Ausgangswiderstand bei Kanallängenmodulation Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Ausgangswiderstand = 1/(Kanallängenmodulation*Stromverbrauch)
Rout = 1/(λc*id)
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Ausgangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.
Kanallängenmodulation - Die Kanallängenmodulation ist ein Maß dafür, wie stark sich die effektive Kanallänge des FET mit der Drain-Source-Spannung ändert.
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Kanallängenmodulation: 7.89 --> Keine Konvertierung erforderlich
Stromverbrauch: 0.08 Milliampere --> 8E-05 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Rout = 1/(λc*id) --> 1/(7.89*8E-05)
Auswerten ... ...
Rout = 1584.28390367554
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1584.28390367554 Ohm -->1.58428390367554 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1.58428390367554 1.584284 Kiloohm <-- Ausgangswiderstand
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Suma Madhuri
VIT-Universität (VIT), Chennai
Suma Madhuri hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Parminder Singh
Chandigarh-Universität (KU), Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

14 Widerstand Taschenrechner

MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis
​ Gehen Linearer Widerstand = Kanallänge/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite*Effektive Spannung)
Ausgangswiderstand des Differenzverstärkers
​ Gehen Ausgangswiderstand = ((Gleichtakt-Eingangssignal*Steilheit)-Gesamtstrom)/(2*Steilheit*Gesamtstrom)
Eingangswiderstand des Mosfet
​ Gehen Eingangswiderstand = Eingangsspannung/(Kollektorstrom*Kleinsignal-Stromverstärkung)
Endlicher Widerstand zwischen Drain und Source
​ Gehen Endlicher Widerstand = modulus(Positive Gleichspannung)/Stromverbrauch
Mittlerer freier Elektronenweg
​ Gehen Mittlerer freier Elektronenweg = 1/(Ausgangswiderstand*Stromverbrauch)
Ausgangswiderstand entleeren
​ Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Mittlerer freier Elektronenweg*Stromverbrauch)
Ausgangswiderstand bei Kanallängenmodulation
​ Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Kanallängenmodulation*Stromverbrauch)
Eingangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz
​ Gehen Eingangswiderstand = Kleinsignal-Stromverstärkung/Steilheit
Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET
​ Gehen Endlicher Widerstand = Effektive Spannung/Stromverbrauch
Ausgangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz
​ Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Trägermobilität*Steilheit)
Ausgangswiderstand des Mosfet
​ Gehen Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom
Kleinsignal-Eingangswiderstand
​ Gehen Eingangswiderstand = Eingangsspannung/Basisstrom
Leitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET
​ Gehen Leitfähigkeit des Kanals = 1/Linearer Widerstand
MOSFET als linearer Widerstand
​ Gehen Linearer Widerstand = 1/Leitfähigkeit des Kanals

Ausgangswiderstand bei Kanallängenmodulation Formel

Ausgangswiderstand = 1/(Kanallängenmodulation*Stromverbrauch)
Rout = 1/(λc*id)
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