Скорость дрейфа насыщения Калькулятор

✖Расстояние между эмиттером и коллектором — это общее расстояние между переходом эмиттера и коллектора.ⓘ Расстояние от эмиттера до коллектора [L_min]			+10% -10%
✖Среднее время прохождения эмиттера к коллектору определяется как время, необходимое электрону для перемещения от эмиттерного перехода к коллектору.ⓘ Среднее время прохождения эмиттера к коллектору [Γ_avg]			+10% -10%

✖Скорость насыщенного дрейфа в BJT — это максимальная скорость носителя заряда в полупроводнике.ⓘ Скорость дрейфа насыщения [V_sc]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Скорость дрейфа насыщения

Формула

`"V"_{"sc"} = "L"_{"min"}/"Γ"_{"avg"}`

Пример

`"5m/s"="2.125μm"/"0.425μs"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать БЮТ-микроволновые устройства Формулы PDF PDF Image

Скорость дрейфа насыщения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Скорость насыщенного дрейфа в BJT = Расстояние от эмиттера до коллектора/Среднее время прохождения эмиттера к коллектору
V_sc = L_min/Γ_avg
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Скорость насыщенного дрейфа в BJT - (Измеряется в метр в секунду) - Скорость насыщенного дрейфа в BJT — это максимальная скорость носителя заряда в полупроводнике.
Расстояние от эмиттера до коллектора - (Измеряется в метр) - Расстояние между эмиттером и коллектором — это общее расстояние между переходом эмиттера и коллектора.
Среднее время прохождения эмиттера к коллектору - (Измеряется в Второй) - Среднее время прохождения эмиттера к коллектору определяется как время, необходимое электрону для перемещения от эмиттерного перехода к коллектору.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Расстояние от эмиттера до коллектора: 2.125 микрометр --> 2.125E-06 метр (Проверьте преобразование здесь)
Среднее время прохождения эмиттера к коллектору: 0.425 микросекунда --> 4.25E-07 Второй (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

V_sc = L_min/Γ_avg --> 2.125E-06/4.25E-07

Оценка ... ...

V_sc = 5

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

5 метр в секунду --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

5 метр в секунду <-- Скорость насыщенного дрейфа в BJT

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Теория СВЧ » Микроволновые полупроводниковые приборы » БЮТ-микроволновые устройства » Скорость дрейфа насыщения

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 15 БЮТ-микроволновые устройства Калькуляторы

Максимальная частота колебаний

Идти Максимальная частота колебаний = sqrt(Частота усиления короткого замыкания с общим эмиттером/(8*pi*Базовое сопротивление*Базовая емкость коллектора))

Время задержки базового коллектора

Идти Время задержки коллектора базы = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время зарядки коллектора+Базовое время доставки+Время зарядки эмиттера)

Время зарядки базы излучателя

Идти Время зарядки эмиттера = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время задержки коллектора базы+Время зарядки коллектора+Базовое время доставки)

Время зарядки коллектора

Идти Время зарядки коллектора = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время задержки коллектора базы+Базовое время доставки+Время зарядки эмиттера)

Базовое время в пути

Идти Базовое время доставки = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время задержки коллектора базы+Время зарядки коллектора+Время зарядки эмиттера)

Время задержки между эмиттером и коллектором

Идти Время задержки эмиттера-коллектора = Время задержки коллектора базы+Время зарядки коллектора+Базовое время доставки+Время зарядки эмиттера

Базовая емкость коллектора

Идти Базовая емкость коллектора = Частота среза в BJT/(8*pi*Максимальная частота колебаний^2*Базовое сопротивление)

Базовое сопротивление

Идти Базовое сопротивление = Частота среза в BJT/(8*pi*Максимальная частота колебаний^2*Базовая емкость коллектора)

Фактор лавинного умножения

Идти Фактор лавинного умножения = 1/(1-(Приложенное напряжение/Лавинное напряжение пробоя)^Допинговый числовой коэффициент)

Скорость дрейфа насыщения

Идти Скорость насыщенного дрейфа в BJT = Расстояние от эмиттера до коллектора/Среднее время прохождения эмиттера к коллектору

Расстояние от эмиттера до коллектора

Идти Расстояние от эмиттера до коллектора = Максимальное приложенное напряжение в BJT/Максимальное электрическое поле в BJT

Общее время в пути

Идти Общее время в пути = Базовое время доставки+Область истощения коллектора

Общее время зарядки

Идти Общее время зарядки = Время зарядки эмиттера+Время зарядки коллектора

Частота среза микроволновой печи

Идти Частота среза в BJT = 1/(2*pi*Время задержки эмиттера-коллектора)

Дырочный ток эмиттера

Идти Дырочный ток эмиттера = Базовый ток+Коллекторный ток

Скорость дрейфа насыщения формула

Скорость насыщенного дрейфа в BJT = Расстояние от эмиттера до коллектора/Среднее время прохождения эмиттера к коллектору
V_sc = L_min/Γ_avg

Что такое напряжение промышленной частоты?

Отношение напряжения пробоя для любой изоляции или зазора из-за импульсного напряжения заданной t1 / t2 или формы к напряжению пробоя промышленной частоты определяется как отношение импульсов.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!