✖„Anzahl der parallelen Treibertransistoren“ bezieht sich auf die Anzahl der parallelen Treibertransistoren in der Schaltung.ⓘ Anzahl paralleler Treibertransistoren [n] | | | +10% -10% |
✖Die Elektronenmobilität in MOSFET beschreibt, wie leicht sich Elektronen durch den Kanal bewegen können, was sich direkt auf den Stromfluss bei einer bestimmten Spannung auswirkt.ⓘ Elektronenmobilität [μn] | | | +10% -10% |
✖Die Oxidkapazität bezeichnet die Kapazität, die mit der isolierenden Oxidschicht in einer Metall-Oxid-Halbleiterstruktur (MOS) wie beispielsweise in MOSFETs verbunden ist.ⓘ Oxidkapazität [Cox] | | | +10% -10% |
✖Die Kanalbreite stellt die Breite des leitenden Kanals innerhalb eines MOSFET dar und wirkt sich direkt auf die Strommenge aus, die er verarbeiten kann.ⓘ Kanalbreite [W] | | | +10% -10% |
✖Die Kanallänge in einem MOSFET ist der Abstand zwischen den Source- und Drain-Bereichen. Sie bestimmt, wie leicht der Strom fließt und wirkt sich auf die Transistorleistung aus.ⓘ Kanallänge [L] | | | +10% -10% |
✖Die Gate-Source-Spannung ist die Spannung, die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines MOSFET angelegt wird.ⓘ Gate-Source-Spannung [VGS] | | | +10% -10% |
✖Die Schwellenspannung ist die minimale Gate-Source-Spannung, die in einem MOSFET erforderlich ist, um ihn „einzuschalten“ und einen signifikanten Stromfluss zu ermöglichen.ⓘ Grenzspannung [VT] | | | +10% -10% |
✖Ausgangsspannung in einer n-Kanal-MOSFET-Schaltung mit einem Pulldown-Widerstand, Vⓘ Ausgangsspannung [Vout] | | | +10% -10% |