
Kanallängenmodulation
*
Stromverbrauch
)
R
out
= 1/(
λ
c
*
i
d
)
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