Corrente de drenagem geral do transistor PMOS Calculadora

✖O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.ⓘ Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonteⓘ Proporção da tela [WL]			+10% -10%
✖A tensão entre porta e fonte de um transistor de efeito de campo (FET) é conhecida como tensão porta-fonte (VGS). É um parâmetro importante que afeta a operação do FET.ⓘ Tensão entre Gate e Source [V_GS]			+10% -10%
✖A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.ⓘ Tensão de limiar [V_T]			+10% -10%
✖A tensão entre o dreno e a fonte é um parâmetro chave na operação de um transistor de efeito de campo (FET) e é frequentemente chamada de "tensão dreno-fonte" ou VDS.ⓘ Tensão entre Dreno e Fonte [V_DS]			+10% -10%
✖A tensão inicial é totalmente dependente da tecnologia de processo, com as dimensões de volts por mícron.ⓘ Tensão inicial [V_a]			+10% -10%

✖A corrente de dreno é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).ⓘ Corrente de drenagem geral do transistor PMOS [I_d]

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Fórmula

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Corrente de drenagem geral do transistor PMOS

Fórmula

`"I"_{"d"} = 1/2*"k'"_{"p"}*"WL"*("V"_{"GS"}-"modulus"("V"_{"T"}))^2*(1+"V"_{"DS"}/"modulus"("V"_{"a"}))`

Exemplo

`"30.83355mA"=1/2*"2.1mS"*"6"*("2.86V"-"modulus"("0.7V"))^2*(1+"2.45V"/"modulus"("50V"))`

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Corrente de drenagem geral do transistor PMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Drenar Corrente = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2*(1+Tensão entre Dreno e Fonte/modulus(Tensão inicial))
I_d = 1/2*k'_p*WL*(V_GS-modulus(V_T))^2*(1+V_DS/modulus(V_a))
Esta fórmula usa 1 Funções, 7 Variáveis

Funções usadas

modulus - O módulo de um número é o resto quando esse número é dividido por outro número., modulus

Variáveis Usadas

Drenar Corrente - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).
Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS - (Medido em Siemens) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Proporção da tela - A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonte
Tensão entre Gate e Source - (Medido em Volt) - A tensão entre porta e fonte de um transistor de efeito de campo (FET) é conhecida como tensão porta-fonte (VGS). É um parâmetro importante que afeta a operação do FET.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.
Tensão entre Dreno e Fonte - (Medido em Volt) - A tensão entre o dreno e a fonte é um parâmetro chave na operação de um transistor de efeito de campo (FET) e é frequentemente chamada de "tensão dreno-fonte" ou VDS.
Tensão inicial - (Medido em Volt) - A tensão inicial é totalmente dependente da tecnologia de processo, com as dimensões de volts por mícron.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS: 2.1 Millisiemens --> 0.0021 Siemens (Verifique a conversão aqui)
Proporção da tela: 6 --> Nenhuma conversão necessária
Tensão entre Gate e Source: 2.86 Volt --> 2.86 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão entre Dreno e Fonte: 2.45 Volt --> 2.45 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão inicial: 50 Volt --> 50 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

I_d = 1/2*k'_p*WL*(V_GS-modulus(V_T))^2*(1+V_DS/modulus(V_a)) --> 1/2*0.0021*6*(2.86-modulus(0.7))^2*(1+2.45/modulus(50))

Avaliando ... ...

I_d = 0.03083355072

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.03083355072 Ampere -->30.83355072 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

30.83355072 ≈ 30.83355 Miliamperes <-- Drenar Corrente

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 14 Aprimoramento do Canal P Calculadoras

Corrente de drenagem geral do transistor PMOS

Vai Drenar Corrente = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2*(1+Tensão entre Dreno e Fonte/modulus(Tensão inicial))

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2)

Efeito corporal em PMOS

Vai Mudança na Tensão Limiar = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico))

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd

Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(modulus(Tensão efetiva)-1/2*Tensão entre Dreno e Fonte)*Tensão entre Dreno e Fonte

Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2

Parâmetro de efeito Backgate em PMOS

Vai Parâmetro do Efeito Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentração de Doadores)/Capacitância de Óxido

Corrente de dreno da fonte para o dreno

Vai Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal)

Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS

Vai Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar-Tensão entre Dreno e Fonte)

Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão efetiva)^2

Corrente no canal de inversão do PMOS

Vai Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Velocidade de deriva da inversão)

Carga da Camada de Inversão em PMOS

Vai Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar)

Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade

Vai Velocidade de deriva da inversão = Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal

Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS

Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS = Mobilidade de Furos no Canal*Capacitância de Óxido

Tensão Overdrive do PMOS

Vai Tensão efetiva = Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar)

Corrente de drenagem geral do transistor PMOS Fórmula

O que é dreno de corrente no MOSFET?

A corrente de drenagem abaixo da tensão limite é definida como a corrente subliminar e varia exponencialmente com Vgs. A recíproca da inclinação do log (Ids) vs. característica Vgs é definida como a inclinação do sublimiar, S, e é uma das métricas de desempenho mais críticas para MOSFETs em aplicativos lógicos.

De que maneira a corrente flui em um PMOS?

Em um NMOS, os elétrons são os portadores de carga. Assim, os elétrons viajam da Fonte para o Dreno (o que significa que a corrente vai de Dreno> Fonte). Em um PMOS, os buracos são os portadores de carga. Assim, os buracos viajam da Fonte para o Dreno.

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