Capacitância de porta intrínseca Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Capacitância de sobreposição de porta MOS = Capacitância da Porta MOS*Largura da transição
Cmos = Cgcs*W
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Capacitância de sobreposição de porta MOS - (Medido em Farad) - A capacitância de sobreposição de porta MOS é uma capacitância que vem da construção do próprio dispositivo e geralmente está associada às suas junções PN internas.
Capacitância da Porta MOS - (Medido em Farad) - A capacitância da porta MOS é um fator importante no cálculo da capacitância de sobreposição da porta.
Largura da transição - (Medido em Metro) - A largura de transição é definida como o aumento na largura quando a tensão do dreno para a fonte aumenta, resultando na transição da região do triodo para a região de saturação.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Capacitância da Porta MOS: 20.04 Microfarad --> 2.004E-05 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Largura da transição: 89.82 Milímetro --> 0.08982 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Cmos = Cgcs*W --> 2.004E-05*0.08982
Avaliando ... ...
Cmos = 1.7999928E-06
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
1.7999928E-06 Farad -->1.7999928 Microfarad (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
1.7999928 1.799993 Microfarad <-- Capacitância de sobreposição de porta MOS
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

25 Otimização de materiais VLSI Calculadoras

Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI
​ Vai Densidade de carga da região de esgotamento em massa = -(1-((Extensão lateral da região de esgotamento com fonte+Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno)/(2*Comprimento do canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentração do aceitante*abs(2*Potencial de Superfície))
Coeficiente de Efeito Corporal
​ Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))
Tensão integrada de junção VLSI
​ Vai Tensão interna de junção = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentração do aceitante*Concentração de doadores/(Concentração Intrínseca)^2)
Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI
​ Vai Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensão interna de junção)/([Charge-e]*Concentração do aceitante))
Capacitância Parasítica da Fonte Total
​ Vai Fonte de capacitância parasita = (Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte*Área de Difusão de Fonte)+(Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral*Perímetro da parede lateral de difusão da fonte)
Corrente de saturação de canal curto VLSI
​ Vai Corrente de saturação de canal curto = Largura de banda*Velocidade de deriva de elétrons de saturação*Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Tensão da fonte de drenagem de saturação
Corrente de junção
​ Vai Corrente de Junção = (Potência Estática/Tensão do Coletor Base)-(Corrente Sublimiar+Corrente de contenção+Corrente do portão)
Potencial de Superfície
​ Vai Potencial de Superfície = 2*Diferença potencial do corpo de origem*ln(Concentração do aceitante/Concentração Intrínseca)
Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão
​ Vai Comprimento do portão = Capacitância do portão/(Capacitância da camada de óxido de porta*Largura do portão)
Capacitância de Óxido de Porta
​ Vai Capacitância da camada de óxido de porta = Capacitância do portão/(Largura do portão*Comprimento do portão)
Capacitância da porta
​ Vai Capacitância do portão = Taxa de canal/(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)
Coeficiente DIBL
​ Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte
Tensão de limiar
​ Vai Tensão de limiar = Tensão do portão para o canal-(Taxa de canal/Capacitância do portão)
Carga do canal
​ Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)
Tensão Limiar quando a Fonte está no Potencial Corporal
​ Vai Tensão Limite DIBL = Coeficiente DIBL*Drenar para Potencial de Fonte+Tensão de limiar
Sublimiar Inclinação
​ Vai Inclinação Sublimiar = Diferença potencial do corpo de origem*Coeficiente DIBL*ln(10)
Capacitância de Óxido após Full Scaling VLSI
​ Vai Capacitância de óxido após escala completa = Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Fator de escala
Espessura de óxido de porta após escala completa VLSI
​ Vai Espessura do óxido de porta após escala completa = Espessura do Óxido de Porta/Fator de escala
Capacitância de porta intrínseca
​ Vai Capacitância de sobreposição de porta MOS = Capacitância da Porta MOS*Largura da transição
Tensão Crítica
​ Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal
Profundidade da junção após Full Scaling VLSI
​ Vai Profundidade da junção após escala completa = Profundidade da Junção/Fator de escala
Comprimento do canal após Full Scaling VLSI
​ Vai Comprimento do canal após escala completa = Comprimento do canal/Fator de escala
Largura do canal após Full Scaling VLSI
​ Vai Largura do canal após escala completa = Largura de banda/Fator de escala
Mobilidade em Mosfet
​ Vai Mobilidade em MOSFET = K Prime/Capacitância da camada de óxido de porta
K-Prime
​ Vai K Prime = Mobilidade em MOSFET*Capacitância da camada de óxido de porta

Capacitância de porta intrínseca Fórmula

Capacitância de sobreposição de porta MOS = Capacitância da Porta MOS*Largura da transição
Cmos = Cgcs*W

Qual é a necessidade de doping no CMOS?

A dopagem na tecnologia CMOS é usada para introduzir impurezas no material semicondutor para alterar suas propriedades elétricas. Ao adicionar dopantes, o número de portadores de carga livres (elétrons ou lacunas) pode ser aumentado, o que permite maior controle sobre o comportamento elétrico do dispositivo. Isso é essencial para a criação de circuitos CMOS de alto desempenho que usam transistores tipo n e tipo p.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!