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Phasenverschiebung im Ausgangs-RC-Schaltkreis Taschenrechner
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P-Kanal-Verbesserung
Steilheit
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Voreingenommenheit
Widerstand
✖
Die kapazitive Reaktanz eines Kondensators ist umgekehrt proportional zur Frequenz des Wechselstromsignals. Das bedeutet, dass mit zunehmender Frequenz die kapazitive Reaktanz abnimmt.
ⓘ
Kapazitive Reaktanz [X
c
]
Abohm
EMU von Widerstands
ESU der Widerstands
Exaohm
Gigaohm
Kiloohm
Megahm
Mikroohm
Milliohm
Nanohm
Ohm
Petaohm
Planck-Impedanz
Quanten-Hall-Widerstand
Reziproker Siemens
Statohm
Volt pro Ampere
Yottaohm
Zettaohm
+10%
-10%
✖
Widerstand ist der Widerstand gegen den Stromfluss in einem Stromkreis. Sie wird in Ohm gemessen. Je höher der Widerstand, desto größer ist der Widerstand gegen den Stromfluss.
ⓘ
Widerstand [R
s
]
Abohm
EMU von Widerstands
ESU der Widerstands
Exaohm
Gigaohm
Kiloohm
Megahm
Mikroohm
Milliohm
Nanohm
Ohm
Petaohm
Planck-Impedanz
Quanten-Hall-Widerstand
Reziproker Siemens
Statohm
Volt pro Ampere
Yottaohm
Zettaohm
+10%
-10%
✖
Der Lastwiderstand ist der externe Widerstand, der zwischen dem Drain-Anschluss des MOSFET und der Versorgungsspannung angeschlossen ist.
ⓘ
Lastwiderstand [R
L
]
Abohm
EMU von Widerstands
ESU der Widerstands
Exaohm
Gigaohm
Kiloohm
Megahm
Mikroohm
Milliohm
Nanohm
Ohm
Petaohm
Planck-Impedanz
Quanten-Hall-Widerstand
Reziproker Siemens
Statohm
Volt pro Ampere
Yottaohm
Zettaohm
+10%
-10%
✖
Phasenverschiebung ist die horizontale Verschiebung einer Wellenform relativ zu ihrer ursprünglichen Position. Sie wird in Grad oder Bogenmaß gemessen und kann entweder positiv oder negativ sein.
ⓘ
Phasenverschiebung im Ausgangs-RC-Schaltkreis [θ]
Kreis
Zyklus
Grad
Gon
Gradian
Mil
Milliradiant
Minute
Bogenminuten
Punkt
Quadrant
Viertelkreis
Bogenmaß
Revolution
Rechter Winkel
Zweite
Halbkreis
Sextant
Schild
Wende
⎘ Kopie
Schritte
👎
Formel
✖
Phasenverschiebung im Ausgangs-RC-Schaltkreis
Formel
`"θ" = arctan("X"_{"c"}/("R"_{"s"}+"R"_{"L"}))`
Beispiel
`"0.000398°"=arctan("0.002Ω"/("7.9Ω"+"0.28kΩ"))`
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Herunterladen MOSFET Formel Pdf
Phasenverschiebung im Ausgangs-RC-Schaltkreis Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Phasenverschiebung
=
arctan
(
Kapazitive Reaktanz
/(
Widerstand
+
Lastwiderstand
))
θ
=
arctan
(
X
c
/(
R
s
+
R
L
))
Diese formel verwendet
3
Funktionen
,
4
Variablen
Verwendete Funktionen
tan
- Der Tangens eines Winkels ist ein trigonometrisches Verhältnis der Länge der einem Winkel gegenüberliegenden Seite zur Länge der einem Winkel benachbarten Seite in einem rechtwinkligen Dreieck., tan(Angle)
ctan
- Der Kotangens ist eine trigonometrische Funktion, die als das Verhältnis der benachbarten Seite zur gegenüberliegenden Seite in einem rechtwinkligen Dreieck definiert ist., ctan(Angle)
arctan
- Inverse trigonometrische Funktionen werden normalerweise vom Präfix arc begleitet. Mathematisch stellen wir Arctan oder die Umkehrtangensfunktion als tan-1 x oder Arctan(x) dar., arctan(Number)
Verwendete Variablen
Phasenverschiebung
-
(Gemessen in Bogenmaß)
- Phasenverschiebung ist die horizontale Verschiebung einer Wellenform relativ zu ihrer ursprünglichen Position. Sie wird in Grad oder Bogenmaß gemessen und kann entweder positiv oder negativ sein.
Kapazitive Reaktanz
-
(Gemessen in Ohm)
- Die kapazitive Reaktanz eines Kondensators ist umgekehrt proportional zur Frequenz des Wechselstromsignals. Das bedeutet, dass mit zunehmender Frequenz die kapazitive Reaktanz abnimmt.
Widerstand
-
(Gemessen in Ohm)
- Widerstand ist der Widerstand gegen den Stromfluss in einem Stromkreis. Sie wird in Ohm gemessen. Je höher der Widerstand, desto größer ist der Widerstand gegen den Stromfluss.
Lastwiderstand
-
(Gemessen in Ohm)
- Der Lastwiderstand ist der externe Widerstand, der zwischen dem Drain-Anschluss des MOSFET und der Versorgungsspannung angeschlossen ist.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Kapazitive Reaktanz:
0.002 Ohm --> 0.002 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Widerstand:
7.9 Ohm --> 7.9 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Lastwiderstand:
0.28 Kiloohm --> 280 Ohm
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
θ = arctan(X
c
/(R
s
+R
L
)) -->
arctan
(0.002/(7.9+280))
Auswerten ... ...
θ
= 6.94685654730055E-06
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
6.94685654730055E-06 Bogenmaß -->0.000398025561043219 Grad
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.000398025561043219
≈
0.000398 Grad
<--
Phasenverschiebung
(Berechnung in 00.008 sekunden abgeschlossen)
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Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell
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Phasenverschiebung im Ausgangs-RC-Schaltkreis
Credits
Erstellt von
Suma Madhuri
VIT-Universität
(VIT)
,
Chennai
Suma Madhuri hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Parminder Singh
Chandigarh-Universität
(KU)
,
Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!
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15 Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner
Leitwert des Kanals von MOSFETs
Gehen
Leitfähigkeit des Kanals
=
Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals
*
Oxidkapazität
*(
Kanalbreite
/
Kanallänge
)*
Spannung über Oxid
Größe der Elektronenladung im Kanal des MOSFET
Gehen
Elektronenladung im Kanal
=
Oxidkapazität
*
Kanalbreite
*
Kanallänge
*
Effektive Spannung
Übergangsfrequenz des MOSFET
Gehen
Übergangsfrequenz
=
Steilheit
/(2*
pi
*(
Source-Gate-Kapazität
+
Gate-Drain-Kapazität
))
Phasenverschiebung im Ausgangs-RC-Schaltkreis
Gehen
Phasenverschiebung
=
arctan
(
Kapazitive Reaktanz
/(
Widerstand
+
Lastwiderstand
))
Untere kritische Frequenz des Mosfet
Gehen
Eckfrequenz
= 1/(2*
pi
*(
Widerstand
+
Eingangswiderstand
)*
Kapazität
)
Ausgangs-Miller-Kapazitäts-MOSFET
Gehen
Ausgangs-Miller-Kapazität
=
Gate-Drain-Kapazität
*((
Spannungsverstärkung
+1)/
Spannungsverstärkung
)
Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET
Gehen
Kanalbreite
=
Überlappungskapazität
/(
Oxidkapazität
*
Überlappungslänge
)
Phasenverschiebung im Eingangs-RC-Schaltkreis
Gehen
Phasenverschiebung
=
arctan
(
Kapazitive Reaktanz
/
Eingangswiderstand
)
Überlappungskapazität des MOSFET
Gehen
Überlappungskapazität
=
Kanalbreite
*
Oxidkapazität
*
Überlappungslänge
Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang
Gehen
Eckfrequenz
= 1/(2*
pi
*
Eingangswiderstand
*
Miller-Kapazität
)
Gesamtkapazität zwischen Gate und Kanal von MOSFETs
Gehen
Gate-Kanalkapazität
=
Oxidkapazität
*
Kanalbreite
*
Kanallänge
Kapazitive Reaktanz von Mosfet
Gehen
Kapazitive Reaktanz
= 1/(2*
pi
*
Frequenz
*
Kapazität
)
Miller-Kapazität von Mosfet
Gehen
Miller-Kapazität
=
Gate-Drain-Kapazität
*(
Spannungsverstärkung
+1)
Kritische Frequenz von Mosfet
Gehen
Kritische Frequenz in Dezibel
= 10*
log10
(
Kritische Frequenz
)
Dämpfung des RC-Schaltkreises
Gehen
Dämpfung
=
Basisspannung
/
Eingangsspannung
Phasenverschiebung im Ausgangs-RC-Schaltkreis Formel
Phasenverschiebung
=
arctan
(
Kapazitive Reaktanz
/(
Widerstand
+
Lastwiderstand
))
θ
=
arctan
(
X
c
/(
R
s
+
R
L
))
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