Entrée amplificateur de l'amplificateur à transistor Calculatrice

✖La résistance d'entrée 2 est l'opposition qu'un composant ou un circuit électrique présente au flux de courant électrique lorsqu'une tension lui est appliquée.ⓘ Résistance d'entrée [R_in]			+10% -10%
✖Le courant d'entrée est le courant envoyé au fil.ⓘ Courant d'entrée [i_in]			+10% -10%

✖L’entrée de l’amplificateur est une mesure de la mesure dans laquelle un amplificateur « amplifie » le signal d’entrée.ⓘ Entrée amplificateur de l'amplificateur à transistor [V_ip]

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Formule

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Entrée amplificateur de l'amplificateur à transistor

Formule

`"V"_{"ip"} = "R"_{"in"}*"i"_{"in"}`

Exemple

`"0.1505V"="0.301kΩ"*"0.5mA"`

Calculatrice

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Entrée amplificateur de l'amplificateur à transistor Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Entrée amplificateur = Résistance d'entrée*Courant d'entrée
V_ip = R_in*i_in
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Entrée amplificateur - (Mesuré en Volt) - L’entrée de l’amplificateur est une mesure de la mesure dans laquelle un amplificateur « amplifie » le signal d’entrée.
Résistance d'entrée - (Mesuré en Ohm) - La résistance d'entrée 2 est l'opposition qu'un composant ou un circuit électrique présente au flux de courant électrique lorsqu'une tension lui est appliquée.
Courant d'entrée - (Mesuré en Ampère) - Le courant d'entrée est le courant envoyé au fil.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Résistance d'entrée: 0.301 Kilohm --> 301 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Courant d'entrée: 0.5 Milliampère --> 0.0005 Ampère (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_ip = R_in*i_in --> 301*0.0005

Évaluer ... ...

V_ip = 0.1505

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.1505 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.1505 Volt <-- Entrée amplificateur

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 18 Caractéristiques de l'amplificateur à transistor Calculatrices

Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde

Aller Courant de sortie = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source

Tension efficace globale de la transconductance MOSFET

Aller Tension efficace = sqrt(2*Courant de drainage de saturation/(Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)))

Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation

Aller Courant de drainage de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension efficace)^2

Tension d'entrée donnée Tension du signal

Aller Tension des composants fondamentaux = (Résistance d'entrée finie/(Résistance d'entrée finie+Résistance du signal))*Tension du petit signal

Paramètre de transconductance du transistor MOS

Aller Paramètre de transconductance = Courant de vidange/((Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source)

Courant de drain instantané utilisant la tension entre le drain et la source

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source

Courant de drain du transistor

Aller Courant de vidange = (Tension des composants fondamentaux+Tension de vidange instantanée totale)/Résistance aux fuites

Tension de drain instantanée totale

Aller Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange

Tension d'entrée dans le transistor

Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance aux fuites*Courant de vidange-Tension de vidange instantanée totale

Transconductance des amplificateurs à transistors

Aller Transconductance primaire MOSFET = (2*Courant de vidange)/(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)

Courant de signal dans l'émetteur donné Signal d'entrée

Aller Courant de signal dans l'émetteur = Tension des composants fondamentaux/Résistance de l'émetteur

Transconductance utilisant le courant de collecteur de l'amplificateur à transistor

Aller Transconductance primaire MOSFET = Courant du collecteur/Tension de seuil

Résistance d'entrée de l'amplificateur à collecteur commun

Aller Résistance d'entrée = Tension des composants fondamentaux/Courant de base

Gain de courant continu de l'amplificateur

Aller Gain de courant continu = Courant du collecteur/Courant de base

Résistance de sortie du circuit de porte commun compte tenu de la tension de test

Aller Résistance de sortie finie = Tension d'essai/Courant d'essai

Entrée amplificateur de l'amplificateur à transistor

Aller Entrée amplificateur = Résistance d'entrée*Courant d'entrée

Courant de test de l'amplificateur à transistor

Aller Courant d'essai = Tension d'essai/Résistance d'entrée

Résistance d'entrée du circuit à porte commune

Aller Résistance d'entrée = Tension d'essai/Courant d'essai

Entrée amplificateur de l'amplificateur à transistor Formule

Entrée amplificateur = Résistance d'entrée*Courant d'entrée
V_ip = R_in*i_in

Quel est le gain global?

Le gain de tension global, le gain global (dB) ou l'atténuation (-dB) d'un circuit est la somme des gains et des atténuations individuels pour tous les étages connectés entre l'entrée et la sortie.

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