Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS Calculadora

✖A mobilidade dos elétrons na superfície do canal refere-se à capacidade dos elétrons de se moverem ou conduzirem dentro da camada superficial de um material quando submetidos a um campo elétrico.ⓘ Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal [μ_n]			+10% -10%
✖O campo elétrico ao longo do comprimento do canal é a força por unidade de carga que uma partícula experimenta à medida que se move através do canal.ⓘ Campo elétrico ao longo do comprimento do canal [E_L]			+10% -10%

✖A velocidade de deriva do elétron é devido ao campo elétrico que, por sua vez, faz com que os elétrons do canal se desloquem em direção ao dreno com uma velocidade.ⓘ Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS [v_d]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

✖

Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS

Fórmula

`"v"_{"d"} = "μ"_{"n"}*"E"_{"L"}`

Exemplo

`"23.32m/s"="2.2m²/V*s"*"10.6V"`

Calculadora

LaTeX

Redefinir

👍

Download MOSFET Fórmula PDF PDF Image

Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal
v_d = μ_n*E_L
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Velocidade de deriva de elétrons - (Medido em Metro por segundo) - A velocidade de deriva do elétron é devido ao campo elétrico que, por sua vez, faz com que os elétrons do canal se desloquem em direção ao dreno com uma velocidade.
Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade dos elétrons na superfície do canal refere-se à capacidade dos elétrons de se moverem ou conduzirem dentro da camada superficial de um material quando submetidos a um campo elétrico.
Campo elétrico ao longo do comprimento do canal - (Medido em Volt) - O campo elétrico ao longo do comprimento do canal é a força por unidade de carga que uma partícula experimenta à medida que se move através do canal.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal: 2.2 Metro quadrado por volt por segundo --> 2.2 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Campo elétrico ao longo do comprimento do canal: 10.6 Volt --> 10.6 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

v_d = μ_n*E_L --> 2.2*10.6

Avaliando ... ...

v_d = 23.32

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

23.32 Metro por segundo --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

23.32 Metro por segundo <-- Velocidade de deriva de elétrons

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » MOSFET » Eletrônica Analógica » Aprimoramento do Canal N » Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS

Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 17 Aprimoramento do Canal N Calculadoras

Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2)

Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta

Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*Tensão da Fonte de Dreno*(Tensão Overdrive em NMOS-1/2*Tensão da Fonte de Dreno)

Efeito Corporal em NMOS

Vai Mudança na Tensão Limiar = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico))

NMOS como resistência linear

Vai Resistência Linear = Comprimento do Canal/(Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Capacitância de Óxido*Largura do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar))

Drenar corrente quando o NMOS opera como fonte de corrente controlada por tensão

Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2

Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS

Vai Parâmetro do Processo de Fabricação = sqrt(2*[Charge-e]*Concentração de Dopagem do Substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacitância de Óxido

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão Overdrive em NMOS)^2

Fonte de Dreno de Entrada de Corrente no Limite de Saturação e Região do Triodo do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da Fonte de Dreno)^2

Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS

Vai Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Potência total fornecida em NMOS

Vai Fonte de alimentação = Tensão de alimentação*(Drenar corrente em NMOS+Atual)

Resistência de saída da fonte de corrente NMOS dada corrente de dreno

Vai Resistência de saída = Parâmetro do dispositivo/Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal

Corrente de dreno dada NMOS Opera como fonte de corrente controlada por tensão

Vai Parâmetro de Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela

Potência total dissipada em NMOS

Vai Poder Dissipado = Drenar corrente em NMOS^2*Resistência do Canal LIGADO

Tensão positiva dada comprimento do canal em NMOS

Vai Tensão = Parâmetro do dispositivo*Comprimento do Canal

Capacitância de óxido de NMOS

Vai Capacitância de Óxido = (3.45*10^(-11))/Espessura De Óxido

Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS Fórmula

Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal
v_d = μ_n*E_L

Explique o funcionamento do transistor NMOS.

Um transistor NMOS com a tensão na fonte de gás> tensão limite e com uma pequena tensão aplicada entre o dreno e a fonte. O dispositivo atua como uma resistência cujo valor é determinado pela tensão na fonte de gás. Especificamente, a condutância do canal é proporcional à tensão na fonte de gás - tensão limite e, portanto, Id é proporcional à tensão (tensão na fonte de gás - tensão limite) entre o dreno e a fonte

O que é mobilidade do elétron no canal?

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!