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Spenderkonzentration nach vollständiger Skalierung des VLSI Taschenrechner
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VLSI-Materialoptimierung
Analoges VLSI-Design
✖
Unter Donorkonzentration versteht man die Konzentration von Donator-Dotierstoffatomen, die in ein Halbleitermaterial eingebracht werden, um die Anzahl freier Elektronen zu erhöhen.
ⓘ
Spenderkonzentration [N
D
]
1 pro Kubikzentimeter
1 pro Kubikmeter
pro Liter
pro Milliliter
+10%
-10%
✖
Der Skalierungsfaktor ist definiert als das Verhältnis, um das sich die Abmessungen des Transistors während des Designprozesses ändern.
ⓘ
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor [Sf]
+10%
-10%
✖
Die Donorkonzentration nach der vollständigen Skalierung könnte eine Überlegung darüber implizieren, wie die Konzentration der Donorverunreinigungen durch die Verkleinerung der Transistorabmessungen beeinflusst wird.
ⓘ
Spenderkonzentration nach vollständiger Skalierung des VLSI [N
D
']
1 pro Kubikzentimeter
1 pro Kubikmeter
pro Liter
pro Milliliter
⎘ Kopie
Schritte
👎
Formel
✖
Spenderkonzentration nach vollständiger Skalierung des VLSI
Formel
`("N"_{"D"}"'") = "N"_{"D"}*"Sf"`
Beispiel
`"1.5E^17/cm³"="1e+17/cm³"*"1.5"`
Taschenrechner
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Spenderkonzentration nach vollständiger Skalierung des VLSI Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Spenderkonzentration nach vollständiger Skalierung
=
Spenderkonzentration
*
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
N
D
'
=
N
D
*
Sf
Diese formel verwendet
3
Variablen
Verwendete Variablen
Spenderkonzentration nach vollständiger Skalierung
-
(Gemessen in 1 pro Kubikmeter)
- Die Donorkonzentration nach der vollständigen Skalierung könnte eine Überlegung darüber implizieren, wie die Konzentration der Donorverunreinigungen durch die Verkleinerung der Transistorabmessungen beeinflusst wird.
Spenderkonzentration
-
(Gemessen in 1 pro Kubikmeter)
- Unter Donorkonzentration versteht man die Konzentration von Donator-Dotierstoffatomen, die in ein Halbleitermaterial eingebracht werden, um die Anzahl freier Elektronen zu erhöhen.
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
- Der Skalierungsfaktor ist definiert als das Verhältnis, um das sich die Abmessungen des Transistors während des Designprozesses ändern.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Spenderkonzentration:
1E+17 1 pro Kubikzentimeter --> 1E+23 1 pro Kubikmeter
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor:
1.5 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
N
D
' = N
D
*Sf -->
1E+23*1.5
Auswerten ... ...
N
D
'
= 1.5E+23
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1.5E+23 1 pro Kubikmeter -->1.5E+17 1 pro Kubikzentimeter
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1.5E+17 1 pro Kubikzentimeter
<--
Spenderkonzentration nach vollständiger Skalierung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
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Spenderkonzentration nach vollständiger Skalierung des VLSI
Credits
Erstellt von
Priyanka Patel
Lalbhai Dalpatbhai College für Ingenieurwissenschaften
(LDCE)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!
<
25 VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner
Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region (VLSI).
Gehen
Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region
= -(1-((
Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle
+
Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss
)/(2*
Kanallänge
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Akzeptorkonzentration
*
abs
(2*
Oberflächenpotential
))
Body-Effect-Koeffizient
Gehen
Körpereffektkoeffizient
=
modulus
((
Grenzspannung
-
Schwellenspannung DIBL
)/(
sqrt
(
Oberflächenpotential
+(
Potenzialdifferenz des Quellkörpers
))-
sqrt
(
Oberflächenpotential
)))
Anschluss integrierte Spannung VLSI
Gehen
Eingebaute Anschlussspannung
= (
[BoltZ]
*
Temperatur
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Akzeptorkonzentration
*
Spenderkonzentration
/(
Intrinsische Konzentration
)^2)
PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI
Gehen
Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Eingebaute Anschlussspannung
)/(
[Charge-e]
*
Akzeptorkonzentration
))
Parasitäre Gesamtkapazitätsquelle
Gehen
Quelle Parasitäre Kapazität
= (
Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle
*
Bereich der Quellendiffusion
)+(
Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Seitenwand
*
Seitenwandumfang der Quellendiffusion
)
Verbindungsstrom
Gehen
Kreuzungsstrom
= (
Statische Leistung
/
Basiskollektorspannung
)-(
Strom unterhalb des Schwellenwerts
+
Konflikt aktuell
+
Gate-Strom
)
Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI
Gehen
Kurzkanal-Sättigungsstrom
=
Kanalbreite
*
Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit
*
Oxidkapazität pro Flächeneinheit
*
Sättigungs-Drain-Quellenspannung
Oberflächenpotential
Gehen
Oberflächenpotential
= 2*
Potenzialdifferenz des Quellkörpers
*
ln
(
Akzeptorkonzentration
/
Intrinsische Konzentration
)
Oxidkapazität nach vollständiger Skalierung von VLSI
Gehen
Oxidkapazität nach vollständiger Skalierung
=
Oxidkapazität pro Flächeneinheit
*
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Steilheit unter der Schwelle
Gehen
Unterschwellenneigung
=
Potenzialdifferenz des Quellkörpers
*
DIBL-Koeffizient
*
ln
(10)
DIBL-Koeffizient
Gehen
DIBL-Koeffizient
= (
Schwellenspannung DIBL
-
Grenzspannung
)/
Drain-to-Source-Potenzial
Schwellenspannung, wenn die Quelle auf Körperpotential liegt
Gehen
Schwellenspannung DIBL
=
DIBL-Koeffizient
*
Drain-to-Source-Potenzial
+
Grenzspannung
Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung von VLSI
Gehen
Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung
=
Verbindungstiefe
/
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung von VLSI
Gehen
Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung
=
Gate-Oxiddicke
/
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Gate-Länge unter Verwendung der Gate-Oxid-Kapazität
Gehen
Torlänge
=
Gate-Kapazität
/(
Kapazität der Gate-Oxidschicht
*
Torbreite
)
Gate-Oxid-Kapazität
Gehen
Kapazität der Gate-Oxidschicht
=
Gate-Kapazität
/(
Torbreite
*
Torlänge
)
Gate-Kapazität
Gehen
Gate-Kapazität
=
Kanalgebühr
/(
Gate-zu-Kanal-Spannung
-
Grenzspannung
)
Grenzspannung
Gehen
Grenzspannung
=
Gate-zu-Kanal-Spannung
-(
Kanalgebühr
/
Gate-Kapazität
)
Kanalladung
Gehen
Kanalgebühr
=
Gate-Kapazität
*(
Gate-zu-Kanal-Spannung
-
Grenzspannung
)
Kanalbreite nach vollständiger Skalierung von VLSI
Gehen
Kanalbreite nach vollständiger Skalierung
=
Kanalbreite
/
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Kanallänge nach vollständiger Skalierung VLSI
Gehen
Kanallänge nach vollständiger Skalierung
=
Kanallänge
/
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
Kritische Spannung
Gehen
Kritische Spannung
=
Kritisches elektrisches Feld
*
Elektrisches Feld über die Kanallänge
Eigene Gate-Kapazität
Gehen
MOS-Gate-Überlappungskapazität
=
MOS-Gate-Kapazität
*
Übergangsbreite
Mobilität in Mosfet
Gehen
Mobilität im MOSFET
=
K Prime
/
Kapazität der Gate-Oxidschicht
K-Prime
Gehen
K Prime
=
Mobilität im MOSFET
*
Kapazität der Gate-Oxidschicht
Spenderkonzentration nach vollständiger Skalierung des VLSI Formel
Spenderkonzentration nach vollständiger Skalierung
=
Spenderkonzentration
*
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
N
D
'
=
N
D
*
Sf
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