Sättigungsdriftgeschwindigkeit Taschenrechner

✖Der Abstand zwischen Emitter und Kollektor ist der Gesamtabstand zwischen Emitter und Kollektor.ⓘ Abstand zwischen Emitter und Kollektor [L_min]			+10% -10%
✖Die durchschnittliche Zeit für den Weg vom Emitter zum Kollektor ist definiert als die Zeit, die das Elektron benötigt, um vom Emitterübergang zum Kollektor zu gelangen.ⓘ Durchschnittliche Zeit für den Übergang vom Emitter zum Kollektor [Γ_avg]			+10% -10%

✖Die gesättigte Driftgeschwindigkeit in BJT ist die maximale Geschwindigkeit eines Ladungsträgers in einem Halbleiter.ⓘ Sättigungsdriftgeschwindigkeit [V_sc]

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Formel

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Sättigungsdriftgeschwindigkeit

Formel

`"V"_{"sc"} = "L"_{"min"}/"Γ"_{"avg"}`

Beispiel

`"5m/s"="2.125μm"/"0.425μs"`

Taschenrechner

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Sättigungsdriftgeschwindigkeit Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Gesättigte Driftgeschwindigkeit in BJT = Abstand zwischen Emitter und Kollektor/Durchschnittliche Zeit für den Übergang vom Emitter zum Kollektor
V_sc = L_min/Γ_avg
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Gesättigte Driftgeschwindigkeit in BJT - (Gemessen in Meter pro Sekunde) - Die gesättigte Driftgeschwindigkeit in BJT ist die maximale Geschwindigkeit eines Ladungsträgers in einem Halbleiter.
Abstand zwischen Emitter und Kollektor - (Gemessen in Meter) - Der Abstand zwischen Emitter und Kollektor ist der Gesamtabstand zwischen Emitter und Kollektor.
Durchschnittliche Zeit für den Übergang vom Emitter zum Kollektor - (Gemessen in Zweite) - Die durchschnittliche Zeit für den Weg vom Emitter zum Kollektor ist definiert als die Zeit, die das Elektron benötigt, um vom Emitterübergang zum Kollektor zu gelangen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Abstand zwischen Emitter und Kollektor: 2.125 Mikrometer --> 2.125E-06 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Durchschnittliche Zeit für den Übergang vom Emitter zum Kollektor: 0.425 Mikrosekunde --> 4.25E-07 Zweite (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_sc = L_min/Γ_avg --> 2.125E-06/4.25E-07

Auswerten ... ...

V_sc = 5

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

5 Meter pro Sekunde --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

5 Meter pro Sekunde <-- Gesättigte Driftgeschwindigkeit in BJT

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Maximale Schwingungsfrequenz

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = sqrt(Gemeinsame Emitter-Kurzschlussverstärkungsfrequenz/(8*pi*Basiswiderstand*Kollektorbasiskapazität))

Base-Collector-Verzögerungszeit

Gehen Verzögerungszeit des Basiskollektors = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Ladezeit des Kollektors+Basislaufzeit+Ladezeit des Emitters)

Ladezeit der Emitterbasis

Gehen Ladezeit des Emitters = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Verzögerungszeit des Basiskollektors+Ladezeit des Kollektors+Basislaufzeit)

Ladezeit des Kollektors

Gehen Ladezeit des Kollektors = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Verzögerungszeit des Basiskollektors+Basislaufzeit+Ladezeit des Emitters)

Basis-Transitzeit

Gehen Basislaufzeit = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Verzögerungszeit des Basiskollektors+Ladezeit des Kollektors+Ladezeit des Emitters)

Emitter-Kollektor-Verzögerungszeit

Gehen Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors = Verzögerungszeit des Basiskollektors+Ladezeit des Kollektors+Basislaufzeit+Ladezeit des Emitters

Kollektor-Basiskapazität

Gehen Kollektorbasiskapazität = Grenzfrequenz in BJT/(8*pi*Maximale Schwingungsfrequenz^2*Basiswiderstand)

Basiswiderstand

Gehen Basiswiderstand = Grenzfrequenz in BJT/(8*pi*Maximale Schwingungsfrequenz^2*Kollektorbasiskapazität)

Sättigungsdriftgeschwindigkeit

Gehen Gesättigte Driftgeschwindigkeit in BJT = Abstand zwischen Emitter und Kollektor/Durchschnittliche Zeit für den Übergang vom Emitter zum Kollektor

Lawinenmultiplikationsfaktor

Gehen Lawinenmultiplikationsfaktor = 1/(1-(Angelegte Spannung/Lawinendurchbruchspannung)^Numerischer Dopingfaktor)

Emitter-Kollektor-Abstand

Gehen Abstand zwischen Emitter und Kollektor = Maximale angelegte Spannung in BJT/Maximales elektrisches Feld in BJT

Grenzfrequenz der Mikrowelle

Gehen Grenzfrequenz in BJT = 1/(2*pi*Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors)

Gesamtladezeit

Gehen Gesamtladezeit = Ladezeit des Emitters+Ladezeit des Kollektors

Gesamtlaufzeit

Gehen Gesamtlaufzeit = Basislaufzeit+Collector-Depletion-Region

Lochstrom des Emitters

Gehen Lochstrom des Emitters = Basisstrom+Kollektorstrom

Sättigungsdriftgeschwindigkeit Formel

Gesättigte Driftgeschwindigkeit in BJT = Abstand zwischen Emitter und Kollektor/Durchschnittliche Zeit für den Übergang vom Emitter zum Kollektor
V_sc = L_min/Γ_avg

Was ist Netzfrequenzspannung?

Das Verhältnis der Durchbruchspannung für eine Isolierung oder einen Spalt aufgrund einer Impulsspannung von spezifiziertem t1 / t2 oder einer bestimmten Form zur Durchbruchspannung der Netzfrequenz wird als Impulsverhältnis definiert.

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