Übergangsfrequenz des MOSFET Taschenrechner

✖Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.ⓘ Steilheit [g_m]			+10% -10%
✖Die Source-Gate-Kapazität ist ein Maß für die Kapazität zwischen den Source- und Gate-Elektroden in einem Feldeffekttransistor (FET).ⓘ Source-Gate-Kapazität [C_sg]			+10% -10%
✖Die Gate-Drain-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Drain-Elektroden eines Feldeffekttransistors (FET) besteht.ⓘ Gate-Drain-Kapazität [C_gd]			+10% -10%

✖Die Übergangsfrequenz ist ein Begriff, der die Geschwindigkeit oder Häufigkeit beschreibt, mit der eine Änderung oder ein Übergang von einem Zustand in einen anderen erfolgt.ⓘ Übergangsfrequenz des MOSFET [f_t]

⎘ Kopie

👎

Formel

✖

Übergangsfrequenz des MOSFET

Formel

`"f"_{"t"} = "g"_{"m"}/(2*pi*("C"_{"sg"}+"C"_{"gd"}))`

Beispiel

`"5.249174Hz"="0.5mS"/(2*pi*("8.16μF"+"7μF"))`

Taschenrechner

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen MOSFET Formel Pdf PDF Image

Übergangsfrequenz des MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
f_t = g_m/(2*pi*(C_sg+C_gd))
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 4 Variablen

Verwendete Konstanten

pi - Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288

Verwendete Variablen

Übergangsfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Übergangsfrequenz ist ein Begriff, der die Geschwindigkeit oder Häufigkeit beschreibt, mit der eine Änderung oder ein Übergang von einem Zustand in einen anderen erfolgt.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Source-Gate-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Source-Gate-Kapazität ist ein Maß für die Kapazität zwischen den Source- und Gate-Elektroden in einem Feldeffekttransistor (FET).
Gate-Drain-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Drain-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Drain-Elektroden eines Feldeffekttransistors (FET) besteht.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Steilheit: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Source-Gate-Kapazität: 8.16 Mikrofarad --> 8.16E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gate-Drain-Kapazität: 7 Mikrofarad --> 7E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

f_t = g_m/(2*pi*(C_sg+C_gd)) --> 0.0005/(2*pi*(8.16E-06+7E-06))

Auswerten ... ...

f_t = 5.24917358482504

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

5.24917358482504 Hertz --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

5.24917358482504 ≈ 5.249174 Hertz <-- Übergangsfrequenz

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » MOSFET » Analoge Elektronik » Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell » Übergangsfrequenz des MOSFET

Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< 15 Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner

Leitwert des Kanals von MOSFETs

Gehen Leitfähigkeit des Kanals = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*(Kanalbreite/Kanallänge)*Spannung über Oxid

Größe der Elektronenladung im Kanal des MOSFET

Gehen Elektronenladung im Kanal = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge*Effektive Spannung

Übergangsfrequenz des MOSFET

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))

Phasenverschiebung im Ausgangs-RC-Schaltkreis

Gehen Phasenverschiebung = arctan(Kapazitive Reaktanz/(Widerstand+Lastwiderstand))

Untere kritische Frequenz des Mosfet

Gehen Eckfrequenz = 1/(2*pi*(Widerstand+Eingangswiderstand)*Kapazität)

Ausgangs-Miller-Kapazitäts-MOSFET

Gehen Ausgangs-Miller-Kapazität = Gate-Drain-Kapazität*((Spannungsverstärkung+1)/Spannungsverstärkung)

Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET

Gehen Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)

Phasenverschiebung im Eingangs-RC-Schaltkreis

Gehen Phasenverschiebung = arctan(Kapazitive Reaktanz/Eingangswiderstand)

Überlappungskapazität des MOSFET

Gehen Überlappungskapazität = Kanalbreite*Oxidkapazität*Überlappungslänge

Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang

Gehen Eckfrequenz = 1/(2*pi*Eingangswiderstand*Miller-Kapazität)

Gesamtkapazität zwischen Gate und Kanal von MOSFETs

Gehen Gate-Kanalkapazität = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge

Kapazitive Reaktanz von Mosfet

Gehen Kapazitive Reaktanz = 1/(2*pi*Frequenz*Kapazität)

Miller-Kapazität von Mosfet

Gehen Miller-Kapazität = Gate-Drain-Kapazität*(Spannungsverstärkung+1)

Kritische Frequenz von Mosfet

Gehen Kritische Frequenz in Dezibel = 10*log10(Kritische Frequenz)

Dämpfung des RC-Schaltkreises

Gehen Dämpfung = Basisspannung/Eingangsspannung

< 15 MOSFET-Eigenschaften Taschenrechner

Leitfähigkeit des Kanals des MOSFET unter Verwendung der Gate-Source-Spannung

Gehen Leitfähigkeit des Kanals = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite/Kanallänge*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)

Spannungsverstärkung bei gegebenem Lastwiderstand des MOSFET

Gehen Spannungsverstärkung = Steilheit*(1/(1/Lastwiderstand+1/Ausgangswiderstand))/(1+Steilheit*Quellenwiderstand)

Übergangsfrequenz des MOSFET

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))

Maximale Spannungsverstärkung am Vorspannungspunkt

Gehen Maximale Spannungsverstärkung = 2*(Versorgungsspannung-Effektive Spannung)/(Effektive Spannung)

Spannungsverstärkung mit Kleinsignal

Gehen Spannungsverstärkung = Steilheit*1/(1/Lastwiderstand+1/Endlicher Widerstand)

Spannungsverstärkung bei gegebener Drain-Spannung

Gehen Spannungsverstärkung = (Stromverbrauch*Lastwiderstand*2)/Effektive Spannung

Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET

Gehen Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)

Body-Effekt auf die Transkonduktanz

Gehen Körpertranskonduktanz = Änderung des Schwellenwerts zur Basisspannung*Steilheit

Maximale Spannungsverstärkung bei allen Spannungen

Gehen Maximale Spannungsverstärkung = (Versorgungsspannung-0.3)/Thermische Spannung

Sättigungsspannung des MOSFET

Gehen Drain- und Source-Sättigungsspannung = Gate-Source-Spannung-Grenzspannung

Vorspannung des MOSFET

Gehen Gesamte momentane Vorspannung = DC-Vorspannung+Gleichspannung

Schwellenspannung des MOSFET

Gehen Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung

Verstärkungsfaktor im Kleinsignal-MOSFET-Modell

Gehen Verstärkungsfaktor = Steilheit*Ausgangswiderstand

Transkonduktanz im MOSFET

Gehen Steilheit = (2*Stromverbrauch)/Overdrive-Spannung

Leitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET

Gehen Leitfähigkeit des Kanals = 1/Linearer Widerstand

Übergangsfrequenz des MOSFET Formel

Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
f_t = g_m/(2*pi*(C_sg+C_gd))

Warum wird MOSFET für Hochfrequenzanwendungen verwendet?

MOSFETs können bei hohen Frequenzen arbeiten, sie können schnelle Schaltanwendungen mit geringen Ausschaltverlusten ausführen. Im Vergleich zum IGBT bietet ein Leistungs-MOSFET die Vorteile einer höheren Kommutierungsgeschwindigkeit und eines höheren Wirkungsgrads während des Betriebs bei niedrigen Spannungen.

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!