Largura do canal após Full Scaling VLSI Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Largura do canal após escala completa = Largura de banda/Fator de escala
Wc' = Wc/Sf
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Largura do canal após escala completa - (Medido em Metro) - A largura do canal após Full Scaling é definida como a largura do canal após a redução das dimensões dos transistores, mantendo o campo elétrico constante.
Largura de banda - (Medido em Metro) - A largura do canal é definida como a largura física do canal semicondutor entre os terminais de fonte e dreno dentro da estrutura do transistor.
Fator de escala - O fator de escala é definido como a razão pela qual as dimensões do transistor são alteradas durante o processo de projeto.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Largura de banda: 2.5 Micrômetro --> 2.5E-06 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Fator de escala: 1.5 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Wc' = Wc/Sf --> 2.5E-06/1.5
Avaliando ... ...
Wc' = 1.66666666666667E-06
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
1.66666666666667E-06 Metro -->1.66666666666667 Micrômetro (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
1.66666666666667 1.666667 Micrômetro <-- Largura do canal após escala completa
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

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Criado por Priyanka Patel
Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad
Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

25 Otimização de materiais VLSI Calculadoras

Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI
​ Vai Densidade de carga da região de esgotamento em massa = -(1-((Extensão lateral da região de esgotamento com fonte+Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno)/(2*Comprimento do canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentração do aceitante*abs(2*Potencial de Superfície))
Coeficiente de Efeito Corporal
​ Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))
Tensão integrada de junção VLSI
​ Vai Tensão interna de junção = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentração do aceitante*Concentração de doadores/(Concentração Intrínseca)^2)
Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI
​ Vai Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensão interna de junção)/([Charge-e]*Concentração do aceitante))
Capacitância Parasítica da Fonte Total
​ Vai Fonte de capacitância parasita = (Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte*Área de Difusão de Fonte)+(Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral*Perímetro da parede lateral de difusão da fonte)
Corrente de saturação de canal curto VLSI
​ Vai Corrente de saturação de canal curto = Largura de banda*Velocidade de deriva de elétrons de saturação*Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Tensão da fonte de drenagem de saturação
Corrente de junção
​ Vai Corrente de Junção = (Potência Estática/Tensão do Coletor Base)-(Corrente Sublimiar+Corrente de contenção+Corrente do portão)
Potencial de Superfície
​ Vai Potencial de Superfície = 2*Diferença potencial do corpo de origem*ln(Concentração do aceitante/Concentração Intrínseca)
Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão
​ Vai Comprimento do portão = Capacitância do portão/(Capacitância da camada de óxido de porta*Largura do portão)
Capacitância de Óxido de Porta
​ Vai Capacitância da camada de óxido de porta = Capacitância do portão/(Largura do portão*Comprimento do portão)
Capacitância da porta
​ Vai Capacitância do portão = Taxa de canal/(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)
Coeficiente DIBL
​ Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte
Tensão de limiar
​ Vai Tensão de limiar = Tensão do portão para o canal-(Taxa de canal/Capacitância do portão)
Carga do canal
​ Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)
Tensão Limiar quando a Fonte está no Potencial Corporal
​ Vai Tensão Limite DIBL = Coeficiente DIBL*Drenar para Potencial de Fonte+Tensão de limiar
Sublimiar Inclinação
​ Vai Inclinação Sublimiar = Diferença potencial do corpo de origem*Coeficiente DIBL*ln(10)
Capacitância de Óxido após Full Scaling VLSI
​ Vai Capacitância de óxido após escala completa = Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Fator de escala
Espessura de óxido de porta após escala completa VLSI
​ Vai Espessura do óxido de porta após escala completa = Espessura do Óxido de Porta/Fator de escala
Capacitância de porta intrínseca
​ Vai Capacitância de sobreposição de porta MOS = Capacitância da Porta MOS*Largura da transição
Tensão Crítica
​ Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal
Profundidade da junção após Full Scaling VLSI
​ Vai Profundidade da junção após escala completa = Profundidade da Junção/Fator de escala
Comprimento do canal após Full Scaling VLSI
​ Vai Comprimento do canal após escala completa = Comprimento do canal/Fator de escala
Largura do canal após Full Scaling VLSI
​ Vai Largura do canal após escala completa = Largura de banda/Fator de escala
Mobilidade em Mosfet
​ Vai Mobilidade em MOSFET = K Prime/Capacitância da camada de óxido de porta
K-Prime
​ Vai K Prime = Mobilidade em MOSFET*Capacitância da camada de óxido de porta

Largura do canal após Full Scaling VLSI Fórmula

Largura do canal após escala completa = Largura de banda/Fator de escala
Wc' = Wc/Sf
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