Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2
Id = 1/2*k'n*Wc/L*(Vgs-VT)^2
Esta fórmula usa 6 Variáveis
Variáveis Usadas
Drenar corrente em NMOS - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno em NMOS é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).
Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS - (Medido em Siemens) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo em NMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Largura do Canal - (Medido em Metro) - A largura do canal refere-se à quantidade de largura de banda disponível para transmissão de dados dentro de um canal de comunicação.
Comprimento do Canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal pode ser definido como a distância entre seus pontos inicial e final e pode variar muito dependendo de sua finalidade e localização.
Tensão da fonte do portão - (Medido em Volt) - A tensão da fonte de porta é a tensão que cai no terminal de porta-fonte do transistor.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Verifique a conversão aqui)
Largura do Canal: 10 Micrômetro --> 1E-05 Metro (Verifique a conversão aqui)
Comprimento do Canal: 3 Micrômetro --> 3E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)
Tensão da fonte do portão: 10.3 Volt --> 10.3 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 1.82 Volt --> 1.82 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Id = 1/2*k'n*Wc/L*(Vgs-VT)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(10.3-1.82)^2
Avaliando ... ...
Id = 0.239701333333333
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.239701333333333 Ampere -->239.701333333333 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)
RESPOSTA FINAL
239.701333333333 239.7013 Miliamperes <-- Drenar corrente em NMOS
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

17 Aprimoramento do Canal N Calculadoras

Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS
Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2)
Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta
Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*Tensão da Fonte de Dreno^2)
Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS
Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*Tensão da Fonte de Dreno*(Tensão Overdrive em NMOS-1/2*Tensão da Fonte de Dreno)
Efeito Corporal em NMOS
Vai Mudança na Tensão Limiar = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico))
NMOS como resistência linear
Vai Resistência Linear = Comprimento do Canal/(Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Capacitância de Óxido*Largura do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar))
Drenar corrente quando o NMOS opera como fonte de corrente controlada por tensão
Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2
Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS
Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2
Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS
Vai Parâmetro do Processo de Fabricação = sqrt(2*[Charge-e]*Concentração de Dopagem do Substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacitância de Óxido
Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva
Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão Overdrive em NMOS)^2
Fonte de Dreno de Entrada de Corrente no Limite de Saturação e Região do Triodo do NMOS
Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da Fonte de Dreno)^2
Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS
Vai Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal
Potência total fornecida em NMOS
Vai Fonte de alimentação = Tensão de alimentação*(Drenar corrente em NMOS+Atual)
Resistência de saída da fonte de corrente NMOS dada corrente de dreno
Vai Resistência de saída = Parâmetro do dispositivo/Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal
Corrente de dreno dada NMOS Opera como fonte de corrente controlada por tensão
Vai Parâmetro de Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela
Potência total dissipada em NMOS
Vai Poder Dissipado = Drenar corrente em NMOS^2*Resistência do Canal LIGADO
Tensão positiva dada comprimento do canal em NMOS
Vai Tensão = Parâmetro do dispositivo*Comprimento do Canal
Capacitância de óxido de NMOS
Vai Capacitância de Óxido = (3.45*10^(-11))/Espessura De Óxido

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS Fórmula

Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2
Id = 1/2*k'n*Wc/L*(Vgs-VT)^2

O que é região de saturação?

A segunda região é chamada de “saturação”. É aqui que a corrente base aumentou muito além do ponto em que a junção emissor-base está polarizada para frente. Na verdade, a corrente de base aumentou além do ponto em que pode fazer com que o fluxo da corrente do coletor aumente.

Qual é a condição para um NMOS estar em saturação?

O MOSFET está em saturação quando V (GS)> V (TH) e V (DS)> V (GS) - V (TH). ... Se eu aumentar lentamente a tensão da porta começando de 0, o MOSFET permanece desligado. O LED começa a conduzir uma pequena quantidade de corrente quando a tensão da porta está em torno de 2,5 V ou mais.

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