Частота перехода MOSFET Калькулятор

✖Крутизна определяется как отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения при постоянном напряжении затвор-исток.ⓘ крутизна [g_m]			+10% -10%
✖Емкость затвора истока — это мера емкости между электродами истока и затвора в полевом транзисторе (FET).ⓘ Емкость затвора источника [C_sg]			+10% -10%
✖Емкость затвор-сток — это паразитная емкость, которая существует между электродами затвора и стока полевого транзистора (FET).ⓘ Емкость затвор-сток [C_gd]			+10% -10%

✖Частота перехода — это термин, который описывает скорость или частоту, с которой происходит изменение или переход из одного состояния в другое.ⓘ Частота перехода MOSFET [f_t]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Частота перехода MOSFET

Формула

`"f"_{"t"} = "g"_{"m"}/(2*pi*("C"_{"sg"}+"C"_{"gd"}))`

Пример

`"5.249174Hz"="0.5mS"/(2*pi*("8.16μF"+"7μF"))`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF

Частота перехода MOSFET Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))
f_t = g_m/(2*pi*(C_sg+C_gd))
В этой формуле используются 1 Константы, 4 Переменные

Используемые константы

pi - постоянная Архимеда Значение, принятое как 3.14159265358979323846264338327950288

Используемые переменные

Частота перехода - (Измеряется в Герц) - Частота перехода — это термин, который описывает скорость или частоту, с которой происходит изменение или переход из одного состояния в другое.
крутизна - (Измеряется в Сименс) - Крутизна определяется как отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения при постоянном напряжении затвор-исток.
Емкость затвора источника - (Измеряется в фарада) - Емкость затвора истока — это мера емкости между электродами истока и затвора в полевом транзисторе (FET).
Емкость затвор-сток - (Измеряется в фарада) - Емкость затвор-сток — это паразитная емкость, которая существует между электродами затвора и стока полевого транзистора (FET).

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

крутизна: 0.5 Миллисименс --> 0.0005 Сименс (Проверьте преобразование здесь)
Емкость затвора источника: 8.16 Микрофарад --> 8.16E-06 фарада (Проверьте преобразование здесь)
Емкость затвор-сток: 7 Микрофарад --> 7E-06 фарада (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

f_t = g_m/(2*pi*(C_sg+C_gd)) --> 0.0005/(2*pi*(8.16E-06+7E-06))

Оценка ... ...

f_t = 5.24917358482504

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

5.24917358482504 Герц --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

5.24917358482504 ≈ 5.249174 Герц <-- Частота перехода

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель » Частота перехода MOSFET

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Аншика Арья

Национальный Технологический Институт (NIT), Хамирпур

Аншика Арья проверил этот калькулятор и еще 2500+!

< 15 Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Калькуляторы

Проводимость канала МОП-транзисторов

Идти Проводимость канала = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*(ширина канала/Длина канала)*Напряжение на оксиде

Фазовый сдвиг в выходной RC-цепи

Идти Сдвиг фазы = arctan(Емкостное реактивное сопротивление/(Сопротивление+Сопротивление нагрузки))

Величина электронного заряда в канале MOSFET

Идти Заряд электрона в канале = Оксидная емкость*ширина канала*Длина канала*Эффективное напряжение

Частота перехода MOSFET

Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))

Нижняя критическая частота МОП-транзистора

Идти Угловая частота = 1/(2*pi*(Сопротивление+Входное сопротивление)*Емкость)

Выходная емкость МОП-транзистора Миллера

Идти Выходная емкость Миллера = Емкость затвор-сток*((Усиление напряжения+1)/Усиление напряжения)

Фазовый сдвиг во входной RC-цепи

Идти Сдвиг фазы = arctan(Емкостное реактивное сопротивление/Входное сопротивление)

Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET

Идти ширина канала = Емкость перекрытия/(Оксидная емкость*Длина перекрытия)

Суммарная емкость между затвором и каналом MOSFET

Идти Емкость канала затвора = Оксидная емкость*ширина канала*Длина канала

Емкость перекрытия MOSFET

Идти Емкость перекрытия = ширина канала*Оксидная емкость*Длина перекрытия

Критическая частота в RC-цепи высокочастотного входа

Идти Угловая частота = 1/(2*pi*Входное сопротивление*Емкость Миллера)

Емкостное реактивное сопротивление МОП-транзистора

Идти Емкостное реактивное сопротивление = 1/(2*pi*Частота*Емкость)

Критическая частота Мосфета

Идти Критическая частота в дециблях = 10*log10(Критическая частота)

Миллер Емкость МОП-транзистора

Идти Емкость Миллера = Емкость затвор-сток*(Усиление напряжения+1)

Ослабление RC-цепи

Идти Затухание = Базовое напряжение/Входное напряжение

< 15 Характеристики МОП-транзистора Калькуляторы

Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник»

Идти Проводимость канала = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*ширина канала/Длина канала*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)

Коэффициент усиления по напряжению при заданном сопротивлении нагрузки MOSFET

Идти Усиление напряжения = крутизна*(1/(1/Сопротивление нагрузки+1/Выходное сопротивление))/(1+крутизна*Сопротивление источника)

Частота перехода MOSFET

Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))

Максимальное усиление напряжения в точке смещения

Идти Максимальное усиление напряжения = 2*(Напряжение питания-Эффективное напряжение)/(Эффективное напряжение)

Усиление напряжения с использованием слабого сигнала

Идти Усиление напряжения = крутизна*1/(1/Сопротивление нагрузки+1/Конечное сопротивление)

Усиление напряжения при заданном напряжении стока

Идти Усиление напряжения = (Ток стока*Сопротивление нагрузки*2)/Эффективное напряжение

Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET

Идти ширина канала = Емкость перекрытия/(Оксидная емкость*Длина перекрытия)

Напряжение смещения MOSFET

Идти Общее мгновенное напряжение смещения = Напряжение смещения постоянного тока+Постоянное напряжение

Влияние тела на транспроводимость

Идти Транспроводимость тела = Изменение порогового значения базового напряжения*крутизна

Напряжение насыщения MOSFET

Идти Напряжение насыщения стока и истока = Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение

Максимальное усиление напряжения при всех напряжениях

Идти Максимальное усиление напряжения = (Напряжение питания-0.3)/Тепловое напряжение

Пороговое напряжение MOSFET

Идти Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение

Коэффициент усиления в модели MOSFET с малым сигналом

Идти Коэффициент усиления = крутизна*Выходное сопротивление

Крутизна МОП-транзистора

Идти крутизна = (2*Ток стока)/Повышенное напряжение

Проводимость в линейном сопротивлении MOSFET

Идти Проводимость канала = 1/Линейное сопротивление

Частота перехода MOSFET формула

Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))
f_t = g_m/(2*pi*(C_sg+C_gd))

Почему MOSFET используется для высокочастотных приложений?

МОП-транзисторы могут работать на высоких частотах, они могут выполнять приложения с быстрым переключением с небольшими потерями при выключении. По сравнению с IGBT силовой MOSFET имеет преимущества более высокой скорости коммутации и большей эффективности при работе при низких напряжениях.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!