Ширина канала после полного масштабирования СБИС Калькулятор

✖Ширина канала определяется как физическая ширина полупроводникового канала между выводами истока и стока внутри транзисторной структуры.ⓘ ширина канала [W_c]			+10% -10%
✖Масштабный коэффициент определяется как соотношение, на которое размеры транзистора изменяются в процессе проектирования.ⓘ Коэффициент масштабирования [Sf]			+10% -10%

✖Ширина канала после полного масштабирования определяется как ширина канала после уменьшения размеров транзисторов за счет сохранения постоянного электрического поля.ⓘ Ширина канала после полного масштабирования СБИС [W_c']

⎘ копия

👎

Формула

✖

Ширина канала после полного масштабирования СБИС

Формула

`("W"_{"c"}"'") = "W"_{"c"}/"Sf"`

Пример

`"1.666667μm"="2.5μm"/"1.5"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF PDF Image

Ширина канала после полного масштабирования СБИС Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Ширина канала после полного масштабирования = ширина канала/Коэффициент масштабирования
W_c' = W_c/Sf
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Ширина канала после полного масштабирования - (Измеряется в метр) - Ширина канала после полного масштабирования определяется как ширина канала после уменьшения размеров транзисторов за счет сохранения постоянного электрического поля.
ширина канала - (Измеряется в метр) - Ширина канала определяется как физическая ширина полупроводникового канала между выводами истока и стока внутри транзисторной структуры.
Коэффициент масштабирования - Масштабный коэффициент определяется как соотношение, на которое размеры транзистора изменяются в процессе проектирования.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

ширина канала: 2.5 микрометр --> 2.5E-06 метр (Проверьте преобразование здесь)
Коэффициент масштабирования: 1.5 --> Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

W_c' = W_c/Sf --> 2.5E-06/1.5

Оценка ... ...

W_c' = 1.66666666666667E-06

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

1.66666666666667E-06 метр -->1.66666666666667 микрометр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

1.66666666666667 ≈ 1.666667 микрометр <-- Ширина канала после полного масштабирования

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Изготовление СБИС » Оптимизация материалов СБИС » Ширина канала после полного масштабирования СБИС

Кредиты

Сделано Приянка Патель

Инженерный колледж Лалбхай Далпатбхай (ЛДЦЭ), Ахмедабад

Приянка Патель создал этот калькулятор и еще 25+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 25 Оптимизация материалов СБИС Калькуляторы

Плотность заряда области массового истощения СБИС

Идти Плотность заряда области массового истощения = -(1-((Боковая протяженность области истощения с источником+Боковая протяженность области истощения с дренажом)/(2*Длина канала)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Концентрация акцептора*abs(2*Поверхностный потенциал))

Коэффициент эффекта тела

Идти Коэффициент эффекта тела = modulus((Пороговое напряжение-Пороговое напряжение DIBL)/(sqrt(Поверхностный потенциал+(Разница в потенциале исходного тела))-sqrt(Поверхностный потенциал)))

Соединение Встроенное напряжение СБИС

Идти Встроенное напряжение соединения = ([BoltZ]*Температура/[Charge-e])*ln(Концентрация акцептора*Концентрация доноров/(Внутренняя концентрация)^2)

Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС

Идти Глубина истощения Pn-перехода с источником = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Встроенное напряжение соединения)/([Charge-e]*Концентрация акцептора))

Общая паразитная емкость источника

Идти Паразитная емкость источника = (Емкость между соединением тела и источника*Область диффузии источника)+(Емкость между соединением корпуса и боковой стенкой*Периметр боковой стенки диффузии источника)

Ток насыщения короткого канала СБИС

Идти Ток насыщения короткого канала = ширина канала*Скорость дрейфа электронов насыщения*Оксидная емкость на единицу площади*Напряжение источника насыщения, стока

Переходный ток

Идти Ток перехода = (Статическая мощность/Базовое напряжение коллектора)-(Подпороговый ток+Текущий конфликт+Ток затвора)

Поверхностный потенциал

Идти Поверхностный потенциал = 2*Разница в потенциале исходного тела*ln(Концентрация акцептора/Внутренняя концентрация)

DIBL Коэффициент

Идти Коэффициент DIBL = (Пороговое напряжение DIBL-Пороговое напряжение)/Сток в источник потенциала

Пороговое напряжение, когда источник соответствует потенциалу тела

Идти Пороговое напряжение DIBL = Коэффициент DIBL*Сток в источник потенциала+Пороговое напряжение

Оксидная емкость после полного масштабирования СБИС

Идти Оксидная емкость после полного масштабирования = Оксидная емкость на единицу площади*Коэффициент масштабирования

Пороговое напряжение

Идти Пороговое напряжение = Ворота к напряжению канала-(Плата за канал/Емкость затвора)

Емкость затвора

Идти Емкость затвора = Плата за канал/(Ворота к напряжению канала-Пороговое напряжение)

Плата за канал

Идти Плата за канал = Емкость затвора*(Ворота к напряжению канала-Пороговое напряжение)

Подпороговый наклон

Идти Подпороговый наклон = Разница в потенциале исходного тела*Коэффициент DIBL*ln(10)

Длина затвора с использованием оксидной емкости затвора

Идти Длина ворот = Емкость затвора/(Емкость оксидного слоя затвора*Ширина ворот)

Оксидная емкость затвора

Идти Емкость оксидного слоя затвора = Емкость затвора/(Ширина ворот*Длина ворот)

Толщина оксида затвора после полного масштабирования СБИС

Идти Толщина оксида затвора после полного масштабирования = Толщина оксида ворот/Коэффициент масштабирования

Глубина соединения после полного масштабирования СБИС

Идти Глубина соединения после полного масштабирования = Глубина соединения/Коэффициент масштабирования

Критическое напряжение

Идти Критическое напряжение = Критическое электрическое поле*Электрическое поле по длине канала

Ширина канала после полного масштабирования СБИС

Идти Ширина канала после полного масштабирования = ширина канала/Коэффициент масштабирования

Длина канала после полного масштабирования СБИС

Идти Длина канала после полного масштабирования = Длина канала/Коэффициент масштабирования

Внутренняя емкость затвора

Идти Емкость перекрытия МОП-затвора = Емкость МОП-ворота*Ширина перехода

Мобильность в Mosfet

Идти Мобильность в MOSFET = К Прайм/Емкость оксидного слоя затвора

K-Prime

Идти К Прайм = Мобильность в MOSFET*Емкость оксидного слоя затвора

Ширина канала после полного масштабирования СБИС формула

Ширина канала после полного масштабирования = ширина канала/Коэффициент масштабирования
W_c' = W_c/Sf

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!