Prędkość dryfu nasycenia Kalkulator

✖Odległość emitera od kolektora to całkowita odległość pomiędzy emiterem i złączem kolektora.ⓘ Odległość emitera od kolektora [L_min]			+10% -10%
✖Średni czas przejścia emitera do kolektora definiuje się jako czas potrzebny elektronowi na podróż od złącza emitera do kolektora.ⓘ Średni czas przejścia emitera do kolektora [Γ_avg]			+10% -10%

✖Prędkość dryfu nasyconego w BJT to maksymalna prędkość nośnika ładunku w półprzewodniku.ⓘ Prędkość dryfu nasycenia [V_sc]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Prędkość dryfu nasycenia

Formuła

`"V"_{"sc"} = "L"_{"min"}/"Γ"_{"avg"}`

Przykład

`"5m/s"="2.125μm"/"0.425μs"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Urządzenia mikrofalowe BJT Formuły PDF PDF Image

Prędkość dryfu nasycenia Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prędkość dryfu nasyconego w BJT = Odległość emitera od kolektora/Średni czas przejścia emitera do kolektora
V_sc = L_min/Γ_avg
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Prędkość dryfu nasyconego w BJT - (Mierzone w Metr na sekundę) - Prędkość dryfu nasyconego w BJT to maksymalna prędkość nośnika ładunku w półprzewodniku.
Odległość emitera od kolektora - (Mierzone w Metr) - Odległość emitera od kolektora to całkowita odległość pomiędzy emiterem i złączem kolektora.
Średni czas przejścia emitera do kolektora - (Mierzone w Drugi) - Średni czas przejścia emitera do kolektora definiuje się jako czas potrzebny elektronowi na podróż od złącza emitera do kolektora.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Odległość emitera od kolektora: 2.125 Mikrometr --> 2.125E-06 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Średni czas przejścia emitera do kolektora: 0.425 Mikrosekunda --> 4.25E-07 Drugi (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_sc = L_min/Γ_avg --> 2.125E-06/4.25E-07

Ocenianie ... ...

V_sc = 5

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

5 Metr na sekundę --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

5 Metr na sekundę <-- Prędkość dryfu nasyconego w BJT

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Teoria mikrofalowa » Mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe » Urządzenia mikrofalowe BJT » Prędkość dryfu nasycenia

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 15 Urządzenia mikrofalowe BJT Kalkulatory

Maksymalna częstotliwość oscylacji

Iść Maksymalna częstotliwość oscylacji = sqrt(Częstotliwość wzmocnienia zwarcia wspólnego emitera/(8*pi*Odporność podstawowa*Bazowa pojemność kolektora))

Podstawowy czas opóźnienia kolektora

Iść Czas opóźnienia kolektora podstawowego = Czas opóźnienia kolektora emitera-(Czas ładowania kolektora+Podstawowy czas tranzytu+Czas ładowania emitera)

Czas ładowania bazy emitera

Iść Czas ładowania emitera = Czas opóźnienia kolektora emitera-(Czas opóźnienia kolektora podstawowego+Czas ładowania kolektora+Podstawowy czas tranzytu)

Podstawowy czas tranzytu

Iść Podstawowy czas tranzytu = Czas opóźnienia kolektora emitera-(Czas opóźnienia kolektora podstawowego+Czas ładowania kolektora+Czas ładowania emitera)

Czas ładowania kolektora

Iść Czas ładowania kolektora = Czas opóźnienia kolektora emitera-(Czas opóźnienia kolektora podstawowego+Podstawowy czas tranzytu+Czas ładowania emitera)

Czas opóźnienia emitera do kolektora

Iść Czas opóźnienia kolektora emitera = Czas opóźnienia kolektora podstawowego+Czas ładowania kolektora+Podstawowy czas tranzytu+Czas ładowania emitera

Bazowa pojemność kolektora

Iść Bazowa pojemność kolektora = Częstotliwość odcięcia w BJT/(8*pi*Maksymalna częstotliwość oscylacji^2*Odporność podstawowa)

Podstawowy opór

Iść Odporność podstawowa = Częstotliwość odcięcia w BJT/(8*pi*Maksymalna częstotliwość oscylacji^2*Bazowa pojemność kolektora)

Współczynnik mnożenia lawiny

Iść Współczynnik mnożenia lawiny = 1/(1-(Zastosowane napięcie/Napięcie przebicia lawiny)^Dopingowy współczynnik liczbowy)

Prędkość dryfu nasycenia

Iść Prędkość dryfu nasyconego w BJT = Odległość emitera od kolektora/Średni czas przejścia emitera do kolektora

Odległość między emiterem a kolektorem

Iść Odległość emitera od kolektora = Maksymalne przyłożone napięcie w BJT/Maksymalne pole elektryczne w BJT

Całkowity czas tranzytu

Iść Całkowity czas tranzytu = Podstawowy czas tranzytu+Region wyczerpania kolektorów

Częstotliwość odcięcia kuchenki mikrofalowej

Iść Częstotliwość odcięcia w BJT = 1/(2*pi*Czas opóźnienia kolektora emitera)

Całkowity czas ładowania

Iść Całkowity czas ładowania = Czas ładowania emitera+Czas ładowania kolektora

Prąd dziury emitera

Iść Prąd dziury emitera = Prąd bazowy+Prąd kolektora

Prędkość dryfu nasycenia Formułę

Prędkość dryfu nasyconego w BJT = Odległość emitera od kolektora/Średni czas przejścia emitera do kolektora
V_sc = L_min/Γ_avg

Co to jest napięcie częstotliwości zasilania?

Stosunek napięcia przebicia dla dowolnej izolacji lub przerwy spowodowanej napięciem udarowym o określonym t1 / t2 lub kształcie do napięcia przebicia częstotliwości sieciowej jest definiowany jako stosunek impulsów.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!