Концентрация дырок в валентной зоне Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Концентрация отверстий в полосе обшивки = Эффективная плотность состояний в валентной зоне*(1-Функция Ферми)
p0 = Nv*(1-fE)
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Концентрация отверстий в полосе обшивки - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация дырок в валентной зоне относится к количеству или обилию дырок, присутствующих в валентной зоне полупроводникового материала.
Эффективная плотность состояний в валентной зоне - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Эффективная плотность состояний в валентной зоне определяется как полоса электронных орбиталей, из которой электроны могут выпрыгивать, перемещаясь в зону проводимости при возбуждении.
Функция Ферми - Функция Ферми определяется как термин, используемый для описания верхней части набора электронных энергетических уровней при температуре абсолютного нуля.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Эффективная плотность состояний в валентной зоне: 240000000000 1 на кубический метр --> 240000000000 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Функция Ферми: 0.022 --> Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
p0 = Nv*(1-fE) --> 240000000000*(1-0.022)
Оценка ... ...
p0 = 234720000000
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
234720000000 1 на кубический метр --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
234720000000 2.3E+11 1 на кубический метр <-- Концентрация отверстий в полосе обшивки
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Шобхит Димри
Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат
Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

20 Группа энергии Калькуляторы

Концентрация внутреннего носителя
​ Идти Концентрация внутреннего носителя = sqrt(Эффективная плотность состояний в валентной зоне*Эффективная плотность состояний в зоне проводимости)*exp(-Энергетический разрыв/(2*[BoltZ]*Температура))
Срок службы оператора связи
​ Идти Срок службы перевозчика = 1/(Пропорциональность для рекомбинации*(Концентрация отверстий в полосе обшивки+Концентрация электронов в зоне проводимости))
Энергия электрона с учетом постоянной Кулона
​ Идти Энергия электрона = (Квантовое число^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Потенциальная длина скважины^2)
Стационарная концентрация электронов
​ Идти Устойчивая концентрация носителя = Концентрация электронов в зоне проводимости+Избыточная концентрация носителя
Концентрация в зоне проводимости
​ Идти Концентрация электронов в зоне проводимости = Эффективная плотность состояний в зоне проводимости*Функция Ферми
Эффективная плотность состояния
​ Идти Эффективная плотность состояний в зоне проводимости = Концентрация электронов в зоне проводимости/Функция Ферми
Функция Ферми
​ Идти Функция Ферми = Концентрация электронов в зоне проводимости/Эффективная плотность состояний в зоне проводимости
Эффективное состояние плотности в валентной зоне
​ Идти Эффективная плотность состояний в валентной зоне = Концентрация отверстий в полосе обшивки/(1-Функция Ферми)
Концентрация дырок в валентной зоне
​ Идти Концентрация отверстий в полосе обшивки = Эффективная плотность состояний в валентной зоне*(1-Функция Ферми)
Время жизни рекомбинации
​ Идти Время жизни рекомбинации = (Пропорциональность для рекомбинации*Концентрация отверстий в полосе обшивки)^-1
Коэффициент распределения
​ Идти Коэффициент распределения = Концентрация примесей в твердом теле/Концентрация примесей в жидкости
Жидкая концентрация
​ Идти Концентрация примесей в жидкости = Концентрация примесей в твердом теле/Коэффициент распределения
Чистая скорость изменения зоны проводимости
​ Идти Пропорциональность для рекомбинации = Тепловая генерация/(Концентрация внутреннего носителя^2)
Скорость тепловой генерации
​ Идти Тепловая генерация = Пропорциональность для рекомбинации*(Концентрация внутреннего носителя^2)
Избыточная концентрация носителя
​ Идти Избыточная концентрация носителя = Скорость оптической генерации*Время жизни рекомбинации
Скорость оптической генерации
​ Идти Скорость оптической генерации = Избыточная концентрация носителя/Время жизни рекомбинации
Энергия зоны проводимости
​ Идти Энергия зоны проводимости = Энергетический разрыв+Энергия валентной полосы
Энергия валентной полосы
​ Идти Энергия валентной полосы = Энергия зоны проводимости-Энергетический разрыв
Энергетический разрыв
​ Идти Энергетический разрыв = Энергия зоны проводимости-Энергия валентной полосы
Фотоэлектронная энергия
​ Идти Фотоэлектронная энергия = [hP]*Частота падающего света

Концентрация дырок в валентной зоне формула

Концентрация отверстий в полосе обшивки = Эффективная плотность состояний в валентной зоне*(1-Функция Ферми)
p0 = Nv*(1-fE)

Содержит ли валентная зона дырки?

Дырки находятся в валентной зоне, на уровень ниже зоны проводимости. Легирование акцептором электронов, атомом, который может принять электрон, создает дефицит электронов, такой же, как избыток дырок. Поскольку дырки являются носителями положительного заряда, легирующая примесь-акцептор электронов также известна как примесь P-типа.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!