Resistenza di uscita data la modulazione della lunghezza del canale calcolatrice

✖La modulazione della lunghezza del canale è una misura di quanto cambia la lunghezza effettiva del canale del FET con la tensione drain-to-source.ⓘ Modulazione della lunghezza del canale [λ_c]			+10% -10%
✖La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.ⓘ Assorbimento di corrente [i_d]			+10% -10%

✖La resistenza di uscita si riferisce alla resistenza di un circuito elettronico al flusso di corrente quando un carico è collegato alla sua uscita.ⓘ Resistenza di uscita data la modulazione della lunghezza del canale [R_out]

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Formula

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Resistenza di uscita data la modulazione della lunghezza del canale

Formula

`"R"_{"out"} = 1/("λ"_{"c"}*"i"_{"d"})`

Esempio

`"1.584284kΩ"=1/("7.89"*"0.08mA")`

Calcolatrice

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Resistenza di uscita data la modulazione della lunghezza del canale Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Resistenza di uscita = 1/(Modulazione della lunghezza del canale*Assorbimento di corrente)
R_out = 1/(λ_c*i_d)
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Resistenza di uscita - (Misurato in Ohm) - La resistenza di uscita si riferisce alla resistenza di un circuito elettronico al flusso di corrente quando un carico è collegato alla sua uscita.
Modulazione della lunghezza del canale - La modulazione della lunghezza del canale è una misura di quanto cambia la lunghezza effettiva del canale del FET con la tensione drain-to-source.
Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Modulazione della lunghezza del canale: 7.89 --> Nessuna conversione richiesta
Assorbimento di corrente: 0.08 Millampere --> 8E-05 Ampere (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

R_out = 1/(λ_c*i_d) --> 1/(7.89*8E-05)

Valutare ... ...

R_out = 1584.28390367554

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1584.28390367554 Ohm -->1.58428390367554 Kilohm (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

1.58428390367554 ≈ 1.584284 Kilohm <-- Resistenza di uscita

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Suma Madhuri

Università VIT (VIT), Chennai

Suma Madhuri ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

< 14 Resistenza Calcolatrici

MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto

Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Tensione effettiva)

Resistenza di uscita dell'amplificatore differenziale

Partire Resistenza di uscita = ((Segnale di ingresso in modalità comune*Transconduttanza)-Corrente totale)/(2*Transconduttanza*Corrente totale)

Resistenza di ingresso del Mosfet

Partire Resistenza in ingresso = Tensione di ingresso/(Corrente del collettore*Guadagno di corrente per piccoli segnali)

Resistenza finita tra Drain e Source

Partire Resistenza finita = modulus(Tensione continua positiva)/Assorbimento di corrente

Resistenza di uscita data la modulazione della lunghezza del canale

Partire Resistenza di uscita = 1/(Modulazione della lunghezza del canale*Assorbimento di corrente)

Percorso libero medio elettronico

Partire Percorso libero medio elettronico = 1/(Resistenza di uscita*Assorbimento di corrente)

Resistenza uscita scarico

Partire Resistenza di uscita = 1/(Percorso libero medio elettronico*Assorbimento di corrente)

Resistenza di ingresso data la transconduttanza

Partire Resistenza in ingresso = Guadagno di corrente per piccoli segnali/Transconduttanza

Resistenza di uscita data la transconduttanza

Partire Resistenza di uscita = 1/(Mobilità dei vettori*Transconduttanza)

Resistenza di uscita del Mosfet

Partire Resistenza di uscita = Tensione iniziale/Corrente del collettore

Resistenza dipendente dalla tensione nel MOSFET

Partire Resistenza finita = Tensione effettiva/Assorbimento di corrente

Resistenza di ingresso del segnale piccolo

Partire Resistenza in ingresso = Tensione di ingresso/Corrente di base

Conduttanza nella resistenza lineare del MOSFET

Partire Conduttanza del canale = 1/Resistenza lineare

MOSFET come resistenza lineare

Partire Resistenza lineare = 1/Conduttanza del canale

Resistenza di uscita data la modulazione della lunghezza del canale Formula

Resistenza di uscita = 1/(Modulazione della lunghezza del canale*Assorbimento di corrente)
R_out = 1/(λ_c*i_d)

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