Pociągnij w dół prąd w obszarze liniowym Kalkulator

✖Liczba równoległych tranzystorów sterujących odnosi się do liczby równoległych tranzystorów sterujących w obwodzie.ⓘ Liczba równoległych tranzystorów sterujących [n]			+10% -10%
✖Mobilność elektronów w MOSFET opisuje, jak łatwo elektrony mogą przemieszczać się przez kanał, bezpośrednio wpływając na przepływ prądu dla danego napięcia.ⓘ Mobilność elektronów [μ_n]			+10% -10%
✖Pojemność tlenkowa odnosi się do pojemności związanej z izolującą warstwą tlenku w strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOS), takiej jak tranzystory MOSFET.ⓘ Pojemność tlenkowa [C_ox]			+10% -10%
✖Szerokość kanału reprezentuje szerokość kanału przewodzącego w MOSFET-ie, bezpośrednio wpływając na ilość prądu, jaki może obsłużyć.ⓘ Szerokość kanału [W]			+10% -10%
✖Długość kanału w MOSFET-ie to odległość pomiędzy obszarem źródła i drenu, określająca łatwość przepływu prądu i wpływająca na wydajność tranzystora.ⓘ Długość kanału [L]			+10% -10%
✖Napięcie źródła bramki to napięcie przyłożone pomiędzy bramką a zaciskami źródła tranzystora MOSFET.ⓘ Napięcie źródła bramki [V_GS]			+10% -10%
✖Napięcie progowe to minimalne napięcie bramka-źródło wymagane w tranzystorze MOSFET, aby go „włączyć” i umożliwić przepływ znacznego prądu.ⓘ Próg napięcia [V_T]			+10% -10%
✖Napięcie wyjściowe w n-kanałowym obwodzie MOSFET z rezystorem obniżającym, Vⓘ Napięcie wyjściowe [V_out]			+10% -10%

✖Prąd obniżający w obszarze liniowym to prąd płynący przez rezystor, gdy rezystor obniżający jest używany z N-kanałowym MOSFET-em w trybie liniowym.ⓘ Pociągnij w dół prąd w obszarze liniowym [I_D(linear)]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Pociągnij w dół prąd w obszarze liniowym

Formuła

`"I"_{"D(linear)"} = sum(x,0,"n",("μ"_{"n"}*"C"_{"ox"}/2)*("W"/"L")*(2*("V"_{"GS"}-"V"_{"T"})*"V"_{"out"}-"V"_{"out"}^2))`

Przykład

`"37526.28A"=sum(x,0,"11",("9.92m²/V*s"*"3.9F"/2)*("2.678m"/"3.45m")*(2*("29.65V"-"5.91V")*"4.89V"-("4.89V")^2))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Pociągnij w dół prąd w obszarze liniowym Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Region liniowy Prądu ściągającego = sum(x,0,Liczba równoległych tranzystorów sterujących,(Mobilność elektronów*Pojemność tlenkowa/2)*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(2*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie wyjściowe-Napięcie wyjściowe^2))
I_D(linear) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(2*(V_GS-V_T)*V_out-V_out^2))
Ta formuła używa 1 Funkcje, 9 Zmienne

Używane funkcje

sum - Notacja sumacyjna lub notacja sigma (∑) to metoda używana do zapisywania długich sum w zwięzły sposób., sum(i, from, to, expr)

Używane zmienne

Region liniowy Prądu ściągającego - (Mierzone w Amper) - Prąd obniżający w obszarze liniowym to prąd płynący przez rezystor, gdy rezystor obniżający jest używany z N-kanałowym MOSFET-em w trybie liniowym.
Liczba równoległych tranzystorów sterujących - Liczba równoległych tranzystorów sterujących odnosi się do liczby równoległych tranzystorów sterujących w obwodzie.
Mobilność elektronów - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Mobilność elektronów w MOSFET opisuje, jak łatwo elektrony mogą przemieszczać się przez kanał, bezpośrednio wpływając na przepływ prądu dla danego napięcia.
Pojemność tlenkowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność tlenkowa odnosi się do pojemności związanej z izolującą warstwą tlenku w strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOS), takiej jak tranzystory MOSFET.
Szerokość kanału - (Mierzone w Metr) - Szerokość kanału reprezentuje szerokość kanału przewodzącego w MOSFET-ie, bezpośrednio wpływając na ilość prądu, jaki może obsłużyć.
Długość kanału - (Mierzone w Metr) - Długość kanału w MOSFET-ie to odległość pomiędzy obszarem źródła i drenu, określająca łatwość przepływu prądu i wpływająca na wydajność tranzystora.
Napięcie źródła bramki - (Mierzone w Wolt) - Napięcie źródła bramki to napięcie przyłożone pomiędzy bramką a zaciskami źródła tranzystora MOSFET.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe to minimalne napięcie bramka-źródło wymagane w tranzystorze MOSFET, aby go „włączyć” i umożliwić przepływ znacznego prądu.
Napięcie wyjściowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie wyjściowe w n-kanałowym obwodzie MOSFET z rezystorem obniżającym, V

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Liczba równoległych tranzystorów sterujących: 11 --> Nie jest wymagana konwersja
Mobilność elektronów: 9.92 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 9.92 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Pojemność tlenkowa: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Nie jest wymagana konwersja
Szerokość kanału: 2.678 Metr --> 2.678 Metr Nie jest wymagana konwersja
Długość kanału: 3.45 Metr --> 3.45 Metr Nie jest wymagana konwersja
Napięcie źródła bramki: 29.65 Wolt --> 29.65 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 5.91 Wolt --> 5.91 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie wyjściowe: 4.89 Wolt --> 4.89 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

I_D(linear) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(2*(V_GS-V_T)*V_out-V_out^2)) --> sum(x,0,11,(9.92*3.9/2)*(2.678/3.45)*(2*(29.65-5.91)*4.89-4.89^2))

Ocenianie ... ...

I_D(linear) = 37526.2792793155

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

37526.2792793155 Amper --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

37526.2792793155 ≈ 37526.28 Amper <-- Region liniowy Prądu ściągającego

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Tranzystor MOS » Pociągnij w dół prąd w obszarze liniowym

Kredyty

Stworzone przez Vignesha Naidu

Instytut Technologii Vellore (WIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesha Naidu utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Dipanjona Mallick

Instytut Dziedzictwa Technologicznego (UDERZENIE), Kalkuta

Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< 21 Tranzystor MOS Kalkulatory

Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

Iść Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej = -(2*sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych)/(Napięcie końcowe-Napięcie początkowe)*(sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie końcowe)-sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie początkowe)))

Pociągnij w dół prąd w obszarze liniowym

Iść Region liniowy Prądu ściągającego = sum(x,0,Liczba równoległych tranzystorów sterujących,(Mobilność elektronów*Pojemność tlenkowa/2)*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(2*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie wyjściowe-Napięcie wyjściowe^2))

Napięcie węzła w danym przypadku

Iść Napięcie węzła w danym przypadku = (Współczynnik transkonduktancji/Pojemność węzła)*int(exp(-(1/(Opór węzła*Pojemność węzła))*(Okres czasu-x))*Prąd wpływający do węzła*x,x,0,Okres czasu)

Zmniejsz prąd w obszarze nasycenia

Iść Prąd ściągania obszaru nasycenia = sum(x,0,Liczba równoległych tranzystorów sterujących,(Mobilność elektronów*Pojemność tlenkowa/2)*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)^2)

Czas nasycenia

Iść Czas nasycenia = -2*Pojemność obciążenia/(Parametr procesu transkonduktancji*(Wysokie napięcie wyjściowe-Próg napięcia)^2)*int(1,x,Wysokie napięcie wyjściowe,Wysokie napięcie wyjściowe-Próg napięcia)

Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS

Iść Prąd spustowy = (Szerokość kanału/Długość kanału)*Mobilność elektronów*Pojemność tlenkowa*int((Napięcie źródła bramki-x-Próg napięcia),x,0,Napięcie źródła drenu)

Opóźnienie czasowe, gdy NMOS działa w obszarze liniowym

Iść Region liniowy w opóźnieniu czasowym = -2*Pojemność złącza*int(1/(Parametr procesu transkonduktancji*(2*(Napięcie wejściowe-Próg napięcia)*x-x^2)),x,Napięcie początkowe,Napięcie końcowe)

Gęstość ładunku w regionie wyczerpania

Iść Gęstość ładunku warstwy zubożonej = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingujące stężenie akceptora*modulus(Potencjał powierzchni-Masowy potencjał Fermiego)))

Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem

Iść Region głębokości wyczerpania drenażu = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Wbudowany potencjał połączenia+Napięcie źródła drenu))/([Charge-e]*Dopingujące stężenie akceptora))

Prąd drenu w obszarze nasycenia tranzystora MOS

Iść Prąd drenu obszaru nasycenia = Szerokość kanału*Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu*int(Opłata*Parametr krótkiego kanału,x,0,Efektywna długość kanału)

Maksymalna głębokość wyczerpania

Iść Maksymalna głębokość wyczerpania = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Masowy potencjał Fermiego))/([Charge-e]*Dopingujące stężenie akceptora))

Równoważna duża pojemność sygnału

Iść Równoważna duża pojemność sygnału = (1/(Napięcie końcowe-Napięcie początkowe))*int(Pojemność złącza*x,x,Napięcie początkowe,Napięcie końcowe)

Potencjał Fermiego dla typu P

Iść Potencjał Fermiego dla typu P = ([BoltZ]*Temperatura absolutna)/[Charge-e]*ln(Wewnętrzne stężenie nośnika/Dopingujące stężenie akceptora)

Wbudowany potencjał w regionie wyczerpania

Iść Wbudowane napięcie = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingujące stężenie akceptora*modulus(-2*Masowy potencjał Fermiego)))

Potencjał Fermiego dla typu N

Iść Potencjał Fermiego dla typu N = ([BoltZ]*Temperatura absolutna)/[Charge-e]*ln(Stężenie domieszki dawcy/Wewnętrzne stężenie nośnika)

Region głębokości wyczerpania powiązany ze źródłem

Iść Region głębokości wyczerpania źródła = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Wbudowany potencjał połączenia)/([Charge-e]*Dopingujące stężenie akceptora))

Współczynnik odchylenia podłoża

Iść Współczynnik odchylenia podłoża = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingujące stężenie akceptora)/Pojemność tlenkowa

Równoważna pojemność złącza dużego sygnału

Iść Równoważna pojemność złącza dużego sygnału = Obwód ściany bocznej*Pojemność złącza ściany bocznej*Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

Średnia moc rozproszona w danym okresie czasu

Iść Średnia moc = (1/Całkowity czas)*int(Napięcie*Aktualny,x,0,Całkowity zajęty czas)

Funkcja pracy w MOSFET-ie

Iść Funkcja pracy = Poziom próżni+(Poziom energii pasma przewodnictwa-Poziom Fermiego)

Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu na jednostkę długości

Iść Pojemność złącza ściany bocznej = Potencjał zerowego odchylenia ściany bocznej*Głębokość ściany bocznej