Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET Calculadora

✖A corrente de drenagem de saturação é definida como a corrente sublimiar e varia exponencialmente com a tensão da porta para a fonte.ⓘ Corrente de drenagem de saturação [i_ds]			+10% -10%
✖O parâmetro de transcondutância do processo é o produto da mobilidade dos elétrons no canal e da capacitância do óxido.ⓘ Parâmetro de Transcondutância do Processo [k'_n]			+10% -10%
✖Largura do Canal é a dimensão do canal do MOSFET.ⓘ Largura do canal [W_c]			+10% -10%
✖O comprimento do canal, L, que é a distância entre as duas junções -p.ⓘ Comprimento do canal [L]			+10% -10%

✖Tensão efetiva ou tensão de overdrive é denominada excesso de tensão através do óxido sobre tensão térmica.ⓘ Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET [V_ov]

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Fórmula

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Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET

Fórmula

`"V"_{"ov"} = sqrt(2*"i"_{"ds"}/("k'"_{"n"}*("W"_{"c"}/"L")))`

Exemplo

`"0.122949V"=sqrt(2*"4.721mA"/("0.2A/V²"*("10.15μm"/"3.25μm")))`

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Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tensão Efetiva = sqrt(2*Corrente de drenagem de saturação/(Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)))
V_ov = sqrt(2*i_ds/(k'_n*(W_c/L)))
Esta fórmula usa 1 Funções, 5 Variáveis

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)

Variáveis Usadas

Tensão Efetiva - (Medido em Volt) - Tensão efetiva ou tensão de overdrive é denominada excesso de tensão através do óxido sobre tensão térmica.
Corrente de drenagem de saturação - (Medido em Ampere) - A corrente de drenagem de saturação é definida como a corrente sublimiar e varia exponencialmente com a tensão da porta para a fonte.
Parâmetro de Transcondutância do Processo - (Medido em Ampère por Volt Quadrado) - O parâmetro de transcondutância do processo é o produto da mobilidade dos elétrons no canal e da capacitância do óxido.
Largura do canal - (Medido em Metro) - Largura do Canal é a dimensão do canal do MOSFET.
Comprimento do canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal, L, que é a distância entre as duas junções -p.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Corrente de drenagem de saturação: 4.721 Miliamperes --> 0.004721 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Parâmetro de Transcondutância do Processo: 0.2 Ampère por Volt Quadrado --> 0.2 Ampère por Volt Quadrado Nenhuma conversão necessária
Largura do canal: 10.15 Micrômetro --> 1.015E-05 Metro (Verifique a conversão aqui)
Comprimento do canal: 3.25 Micrômetro --> 3.25E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

V_ov = sqrt(2*i_ds/(k'_n*(W_c/L))) --> sqrt(2*0.004721/(0.2*(1.015E-05/3.25E-06)))

Avaliando ... ...

V_ov = 0.122949186508306

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.122949186508306 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.122949186508306 ≈ 0.122949 Volt <-- Tensão Efetiva

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 18 Características do amplificador transistorizado Calculadoras

Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido

Vai Corrente de saída = (Mobilidade do Elétron*Capacitância de Óxido*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar))*Tensão de saturação entre dreno e fonte

Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET

Vai Tensão Efetiva = sqrt(2*Corrente de drenagem de saturação/(Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)))

Tensão de entrada fornecida Tensão de sinal

Vai Tensão do Componente Fundamental = (Resistência de entrada finita/(Resistência de entrada finita+Resistência do sinal))*Tensão de sinal pequeno

Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão Efetiva)^2

Parâmetro de transcondutância do transistor MOS

Vai Parâmetro de Transcondutância = Corrente de drenagem/((Tensão através do óxido-Tensão de limiar)*Tensão entre Gate e Fonte)

Corrente de drenagem instantânea usando tensão entre o dreno e a fonte

Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar)*Tensão entre Gate e Fonte

Corrente de drenagem do transistor

Vai Corrente de drenagem = (Tensão do Componente Fundamental+Tensão de drenagem instantânea total)/Resistência à drenagem

Tensão de dreno instantânea total

Vai Tensão de drenagem instantânea total = Tensão do Componente Fundamental-Resistência à drenagem*Corrente de drenagem

Tensão de entrada no transistor

Vai Tensão do Componente Fundamental = Resistência à drenagem*Corrente de drenagem-Tensão de drenagem instantânea total

Transcondutância de Amplificadores Transistores

Vai Transcondutância Primária MOSFET = (2*Corrente de drenagem)/(Tensão através do óxido-Tensão de limiar)

Corrente de sinal no emissor dado sinal de entrada

Vai Corrente de sinal no emissor = Tensão do Componente Fundamental/Resistência do emissor

Resistência de entrada do amplificador de coletor comum

Vai Resistência de entrada = Tensão do Componente Fundamental/Corrente Básica

Transcondutância usando a corrente do coletor do amplificador de transistor

Vai Transcondutância Primária MOSFET = Corrente do coletor/Tensão de limiar

Entrada do amplificador do amplificador transistor

Vai Entrada do amplificador = Resistência de entrada*Corrente de entrada

Resistência de saída do circuito de portão comum dada a tensão de teste

Vai Resistência de saída finita = Tensão de teste/Corrente de teste

Corrente de teste do amplificador transistorizado

Vai Corrente de teste = Tensão de teste/Resistência de entrada

Resistência de entrada do circuito de porta comum

Vai Resistência de entrada = Tensão de teste/Corrente de teste

Ganho de corrente DC do amplificador

Vai Ganho de corrente CC = Corrente do coletor/Corrente Básica

Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET Fórmula

Tensão Efetiva = sqrt(2*Corrente de drenagem de saturação/(Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)))
V_ov = sqrt(2*i_ds/(k'_n*(W_c/L)))

Qual é a diferença entre impedância e resistência?

A resistência é simplesmente definida como a oposição ao fluxo de corrente elétrica no circuito. A impedância é a oposição ao fluxo da corrente CA devido a quaisquer três componentes que são resistivos, indutivos ou capacitivos. É uma combinação de resistência e reatância em um circuito.

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