Wzmacniacz Wejście wzmacniacza tranzystorowego Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Wejście wzmacniacza = Rezystancja wejściowa*Prąd wejściowy
Vip = Rin*iin
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Wejście wzmacniacza - (Mierzone w Wolt) - Wejście wzmacniacza jest miarą tego, jak bardzo wzmacniacz „wzmacnia” sygnał wejściowy.
Rezystancja wejściowa - (Mierzone w Om) - Rezystancja wejściowa 2 to opór, jaki element elektryczny lub obwód stawia przepływowi prądu elektrycznego po przyłożeniu do niego napięcia.
Prąd wejściowy - (Mierzone w Amper) - Prąd wejściowy to prąd wysyłany do przewodu.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Rezystancja wejściowa: 0.301 Kilohm --> 301 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Prąd wejściowy: 0.5 Miliamper --> 0.0005 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Vip = Rin*iin --> 301*0.0005
Ocenianie ... ...
Vip = 0.1505
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
0.1505 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.1505 Wolt <-- Wejście wzmacniacza
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

18 Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego Kalkulatory

Prąd płynący przez kanał indukowany w tranzystorze przy danym napięciu tlenkowym
Iść Prąd wyjściowy = (Mobilność elektronu*Pojemność tlenkowa*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia))*Napięcie nasycenia pomiędzy drenem a źródłem
Całkowite efektywne napięcie transkonduktancji MOSFET
Iść Efektywne napięcie = sqrt(2*Prąd drenu nasycenia/(Parametr transkonduktancji procesu*(Szerokość kanału/Długość kanału)))
Napięcie wejściowe przy danym napięciu sygnału
Iść Podstawowe napięcie składowe = (Skończona rezystancja wejściowa/(Skończona rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))*Małe napięcie sygnału
Prąd wchodzący do zacisku spustowego tranzystora MOSFET przy nasyceniu
Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesu*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Efektywne napięcie)^2
Parametr transkonduktancji tranzystora MOS
Iść Parametr transkonduktancji = Prąd spustowy/((Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem)
Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem
Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem
Prąd drenu tranzystora
Iść Prąd spustowy = (Podstawowe napięcie składowe+Całkowite chwilowe napięcie drenu)/Odporność na drenaż
Całkowite chwilowe napięcie drenu
Iść Całkowite chwilowe napięcie drenu = Podstawowe napięcie składowe-Odporność na drenaż*Prąd spustowy
Napięcie wejściowe w tranzystorze
Iść Podstawowe napięcie składowe = Odporność na drenaż*Prąd spustowy-Całkowite chwilowe napięcie drenu
Transkonduktancja wzmacniaczy tranzystorowych
Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = (2*Prąd spustowy)/(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)
Prąd sygnału w emiterze podany sygnał wejściowy
Iść Prąd sygnału w emiterze = Podstawowe napięcie składowe/Rezystancja emitera
Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora wzmacniacza tranzystorowego
Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Prąd kolektora/Próg napięcia
Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem
Iść Rezystancja wejściowa = Podstawowe napięcie składowe/Prąd bazowy
Rezystancja wyjściowa obwodu wspólnej bramki przy danym napięciu testowym
Iść Skończona rezystancja wyjściowa = Napięcie testowe/Prąd testowy
Wzmacniacz Wejście wzmacniacza tranzystorowego
Iść Wejście wzmacniacza = Rezystancja wejściowa*Prąd wejściowy
Wzmocnienie prądu stałego wzmacniacza
Iść Wzmocnienie prądu stałego = Prąd kolektora/Prąd bazowy
Rezystancja wejściowa obwodu ze wspólną bramką
Iść Rezystancja wejściowa = Napięcie testowe/Prąd testowy
Prąd testowy wzmacniacza tranzystorowego
Iść Prąd testowy = Napięcie testowe/Rezystancja wejściowa

Wzmacniacz Wejście wzmacniacza tranzystorowego Formułę

Wejście wzmacniacza = Rezystancja wejściowa*Prąd wejściowy
Vip = Rin*iin

Co to jest ogólny zysk?

Całkowite wzmocnienie napięcia, całkowite wzmocnienie obwodu (dB) lub tłumienie (-dB) to suma poszczególnych wzmocnień i tłumień dla wszystkich stopni połączonych między wejściem a wyjściem.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!