Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação Calculadora

✖O parâmetro de transcondutância do processo é o produto da mobilidade dos elétrons no canal e da capacitância do óxido.ⓘ Parâmetro de Transcondutância do Processo [k'_n]			+10% -10%
✖Largura do Canal é a dimensão do canal do MOSFET.ⓘ Largura do canal [W_c]			+10% -10%
✖O comprimento do canal, L, que é a distância entre as duas junções -p.ⓘ Comprimento do canal [L]			+10% -10%
✖Tensão efetiva ou tensão de overdrive é denominada excesso de tensão através do óxido sobre tensão térmica.ⓘ Tensão Efetiva [V_ov]			+10% -10%

✖A corrente de drenagem de saturação é definida como a corrente sublimiar e varia exponencialmente com a tensão da porta para a fonte.ⓘ Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação [i_ds]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

✖

Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação

Fórmula

`"i"_{"ds"} = 1/2*"k'"_{"n"}*("W"_{"c"}/"L")*("V"_{"ov"})^2`

Exemplo

`"4.724903mA"=1/2*"0.2A/V²"*("10.15μm"/"3.25μm")*("0.123V")^2`

Calculadora

LaTeX

Redefinir

👍

Download Características do amplificador transistorizado Fórmulas PDF PDF Image

Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão Efetiva)^2
i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Corrente de drenagem de saturação - (Medido em Ampere) - A corrente de drenagem de saturação é definida como a corrente sublimiar e varia exponencialmente com a tensão da porta para a fonte.
Parâmetro de Transcondutância do Processo - (Medido em Ampère por Volt Quadrado) - O parâmetro de transcondutância do processo é o produto da mobilidade dos elétrons no canal e da capacitância do óxido.
Largura do canal - (Medido em Metro) - Largura do Canal é a dimensão do canal do MOSFET.
Comprimento do canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal, L, que é a distância entre as duas junções -p.
Tensão Efetiva - (Medido em Volt) - Tensão efetiva ou tensão de overdrive é denominada excesso de tensão através do óxido sobre tensão térmica.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Parâmetro de Transcondutância do Processo: 0.2 Ampère por Volt Quadrado --> 0.2 Ampère por Volt Quadrado Nenhuma conversão necessária
Largura do canal: 10.15 Micrômetro --> 1.015E-05 Metro (Verifique a conversão aqui)
Comprimento do canal: 3.25 Micrômetro --> 3.25E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)
Tensão Efetiva: 0.123 Volt --> 0.123 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2 --> 1/2*0.2*(1.015E-05/3.25E-06)*(0.123)^2

Avaliando ... ...

i_ds = 0.00472490307692308

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.00472490307692308 Ampere -->4.72490307692308 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

4.72490307692308 ≈ 4.724903 Miliamperes <-- Corrente de drenagem de saturação

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » Amplificadores » Amplificadores de transistor » Características do amplificador transistorizado » Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação

Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 18 Características do amplificador transistorizado Calculadoras

Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido

Vai Corrente de saída = (Mobilidade do Elétron*Capacitância de Óxido*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar))*Tensão de saturação entre dreno e fonte

Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET

Vai Tensão Efetiva = sqrt(2*Corrente de drenagem de saturação/(Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)))

Tensão de entrada fornecida Tensão de sinal

Vai Tensão do Componente Fundamental = (Resistência de entrada finita/(Resistência de entrada finita+Resistência do sinal))*Tensão de sinal pequeno

Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão Efetiva)^2

Parâmetro de transcondutância do transistor MOS

Vai Parâmetro de Transcondutância = Corrente de drenagem/((Tensão através do óxido-Tensão de limiar)*Tensão entre Gate e Fonte)

Corrente de drenagem instantânea usando tensão entre o dreno e a fonte

Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar)*Tensão entre Gate e Fonte

Corrente de drenagem do transistor

Vai Corrente de drenagem = (Tensão do Componente Fundamental+Tensão de drenagem instantânea total)/Resistência à drenagem

Tensão de dreno instantânea total

Vai Tensão de drenagem instantânea total = Tensão do Componente Fundamental-Resistência à drenagem*Corrente de drenagem

Tensão de entrada no transistor

Vai Tensão do Componente Fundamental = Resistência à drenagem*Corrente de drenagem-Tensão de drenagem instantânea total

Transcondutância de Amplificadores Transistores

Vai Transcondutância Primária MOSFET = (2*Corrente de drenagem)/(Tensão através do óxido-Tensão de limiar)

Corrente de sinal no emissor dado sinal de entrada

Vai Corrente de sinal no emissor = Tensão do Componente Fundamental/Resistência do emissor

Resistência de entrada do amplificador de coletor comum

Vai Resistência de entrada = Tensão do Componente Fundamental/Corrente Básica

Transcondutância usando a corrente do coletor do amplificador de transistor

Vai Transcondutância Primária MOSFET = Corrente do coletor/Tensão de limiar

Entrada do amplificador do amplificador transistor

Vai Entrada do amplificador = Resistência de entrada*Corrente de entrada

Resistência de saída do circuito de portão comum dada a tensão de teste

Vai Resistência de saída finita = Tensão de teste/Corrente de teste

Corrente de teste do amplificador transistorizado

Vai Corrente de teste = Tensão de teste/Resistência de entrada

Resistência de entrada do circuito de porta comum

Vai Resistência de entrada = Tensão de teste/Corrente de teste

Ganho de corrente DC do amplificador

Vai Ganho de corrente CC = Corrente do coletor/Corrente Básica

Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação Fórmula

Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão Efetiva)^2
i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2

O que é dreno de corrente no MOSFET?

A corrente de drenagem abaixo da tensão limite é definida como a corrente subliminar e varia exponencialmente com Vgs. O recíproco da inclinação do log (Ids) vs. característica Vgs é definido como a inclinação do sublimiar, S, e é uma das métricas de desempenho mais críticas para MOSFETs em aplicativos lógicos.

Quanta corrente um MOSFET pode suportar?

MOSFETs de alta amperagem como o 511-STP200N3LL dizem que podem lidar com 120 Amps de corrente. O Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou MOSFET para abreviar, tem uma resistência de porta de entrada extremamente alta com a corrente fluindo através do canal entre a fonte e o dreno é controlada pela tensão de porta.

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!