Concentração de Elétrons Injetados do Emissor para a Base Calculadora

✖A Concentração de Equilíbrio Térmico é definida como a concentração de portadores em um amplificador.ⓘ Concentração de Equilíbrio Térmico [n_po]			+10% -10%
✖A tensão base-emissor é a tensão direta entre a base e o emissor do transistor.ⓘ Tensão Base-Emissor [V_BE]			+10% -10%
✖Tensão Térmica é a tensão produzida dentro da junção pn.ⓘ Tensão Térmica [V_t]			+10% -10%

✖A concentração de e- injetado do emissor para a base é o número de elétrons passados do emissor para a base.ⓘ Concentração de Elétrons Injetados do Emissor para a Base [N_p]

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Fórmula

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Concentração de Elétrons Injetados do Emissor para a Base

Fórmula

`"N"_{"p"} = "n"_{"po"}*e^("V"_{"BE"}/"V"_{"t"})`

Exemplo

`"3E^18/m³"="1e18/m³"*e^("5.15V"/"4.7V")`

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Concentração de Elétrons Injetados do Emissor para a Base Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Concentração de e- Injetado do Emissor para a Base = Concentração de Equilíbrio Térmico*e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica)
N_p = n_po*e^(V_BE/V_t)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 4 Variáveis

Constantes Usadas

e - Constante de Napier Valor considerado como 2.71828182845904523536028747135266249

Variáveis Usadas

Concentração de e- Injetado do Emissor para a Base - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de e- injetado do emissor para a base é o número de elétrons passados do emissor para a base.
Concentração de Equilíbrio Térmico - (Medido em 1 por metro cúbico) - A Concentração de Equilíbrio Térmico é definida como a concentração de portadores em um amplificador.
Tensão Base-Emissor - (Medido em Volt) - A tensão base-emissor é a tensão direta entre a base e o emissor do transistor.
Tensão Térmica - (Medido em Volt) - Tensão Térmica é a tensão produzida dentro da junção pn.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Concentração de Equilíbrio Térmico: 1E+18 1 por metro cúbico --> 1E+18 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Tensão Base-Emissor: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão Térmica: 4.7 Volt --> 4.7 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

N_p = n_po*e^(V_BE/V_t) --> 1E+18*e^(5.15/4.7)

Avaliando ... ...

N_p = 2.99140949952878E+18

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

2.99140949952878E+18 1 por metro cúbico --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

2.99140949952878E+18 ≈ 3E+18 1 por metro cúbico <-- Concentração de e- Injetado do Emissor para a Base

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 10+ Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Capacitância da Junção Coletor-Base

Vai Capacitância da Junção Coletor-Base = Capacitância da Junção Coletor-Base na Tensão 0/(1+(Tensão de polarização reversa/Tensão Embutida))^Coeficiente de classificação

Frequência de Transição do BJT

Vai Frequência de Transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base))

Concentração de Elétrons Injetados do Emissor para a Base

Vai Concentração de e- Injetado do Emissor para a Base = Concentração de Equilíbrio Térmico*e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica)

Largura de banda de ganho unitário de BJT

Vai Largura de banda de ganho de unidade = Transcondutância/(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base)

Capacitância de difusão de pequenos sinais de BJT

Vai Capacitância base do emissor = Constante do dispositivo*(Coletor atual/Tensão de limiar)

Concentração de Equilíbrio Térmico de Portador de Carga Minoritária

Vai Concentração de Equilíbrio Térmico = ((Densidade do portador intrínseco)^2)/Dopagem Concentração de Base

Capacitância de difusão de pequenos sinais

Vai Capacitância base do emissor = Constante do dispositivo*Transcondutância

Carga do Elétron Armazenado na Base do BJT

Vai Carga de Elétron Armazenada = Constante do dispositivo*Coletor atual

Frequência de transição de BJT dada constante do dispositivo

Vai Frequência de Transição = 1/(2*pi*Constante do dispositivo)

Capacitância da Junção Base-Emissor

Vai Capacitância da Junção Base-Emissor = 2*Capacitância base do emissor

Concentração de Elétrons Injetados do Emissor para a Base Fórmula

Concentração de e- Injetado do Emissor para a Base = Concentração de Equilíbrio Térmico*e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica)
N_p = n_po*e^(V_BE/V_t)

Como as operadoras de carga minoritária são distribuídas no BJT?

A operação física do BJT pode ser aprimorada considerando a distribuição de portadores de carga minoritários na base e no emissor. Os perfis de concentração de elétrons na base e lacunas no emissor de um transistor NPN operando no modo ativo. Observe que, como a concentração de dopagem no emissor, ND, é muito maior do que a concentração de dopagem na base, NA, a concentração de elétrons injetados do emissor para a base, n

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