Carga do Elétron Armazenado na Base do BJT Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Carga de Elétron Armazenada = Constante do dispositivo*Coletor atual
Qn = 𝛕F*Ic
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Carga de Elétron Armazenada - (Medido em Coulomb) - A carga do elétron armazenado geralmente é feita por um capacitor, formado por duas placas separadas por um fino material isolante conhecido como dielétrico.
Constante do dispositivo - (Medido em Segundo) - Um valor de constante de dispositivo é definido uma vez e pode ser referenciado várias vezes ao longo de um programa.
Coletor atual - (Medido em Ampere) - A corrente de coletor é uma corrente de saída amplificada de um transistor de junção bipolar.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Constante do dispositivo: 2 Segundo --> 2 Segundo Nenhuma conversão necessária
Coletor atual: 5 Miliamperes --> 0.005 Ampere (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Qn = 𝛕F*Ic --> 2*0.005
Avaliando ... ...
Qn = 0.01
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.01 Coulomb --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.01 Coulomb <-- Carga de Elétron Armazenada
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

10+ Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Capacitância da Junção Coletor-Base
​ Vai Capacitância da Junção Coletor-Base = Capacitância da Junção Coletor-Base na Tensão 0/(1+(Tensão de polarização reversa/Tensão Embutida))^Coeficiente de classificação
Frequência de Transição do BJT
​ Vai Frequência de Transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base))
Concentração de Elétrons Injetados do Emissor para a Base
​ Vai Concentração de e- Injetado do Emissor para a Base = Concentração de Equilíbrio Térmico*e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica)
Largura de banda de ganho unitário de BJT
​ Vai Largura de banda de ganho de unidade = Transcondutância/(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base)
Capacitância de difusão de pequenos sinais de BJT
​ Vai Capacitância base do emissor = Constante do dispositivo*(Coletor atual/Tensão de limiar)
Concentração de Equilíbrio Térmico de Portador de Carga Minoritária
​ Vai Concentração de Equilíbrio Térmico = ((Densidade do portador intrínseco)^2)/Dopagem Concentração de Base
Capacitância de difusão de pequenos sinais
​ Vai Capacitância base do emissor = Constante do dispositivo*Transcondutância
Carga do Elétron Armazenado na Base do BJT
​ Vai Carga de Elétron Armazenada = Constante do dispositivo*Coletor atual
Frequência de transição de BJT dada constante do dispositivo
​ Vai Frequência de Transição = 1/(2*pi*Constante do dispositivo)
Capacitância da Junção Base-Emissor
​ Vai Capacitância da Junção Base-Emissor = 2*Capacitância base do emissor

Carga do Elétron Armazenado na Base do BJT Fórmula

Carga de Elétron Armazenada = Constante do dispositivo*Coletor atual
Qn = 𝛕F*Ic

Como você armazena elétrons?

Os elétrons são rotineiramente coletados e armazenados em um anel de armazenamento de elétrons. Consiste em um conjunto de elementos magnéticos, principalmente dipolos para dobrar as partículas em um anel e quadrupolos para manter os elétrons bem focados.

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