Largeur de canal après mise à l'échelle complète du VLSI Calculatrice

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Optimisation des matériaux VLSI

Conception VLSI analogique

✖La largeur du canal est définie comme la largeur physique du canal semi-conducteur entre les bornes source et drain au sein de la structure du transistor.ⓘ Largeur de canal [W_c]			+10% -10%
✖Le facteur d'échelle est défini comme le rapport selon lequel les dimensions du transistor sont modifiées au cours du processus de conception.ⓘ Facteur d'échelle [Sf]			+10% -10%

✖La largeur du canal après mise à l'échelle complète est définie comme la largeur du canal après réduction des dimensions des transistors en maintenant le champ électrique constant.ⓘ Largeur de canal après mise à l'échelle complète du VLSI [W_c']

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Largeur de canal après mise à l'échelle complète du VLSI

Formule

`("W"_{"c"}"'") = "W"_{"c"}/"Sf"`

Exemple

`"1.666667μm"="2.5μm"/"1.5"`

Calculatrice

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Largeur de canal après mise à l'échelle complète du VLSI Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Largeur du canal après mise à l'échelle complète = Largeur de canal/Facteur d'échelle
W_c' = W_c/Sf
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Largeur du canal après mise à l'échelle complète - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal après mise à l'échelle complète est définie comme la largeur du canal après réduction des dimensions des transistors en maintenant le champ électrique constant.
Largeur de canal - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal est définie comme la largeur physique du canal semi-conducteur entre les bornes source et drain au sein de la structure du transistor.
Facteur d'échelle - Le facteur d'échelle est défini comme le rapport selon lequel les dimensions du transistor sont modifiées au cours du processus de conception.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Largeur de canal: 2.5 Micromètre --> 2.5E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Facteur d'échelle: 1.5 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

W_c' = W_c/Sf --> 2.5E-06/1.5

Évaluer ... ...

W_c' = 1.66666666666667E-06

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.66666666666667E-06 Mètre -->1.66666666666667 Micromètre (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

1.66666666666667 ≈ 1.666667 Micromètre <-- Largeur du canal après mise à l'échelle complète

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Priyanka Patel

Collège d'ingénierie Lalbhai Dalpatbhai (PEMD), Ahmedabad

Priyanka Patel a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 25 Optimisation des matériaux VLSI Calculatrices

Densité de charge de la région d'épuisement en vrac VLSI

Aller Densité de charge de la région d'épuisement global = -(1-((Étendue latérale de la région d'épuisement avec source+Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain)/(2*Longueur du canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentration d'accepteur*abs(2*Potentiel des surfaces))

Coefficient d'effet corporel

Aller Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))

Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec source VLSI

Aller Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tension intégrée de jonction)/([Charge-e]*Concentration d'accepteur))

Jonction Tension intégrée VLSI

Aller Tension intégrée de jonction = ([BoltZ]*Température/[Charge-e])*ln(Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs/(Concentration intrinsèque)^2)

Capacité parasitaire totale de la source

Aller Capacité parasite de la source = (Capacité entre la jonction du corps et la source*Zone de diffusion de la source)+(Capacité entre la jonction du corps et la paroi latérale*Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source)

Courant de saturation des canaux courts VLSI

Aller Courant de saturation des canaux courts = Largeur de canal*Vitesse de dérive des électrons de saturation*Capacité d'oxyde par unité de surface*Tension de source de drain de saturation

Courant de jonction

Aller Courant de jonction = (Puissance statique/Tension du collecteur de base)-(Courant sous-seuil+Conflit actuel+Courant de porte)

Potentiel de surface

Aller Potentiel des surfaces = 2*Différence potentielle du corps source*ln(Concentration d'accepteur/Concentration intrinsèque)

Longueur de porte en utilisant la capacité d'oxyde de porte

Aller Longueur de la porte = Capacité de porte/(Capacité de la couche d'oxyde de grille*Largeur du portail)

Capacité d'oxyde de porte

Aller Capacité de la couche d'oxyde de grille = Capacité de porte/(Largeur du portail*Longueur de la porte)

Coefficient DIBL

Aller Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source

Tension de seuil lorsque la source est au potentiel du corps

Aller Tension de seuil DIBL = Coefficient DIBL*Potentiel de drainage vers la source+Tension de seuil

Pente sous-seuil

Aller Pente sous-seuil = Différence potentielle du corps source*Coefficient DIBL*ln(10)

Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI

Aller Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète = Capacité d'oxyde par unité de surface*Facteur d'échelle

Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI

Aller Épaisseur d'oxyde de porte après mise à l'échelle complète = Épaisseur d'oxyde de porte/Facteur d'échelle

Capacité de porte

Aller Capacité de porte = Frais de canal/(Tension porte à canal-Tension de seuil)

Tension de seuil

Aller Tension de seuil = Tension porte à canal-(Frais de canal/Capacité de porte)

Charge de canal

Aller Frais de canal = Capacité de porte*(Tension porte à canal-Tension de seuil)

Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète du VLSI

Aller Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète = Profondeur de jonction/Facteur d'échelle

Tension critique

Aller Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Longueur du canal après mise à l'échelle complète du VLSI

Aller Longueur du canal après mise à l'échelle complète = Longueur du canal/Facteur d'échelle

Capacité de porte intrinsèque

Aller Capacité de chevauchement de porte MOS = Capacité de la porte MOS*Largeur de transition

Largeur de canal après mise à l'échelle complète du VLSI

Aller Largeur du canal après mise à l'échelle complète = Largeur de canal/Facteur d'échelle

Mobilité à Mosfet

Aller Mobilité dans MOSFET = K Premier/Capacité de la couche d'oxyde de grille

K-Prime

Aller K Premier = Mobilité dans MOSFET*Capacité de la couche d'oxyde de grille

Largeur de canal après mise à l'échelle complète du VLSI Formule

Largeur du canal après mise à l'échelle complète = Largeur de canal/Facteur d'échelle
W_c' = W_c/Sf

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