Capacitância de difusão de pequenos sinais de BJT Calculadora

✖Um valor de constante de dispositivo é definido uma vez e pode ser referenciado várias vezes ao longo de um programa.ⓘ Constante do dispositivo [𝛕_F]			+10% -10%
✖A corrente de coletor é uma corrente de saída amplificada de um transistor de junção bipolar.ⓘ Coletor atual [I_c]			+10% -10%
✖A tensão limite do transistor é o portão mínimo para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.ⓘ Tensão de limiar [V_th]			+10% -10%

✖A capacitância emissor-base é a capacitância entre o emissor e a base.ⓘ Capacitância de difusão de pequenos sinais de BJT [C_eb]

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Fórmula

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Capacitância de difusão de pequenos sinais de BJT

Fórmula

`"C"_{"eb"} = "𝛕"_{"F"}*("I"_{"c"}/"V"_{"th"})`

Exemplo

`"1818.182μF"="2s"*("5mA"/"5.50V")`

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Capacitância de difusão de pequenos sinais de BJT Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Capacitância base do emissor = Constante do dispositivo*(Coletor atual/Tensão de limiar)
C_eb = 𝛕_F*(I_c/V_th)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Capacitância base do emissor - (Medido em Farad) - A capacitância emissor-base é a capacitância entre o emissor e a base.
Constante do dispositivo - (Medido em Segundo) - Um valor de constante de dispositivo é definido uma vez e pode ser referenciado várias vezes ao longo de um programa.
Coletor atual - (Medido em Ampere) - A corrente de coletor é uma corrente de saída amplificada de um transistor de junção bipolar.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limite do transistor é o portão mínimo para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Constante do dispositivo: 2 Segundo --> 2 Segundo Nenhuma conversão necessária
Coletor atual: 5 Miliamperes --> 0.005 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Tensão de limiar: 5.5 Volt --> 5.5 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

C_eb = 𝛕_F*(I_c/V_th) --> 2*(0.005/5.5)

Avaliando ... ...

C_eb = 0.00181818181818182

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.00181818181818182 Farad -->1818.18181818182 Microfarad (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

1818.18181818182 ≈ 1818.182 Microfarad <-- Capacitância base do emissor

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 11 Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Capacitância Base do Coletor

Vai Capacitância Base do Coletor = Área de junção da base do emissor*sqrt((Cobrar*Permissividade*Densidade de dopagem)/(2*(Potencial integrado+Junção de polarização reversa)))

Capacitância da Junção Coletor-Base

Vai Capacitância da Junção Coletor-Base = Capacitância da Junção Coletor-Base na Tensão 0/(1+(Tensão de polarização reversa/Tensão Embutida))^Coeficiente de classificação

Frequência de Transição do BJT

Vai Frequência de Transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base))

Concentração de Elétrons Injetados do Emissor para a Base

Vai Concentração de e- Injetado do Emissor para a Base = Concentração de Equilíbrio Térmico*e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica)

Largura de banda de ganho unitário de BJT

Vai Largura de banda de ganho de unidade = Transcondutância/(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base)

Capacitância de difusão de pequenos sinais de BJT

Vai Capacitância base do emissor = Constante do dispositivo*(Coletor atual/Tensão de limiar)

Concentração de Equilíbrio Térmico de Portador de Carga Minoritária

Vai Concentração de Equilíbrio Térmico = ((Densidade do portador intrínseco)^2)/Dopagem Concentração de Base

Capacitância de difusão de pequenos sinais

Vai Capacitância base do emissor = Constante do dispositivo*Transcondutância

Carga do Elétron Armazenado na Base do BJT

Vai Carga de Elétron Armazenada = Constante do dispositivo*Coletor atual

Frequência de transição de BJT dada constante do dispositivo

Vai Frequência de Transição = 1/(2*pi*Constante do dispositivo)

Capacitância da Junção Base-Emissor

Vai Capacitância da Junção Base-Emissor = 2*Capacitância base do emissor

Capacitância de difusão de pequenos sinais de BJT Fórmula

Capacitância base do emissor = Constante do dispositivo*(Coletor atual/Tensão de limiar)
C_eb = 𝛕_F*(I_c/V_th)

Qual é a diferença entre capacitância de transição e capacitância de difusão?

A capacitância de transição é basicamente a mudança de carga armazenada na região de depleção em relação a uma mudança na tensão. E a capacitância de difusão é a capacitância causada devido ao movimento dos portadores de carga do ânodo para o cátodo no modo polarizado direto.

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