Sfasamento nel circuito RC di uscita calcolatrice

✖La reattanza capacitiva di un condensatore è inversamente proporzionale alla frequenza del segnale CA. Ciò significa che all'aumentare della frequenza, la reattanza capacitiva diminuisce.ⓘ Reattanza capacitiva [X_c]			+10% -10%
✖La resistenza è l'opposizione al flusso di corrente in un circuito elettrico. Si misura in ohm. Maggiore è la resistenza, maggiore è l'opposizione al flusso di corrente.ⓘ Resistenza [R_s]			+10% -10%
✖La resistenza di carico è la resistenza esterna collegata tra il terminale di drain del MOSFET e la tensione di alimentazione.ⓘ Resistenza al carico [R_L]			+10% -10%

✖Lo spostamento di fase è lo spostamento orizzontale di una forma d'onda rispetto alla sua posizione originale. Si misura in gradi o radianti e può essere positivo o negativo.ⓘ Sfasamento nel circuito RC di uscita [θ]

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Formula

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Sfasamento nel circuito RC di uscita

Formula

`"θ" = arctan("X"_{"c"}/("R"_{"s"}+"R"_{"L"}))`

Esempio

`"0.000398°"=arctan("0.002Ω"/("7.9Ω"+"0.28kΩ"))`

Calcolatrice

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Sfasamento nel circuito RC di uscita Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/(Resistenza+Resistenza al carico))
θ = arctan(X_c/(R_s+R_L))
Questa formula utilizza 3 Funzioni, 4 Variabili

Funzioni utilizzate

tan - La tangente di un angolo è il rapporto trigonometrico tra la lunghezza del lato opposto all'angolo e la lunghezza del lato adiacente all'angolo in un triangolo rettangolo., tan(Angle)
ctan - La cotangente è una funzione trigonometrica definita come il rapporto tra il lato adiacente e il lato opposto in un triangolo rettangolo., ctan(Angle)
arctan - Le funzioni trigonometriche inverse sono solitamente accompagnate dal prefisso - arco. Matematicamente, rappresentiamo arctan o la funzione tangente inversa come tan-1 x o arctan(x)., arctan(Number)

Variabili utilizzate

Sfasamento - (Misurato in Radiante) - Lo spostamento di fase è lo spostamento orizzontale di una forma d'onda rispetto alla sua posizione originale. Si misura in gradi o radianti e può essere positivo o negativo.
Reattanza capacitiva - (Misurato in Ohm) - La reattanza capacitiva di un condensatore è inversamente proporzionale alla frequenza del segnale CA. Ciò significa che all'aumentare della frequenza, la reattanza capacitiva diminuisce.
Resistenza - (Misurato in Ohm) - La resistenza è l'opposizione al flusso di corrente in un circuito elettrico. Si misura in ohm. Maggiore è la resistenza, maggiore è l'opposizione al flusso di corrente.
Resistenza al carico - (Misurato in Ohm) - La resistenza di carico è la resistenza esterna collegata tra il terminale di drain del MOSFET e la tensione di alimentazione.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Reattanza capacitiva: 0.002 Ohm --> 0.002 Ohm Nessuna conversione richiesta
Resistenza: 7.9 Ohm --> 7.9 Ohm Nessuna conversione richiesta
Resistenza al carico: 0.28 Kilohm --> 280 Ohm (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

θ = arctan(X_c/(R_s+R_L)) --> arctan(0.002/(7.9+280))

Valutare ... ...

θ = 6.94685654730055E-06

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

6.94685654730055E-06 Radiante -->0.000398025561043219 Grado (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.000398025561043219 ≈ 0.000398 Grado <-- Sfasamento

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Suma Madhuri

Università VIT (VIT), Chennai

Suma Madhuri ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

< 15 Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Conduttanza del canale dei MOSFET

Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*Tensione attraverso l'ossido

Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET

Partire Carica elettronica nel canale = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale*Tensione effettiva

Frequenza di transizione del MOSFET

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Frequenza critica inferiore del Mosfet

Partire Frequenza d'angolo = 1/(2*pi*(Resistenza+Resistenza in ingresso)*Capacità)

Sfasamento nel circuito RC di uscita

Partire Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/(Resistenza+Resistenza al carico))

Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET

Partire Larghezza del canale = Capacità di sovrapposizione/(Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione)

Capacità di sovrapposizione del MOSFET

Partire Capacità di sovrapposizione = Larghezza del canale*Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione

Mosfet di capacità Miller di uscita

Partire Capacità Miller di uscita = Capacità di gate-drain*((Guadagno di tensione+1)/Guadagno di tensione)

Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET

Partire Capacità del canale di gate = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale

Frequenza critica nel circuito RC di ingresso ad alta frequenza

Partire Frequenza d'angolo = 1/(2*pi*Resistenza in ingresso*Capacità di Miller)

Sfasamento nel circuito RC di ingresso

Partire Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/Resistenza in ingresso)

Reattanza capacitiva del Mosfet

Partire Reattanza capacitiva = 1/(2*pi*Frequenza*Capacità)

Capacità Miller del Mosfet

Partire Capacità di Miller = Capacità di gate-drain*(Guadagno di tensione+1)

Frequenza critica del Mosfet

Partire Frequenza critica in decible = 10*log10(Frequenza critica)

Attenuazione del circuito RC

Partire Attenuazione = Tensione di base/Tensione di ingresso

Sfasamento nel circuito RC di uscita Formula

Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/(Resistenza+Resistenza al carico))
θ = arctan(X_c/(R_s+R_L))

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