Capacitância da Junção Base-Emissor Calculadora

✖A capacitância da junção base-emissor é a capacitância da junção que é polarizada diretamente e é representada por um diodo.ⓘ Capacitância da Junção Base-Emissor [C]

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Fórmula

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Capacitância da Junção Base-Emissor

Fórmula

`"C" = 2*"C"_{"eb"}`

Exemplo

`"3μF"=2*"1.5μF"`

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Capacitância da Junção Base-Emissor Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Capacitância da Junção Base-Emissor = 2*Capacitância base do emissor
C = 2*C_eb
Esta fórmula usa 2 Variáveis

Variáveis Usadas

Capacitância da Junção Base-Emissor - (Medido em Farad) - A capacitância da junção base-emissor é a capacitância da junção que é polarizada diretamente e é representada por um diodo.
Capacitância base do emissor - (Medido em Farad) - A capacitância emissor-base é a capacitância entre o emissor e a base.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Capacitância base do emissor: 1.5 Microfarad --> 1.5E-06 Farad (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

C = 2*C_eb --> 2*1.5E-06

Avaliando ... ...

C = 3E-06

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

3E-06 Farad -->3 Microfarad (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

3 Microfarad <-- Capacitância da Junção Base-Emissor

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 10+ Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Capacitância da Junção Coletor-Base

Vai Capacitância da Junção Coletor-Base = Capacitância da Junção Coletor-Base na Tensão 0/(1+(Tensão de polarização reversa/Tensão Embutida))^Coeficiente de classificação

Frequência de Transição do BJT

Vai Frequência de Transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base))

Concentração de Elétrons Injetados do Emissor para a Base

Vai Concentração de e- Injetado do Emissor para a Base = Concentração de Equilíbrio Térmico*e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica)

Largura de banda de ganho unitário de BJT

Vai Largura de banda de ganho de unidade = Transcondutância/(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base)

Capacitância de difusão de pequenos sinais de BJT

Vai Capacitância base do emissor = Constante do dispositivo*(Coletor atual/Tensão de limiar)

Concentração de Equilíbrio Térmico de Portador de Carga Minoritária

Vai Concentração de Equilíbrio Térmico = ((Densidade do portador intrínseco)^2)/Dopagem Concentração de Base

Capacitância de difusão de pequenos sinais

Vai Capacitância base do emissor = Constante do dispositivo*Transcondutância

Carga do Elétron Armazenado na Base do BJT

Vai Carga de Elétron Armazenada = Constante do dispositivo*Coletor atual

Frequência de transição de BJT dada constante do dispositivo

Vai Frequência de Transição = 1/(2*pi*Constante do dispositivo)

Capacitância da Junção Base-Emissor

Vai Capacitância da Junção Base-Emissor = 2*Capacitância base do emissor

Capacitância da Junção Base-Emissor Fórmula

Capacitância da Junção Base-Emissor = 2*Capacitância base do emissor
C = 2*C_eb

O que é BJT e seus tipos?

Um transistor bipolar (transistor de junção bipolar: BJT) consiste em três regiões semicondutoras formando duas junções. Existem dois tipos de estrutura: NPN e PNP. Produtos com NPN até 800 V e PNP até -600 V estão disponíveis. Além disso, também existem transistores internos de resistor de polarização (BRTs).

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