Verstärkereingang des Transistorverstärkers Taschenrechner

✖Der Eingangswiderstand 2 ist der Widerstand, den eine elektrische Komponente oder Schaltung dem Stromfluss entgegensetzt, wenn eine Spannung an sie angelegt wird.ⓘ Eingangswiderstand [R_in]			+10% -10%
✖Der Eingangsstrom ist der Strom, der an das Kabel gesendet wird.ⓘ Eingangsstrom [i_in]			+10% -10%

✖Der Verstärkereingang ist ein Maß dafür, wie stark ein Verstärker das Eingangssignal „verstärkt“.ⓘ Verstärkereingang des Transistorverstärkers [V_ip]

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Formel

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Verstärkereingang des Transistorverstärkers

Formel

`"V"_{"ip"} = "R"_{"in"}*"i"_{"in"}`

Beispiel

`"0.1505V"="0.301kΩ"*"0.5mA"`

Taschenrechner

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Verstärkereingang des Transistorverstärkers Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Verstärkereingang = Eingangswiderstand*Eingangsstrom
V_ip = R_in*i_in
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Verstärkereingang - (Gemessen in Volt) - Der Verstärkereingang ist ein Maß dafür, wie stark ein Verstärker das Eingangssignal „verstärkt“.
Eingangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Eingangswiderstand 2 ist der Widerstand, den eine elektrische Komponente oder Schaltung dem Stromfluss entgegensetzt, wenn eine Spannung an sie angelegt wird.
Eingangsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Eingangsstrom ist der Strom, der an das Kabel gesendet wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Eingangswiderstand: 0.301 Kiloohm --> 301 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Eingangsstrom: 0.5 Milliampere --> 0.0005 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_ip = R_in*i_in --> 301*0.0005

Auswerten ... ...

V_ip = 0.1505

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.1505 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.1505 Volt <-- Verstärkereingang

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 18 Eigenschaften des Transistorverstärkers Taschenrechner

Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt

Gehen Ausgangsstrom = (Mobilität des Elektrons*Oxidkapazität*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Spannung über Oxid-Grenzspannung))*Sättigungsspannung zwischen Drain und Source

Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz

Gehen Effektive Spannung = sqrt(2*Sättigungsstrom/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)))

Eingangsspannung gegeben Signalspannung

Gehen Grundkomponentenspannung = (Endlicher Eingangswiderstand/(Endlicher Eingangswiderstand+Signalwiderstand))*Kleine Signalspannung

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Effektive Spannung)^2

Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors

Gehen Transkonduktanzparameter = Stromverbrauch/((Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source)

Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source

Drainstrom des Transistors

Gehen Stromverbrauch = (Grundkomponentenspannung+Gesamte momentane Entladespannung)/Abflusswiderstand

Gesamte momentane Drain-Spannung

Gehen Gesamte momentane Entladespannung = Grundkomponentenspannung-Abflusswiderstand*Stromverbrauch

Eingangsspannung im Transistor

Gehen Grundkomponentenspannung = Abflusswiderstand*Stromverbrauch-Gesamte momentane Entladespannung

Steilheit von Transistorverstärkern

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = (2*Stromverbrauch)/(Spannung über Oxid-Grenzspannung)

Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal

Gehen Signalstrom im Emitter = Grundkomponentenspannung/Emitterwiderstand

Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Kollektorstrom/Grenzspannung

Eingangswiderstand des Common-Collector-Verstärkers

Gehen Eingangswiderstand = Grundkomponentenspannung/Basisstrom

Ausgangswiderstand des gemeinsamen Gate-Schaltkreises bei gegebener Testspannung

Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom

Verstärkereingang des Transistorverstärkers

Gehen Verstärkereingang = Eingangswiderstand*Eingangsstrom

Gleichstromverstärkung des Verstärkers

Gehen Gleichstromverstärkung = Kollektorstrom/Basisstrom

Eingangswiderstand der Common-Gate-Schaltung

Gehen Eingangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom

Teststrom des Transistorverstärkers

Gehen Teststrom = Prüfspannung/Eingangswiderstand

Verstärkereingang des Transistorverstärkers Formel

Verstärkereingang = Eingangswiderstand*Eingangsstrom
V_ip = R_in*i_in

Was ist der Gesamtgewinn?

Die Gesamtspannungsverstärkung, die Gesamtverstärkung (dB) oder die Dämpfung (-dB) einer Schaltung ist die Summe der einzelnen Verstärkungen und Dämpfungen für alle zwischen Eingang und Ausgang verbundenen Stufen.

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