Calculadora A a Z
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Concentração de doadores após Full Scaling VLSI Calculadora
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Otimização de materiais VLSI
Projeto VLSI analógico
✖
A concentração doadora refere-se à concentração de átomos dopantes doadores introduzidos em um material semicondutor para aumentar o número de elétrons livres.
ⓘ
Concentração de doadores [N
D
]
1 por centímetro cúbico
1 por metro cúbico
por litro
por mililitro
+10%
-10%
✖
O fator de escala é definido como a razão pela qual as dimensões do transistor são alteradas durante o processo de projeto.
ⓘ
Fator de escala [Sf]
+10%
-10%
✖
A concentração do doador após o Full Scaling poderia implicar uma consideração de como a concentração de impurezas do doador é afetada pela redução das dimensões do transistor.
ⓘ
Concentração de doadores após Full Scaling VLSI [N
D
']
1 por centímetro cúbico
1 por metro cúbico
por litro
por mililitro
⎘ Cópia De
Degraus
👎
Fórmula
✖
Concentração de doadores após Full Scaling VLSI
Fórmula
`("N"_{"D"}"'") = "N"_{"D"}*"Sf"`
Exemplo
`"1.5E^17/cm³"="1e+17/cm³"*"1.5"`
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Concentração de doadores após Full Scaling VLSI Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Concentração de Doadores após Full Scaling
=
Concentração de doadores
*
Fator de escala
N
D
'
=
N
D
*
Sf
Esta fórmula usa
3
Variáveis
Variáveis Usadas
Concentração de Doadores após Full Scaling
-
(Medido em 1 por metro cúbico)
- A concentração do doador após o Full Scaling poderia implicar uma consideração de como a concentração de impurezas do doador é afetada pela redução das dimensões do transistor.
Concentração de doadores
-
(Medido em 1 por metro cúbico)
- A concentração doadora refere-se à concentração de átomos dopantes doadores introduzidos em um material semicondutor para aumentar o número de elétrons livres.
Fator de escala
- O fator de escala é definido como a razão pela qual as dimensões do transistor são alteradas durante o processo de projeto.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Concentração de doadores:
1E+17 1 por centímetro cúbico --> 1E+23 1 por metro cúbico
(Verifique a conversão
aqui
)
Fator de escala:
1.5 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
N
D
' = N
D
*Sf -->
1E+23*1.5
Avaliando ... ...
N
D
'
= 1.5E+23
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
1.5E+23 1 por metro cúbico -->1.5E+17 1 por centímetro cúbico
(Verifique a conversão
aqui
)
RESPOSTA FINAL
1.5E+17 1 por centímetro cúbico
<--
Concentração de Doadores após Full Scaling
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)
Você está aqui
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Otimização de materiais VLSI
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Concentração de doadores após Full Scaling VLSI
Créditos
Criado por
Priyanka Patel
Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai
(LDCE)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verificado por
Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
<
25 Otimização de materiais VLSI Calculadoras
Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI
Vai
Densidade de carga da região de esgotamento em massa
= -(1-((
Extensão lateral da região de esgotamento com fonte
+
Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno
)/(2*
Comprimento do canal
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Concentração do aceitante
*
abs
(2*
Potencial de Superfície
))
Coeficiente de Efeito Corporal
Vai
Coeficiente de Efeito Corporal
=
modulus
((
Tensão de limiar
-
Tensão Limite DIBL
)/(
sqrt
(
Potencial de Superfície
+(
Diferença potencial do corpo de origem
))-
sqrt
(
Potencial de Superfície
)))
Tensão integrada de junção VLSI
Vai
Tensão interna de junção
= (
[BoltZ]
*
Temperatura
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Concentração do aceitante
*
Concentração de doadores
/(
Concentração Intrínseca
)^2)
Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI
Vai
Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Tensão interna de junção
)/(
[Charge-e]
*
Concentração do aceitante
))
Capacitância Parasítica da Fonte Total
Vai
Fonte de capacitância parasita
= (
Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte
*
Área de Difusão de Fonte
)+(
Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral
*
Perímetro da parede lateral de difusão da fonte
)
Corrente de saturação de canal curto VLSI
Vai
Corrente de saturação de canal curto
=
Largura de banda
*
Velocidade de deriva de elétrons de saturação
*
Capacitância de Óxido por Unidade de Área
*
Tensão da fonte de drenagem de saturação
Corrente de junção
Vai
Corrente de Junção
= (
Potência Estática
/
Tensão do Coletor Base
)-(
Corrente Sublimiar
+
Corrente de contenção
+
Corrente do portão
)
Potencial de Superfície
Vai
Potencial de Superfície
= 2*
Diferença potencial do corpo de origem
*
ln
(
Concentração do aceitante
/
Concentração Intrínseca
)
Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão
Vai
Comprimento do portão
=
Capacitância do portão
/(
Capacitância da camada de óxido de porta
*
Largura do portão
)
Capacitância de Óxido de Porta
Vai
Capacitância da camada de óxido de porta
=
Capacitância do portão
/(
Largura do portão
*
Comprimento do portão
)
Capacitância da porta
Vai
Capacitância do portão
=
Taxa de canal
/(
Tensão do portão para o canal
-
Tensão de limiar
)
Coeficiente DIBL
Vai
Coeficiente DIBL
= (
Tensão Limite DIBL
-
Tensão de limiar
)/
Drenar para Potencial de Fonte
Tensão de limiar
Vai
Tensão de limiar
=
Tensão do portão para o canal
-(
Taxa de canal
/
Capacitância do portão
)
Carga do canal
Vai
Taxa de canal
=
Capacitância do portão
*(
Tensão do portão para o canal
-
Tensão de limiar
)
Tensão Limiar quando a Fonte está no Potencial Corporal
Vai
Tensão Limite DIBL
=
Coeficiente DIBL
*
Drenar para Potencial de Fonte
+
Tensão de limiar
Sublimiar Inclinação
Vai
Inclinação Sublimiar
=
Diferença potencial do corpo de origem
*
Coeficiente DIBL
*
ln
(10)
Capacitância de Óxido após Full Scaling VLSI
Vai
Capacitância de óxido após escala completa
=
Capacitância de Óxido por Unidade de Área
*
Fator de escala
Espessura de óxido de porta após escala completa VLSI
Vai
Espessura do óxido de porta após escala completa
=
Espessura do Óxido de Porta
/
Fator de escala
Capacitância de porta intrínseca
Vai
Capacitância de sobreposição de porta MOS
=
Capacitância da Porta MOS
*
Largura da transição
Tensão Crítica
Vai
Tensão Crítica
=
Campo Elétrico Crítico
*
Campo elétrico ao longo do comprimento do canal
Profundidade da junção após Full Scaling VLSI
Vai
Profundidade da junção após escala completa
=
Profundidade da Junção
/
Fator de escala
Comprimento do canal após Full Scaling VLSI
Vai
Comprimento do canal após escala completa
=
Comprimento do canal
/
Fator de escala
Largura do canal após Full Scaling VLSI
Vai
Largura do canal após escala completa
=
Largura de banda
/
Fator de escala
Mobilidade em Mosfet
Vai
Mobilidade em MOSFET
=
K Prime
/
Capacitância da camada de óxido de porta
K-Prime
Vai
K Prime
=
Mobilidade em MOSFET
*
Capacitância da camada de óxido de porta
Concentração de doadores após Full Scaling VLSI Fórmula
Concentração de Doadores após Full Scaling
=
Concentração de doadores
*
Fator de escala
N
D
'
=
N
D
*
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