Mudança de fase no circuito RC de saída Calculadora

✖A reatância capacitiva de um capacitor é inversamente proporcional à frequência do sinal CA. Isto significa que à medida que a frequência aumenta, a reatância capacitiva diminui.ⓘ Reatância capacitiva [X_c]			+10% -10%
✖Resistência é a oposição ao fluxo de corrente em um circuito elétrico. É medido em ohms. Quanto maior a resistência, maior a oposição ao fluxo de corrente.ⓘ Resistência [R_s]			+10% -10%
✖A resistência de carga é a resistência externa conectada entre o terminal de drenagem do MOSFET e a tensão da fonte de alimentação.ⓘ Resistência de carga [R_L]			+10% -10%

✖A mudança de fase é o deslocamento horizontal de uma forma de onda em relação à sua posição original. É medido em graus ou radianos e pode ser positivo ou negativo.ⓘ Mudança de fase no circuito RC de saída [θ]

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Fórmula

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Mudança de fase no circuito RC de saída

Fórmula

`"θ" = arctan("X"_{"c"}/("R"_{"s"}+"R"_{"L"}))`

Exemplo

`"0.000398°"=arctan("0.002Ω"/("7.9Ω"+"0.28kΩ"))`

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Mudança de fase no circuito RC de saída Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Mudança de fase = arctan(Reatância capacitiva/(Resistência+Resistência de carga))
θ = arctan(X_c/(R_s+R_L))
Esta fórmula usa 3 Funções, 4 Variáveis

Funções usadas

tan - A tangente de um ângulo é uma razão trigonométrica entre o comprimento do lado oposto a um ângulo e o comprimento do lado adjacente a um ângulo em um triângulo retângulo., tan(Angle)
ctan - Cotangente é uma função trigonométrica definida como a razão entre o lado adjacente e o lado oposto em um triângulo retângulo., ctan(Angle)
arctan - Funções trigonométricas inversas são geralmente acompanhadas pelo prefixo - arco. Matematicamente, representamos arctan ou a função tangente inversa como tan-1 x ou arctan(x)., arctan(Number)

Variáveis Usadas

Mudança de fase - (Medido em Radiano) - A mudança de fase é o deslocamento horizontal de uma forma de onda em relação à sua posição original. É medido em graus ou radianos e pode ser positivo ou negativo.
Reatância capacitiva - (Medido em Ohm) - A reatância capacitiva de um capacitor é inversamente proporcional à frequência do sinal CA. Isto significa que à medida que a frequência aumenta, a reatância capacitiva diminui.
Resistência - (Medido em Ohm) - Resistência é a oposição ao fluxo de corrente em um circuito elétrico. É medido em ohms. Quanto maior a resistência, maior a oposição ao fluxo de corrente.
Resistência de carga - (Medido em Ohm) - A resistência de carga é a resistência externa conectada entre o terminal de drenagem do MOSFET e a tensão da fonte de alimentação.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Reatância capacitiva: 0.002 Ohm --> 0.002 Ohm Nenhuma conversão necessária
Resistência: 7.9 Ohm --> 7.9 Ohm Nenhuma conversão necessária
Resistência de carga: 0.28 Quilohm --> 280 Ohm (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

θ = arctan(X_c/(R_s+R_L)) --> arctan(0.002/(7.9+280))

Avaliando ... ...

θ = 6.94685654730055E-06

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

6.94685654730055E-06 Radiano -->0.000398025561043219 Grau (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

0.000398025561043219 ≈ 0.000398 Grau <-- Mudança de fase

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Suma Madhuri

Universidade VIT (VITA), Chennai

Suma Madhuri criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

< 15 Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Condutância do Canal de MOSFETs

Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*(Largura de banda/Comprimento do canal)*Tensão através do Óxido

Frequência de Transição do MOSFET

Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))

Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET

Vai Carga do Elétron no Canal = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal*Tensão Efetiva

Frequência crítica mais baixa do Mosfet

Vai Frequência de canto = 1/(2*pi*(Resistência+Resistência de entrada)*Capacitância)

Mudança de fase no circuito RC de saída

Vai Mudança de fase = arctan(Reatância capacitiva/(Resistência+Resistência de carga))

Largura do portão para o canal de origem do MOSFET

Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)

Capacitância de sobreposição do MOSFET

Vai Capacitância de sobreposição = Largura de banda*Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição

Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs

Vai Capacitância do canal de porta = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal

Saída Miller Capacitância Mosfet

Vai Capacitância Miller de saída = Capacitância Gate-Dreno*((Ganho de tensão+1)/Ganho de tensão)

Frequência crítica em circuito RC de entrada de alta frequência

Vai Frequência de canto = 1/(2*pi*Resistência de entrada*Capacitância de Miller)

Mudança de fase no circuito RC de entrada

Vai Mudança de fase = arctan(Reatância capacitiva/Resistência de entrada)

Reatância capacitiva do Mosfet

Vai Reatância capacitiva = 1/(2*pi*Frequência*Capacitância)

Capacitância de Miller do Mosfet

Vai Capacitância de Miller = Capacitância Gate-Dreno*(Ganho de tensão+1)

Frequência Crítica do Mosfet

Vai Frequência Crítica em decibéis = 10*log10(Frequência Crítica)

Atenuação do Circuito RC

Vai Atenuação = Tensão Base/Tensão de entrada

Mudança de fase no circuito RC de saída Fórmula

Mudança de fase = arctan(Reatância capacitiva/(Resistência+Resistência de carga))
θ = arctan(X_c/(R_s+R_L))

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