Избыточная концентрация носителя Калькулятор

✖Коэффициент оптической генерации количество электронов, генерируемых в каждой точке устройства в результате поглощения фотонов.ⓘ Скорость оптической генерации [g_op]			+10% -10%
✖Время жизни при рекомбинации среднее время, необходимое избыточному неосновному носителю для рекомбинации.ⓘ Время жизни рекомбинации [τ_n]			+10% -10%

✖Избыточная концентрация носителей - это дополнительная концентрация электронов, присутствующих в концентрации носителей.ⓘ Избыточная концентрация носителя [δ_n]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Избыточная концентрация носителя

Формула

`"δ"_{"n"} = "g"_{"op"}*"τ"_{"n"}`

Пример

`"1E^14/m³"="2.9e19"*"3.62e-6s"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Группа энергии Формулы PDF PDF Image

Избыточная концентрация носителя Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Избыточная концентрация носителя = Скорость оптической генерации*Время жизни рекомбинации
δ_n = g_op*τ_n
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Избыточная концентрация носителя - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Избыточная концентрация носителей - это дополнительная концентрация электронов, присутствующих в концентрации носителей.
Скорость оптической генерации - Коэффициент оптической генерации количество электронов, генерируемых в каждой точке устройства в результате поглощения фотонов.
Время жизни рекомбинации - (Измеряется в Второй) - Время жизни при рекомбинации среднее время, необходимое избыточному неосновному носителю для рекомбинации.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Скорость оптической генерации: 2.9E+19 --> Конверсия не требуется
Время жизни рекомбинации: 3.62E-06 Второй --> 3.62E-06 Второй Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

δ_n = g_op*τ_n --> 2.9E+19*3.62E-06

Оценка ... ...

δ_n = 104980000000000

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

104980000000000 1 на кубический метр --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

104980000000000 ≈ 1E+14 1 на кубический метр <-- Избыточная концентрация носителя

(Расчет завершен через 00.007 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Твердотельные устройства » Группа энергии » Избыточная концентрация носителя

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 20 Группа энергии Калькуляторы

Концентрация внутреннего носителя

Идти Концентрация внутреннего носителя = sqrt(Эффективная плотность состояний в валентной зоне*Эффективная плотность состояний в зоне проводимости)*exp(-Энергетический разрыв/(2*[BoltZ]*Температура))

Срок службы оператора связи

Идти Срок службы перевозчика = 1/(Пропорциональность для рекомбинации*(Концентрация отверстий в полосе обшивки+Концентрация электронов в зоне проводимости))

Энергия электрона с учетом постоянной Кулона

Идти Энергия электрона = (Квантовое число^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Потенциальная длина скважины^2)

Стационарная концентрация электронов

Идти Устойчивая концентрация носителя = Концентрация электронов в зоне проводимости+Избыточная концентрация носителя

Концентрация в зоне проводимости

Идти Концентрация электронов в зоне проводимости = Эффективная плотность состояний в зоне проводимости*Функция Ферми

Эффективная плотность состояния

Идти Эффективная плотность состояний в зоне проводимости = Концентрация электронов в зоне проводимости/Функция Ферми

Функция Ферми

Идти Функция Ферми = Концентрация электронов в зоне проводимости/Эффективная плотность состояний в зоне проводимости

Эффективное состояние плотности в валентной зоне

Идти Эффективная плотность состояний в валентной зоне = Концентрация отверстий в полосе обшивки/(1-Функция Ферми)

Концентрация дырок в валентной зоне

Идти Концентрация отверстий в полосе обшивки = Эффективная плотность состояний в валентной зоне*(1-Функция Ферми)

Время жизни рекомбинации

Идти Время жизни рекомбинации = (Пропорциональность для рекомбинации*Концентрация отверстий в полосе обшивки)^-1

Коэффициент распределения

Идти Коэффициент распределения = Концентрация примесей в твердом теле/Концентрация примесей в жидкости

Жидкая концентрация

Идти Концентрация примесей в жидкости = Концентрация примесей в твердом теле/Коэффициент распределения

Чистая скорость изменения зоны проводимости

Идти Пропорциональность для рекомбинации = Тепловая генерация/(Концентрация внутреннего носителя^2)

Скорость тепловой генерации

Идти Тепловая генерация = Пропорциональность для рекомбинации*(Концентрация внутреннего носителя^2)

Избыточная концентрация носителя

Идти Избыточная концентрация носителя = Скорость оптической генерации*Время жизни рекомбинации

Скорость оптической генерации

Идти Скорость оптической генерации = Избыточная концентрация носителя/Время жизни рекомбинации

Энергия зоны проводимости

Идти Энергия зоны проводимости = Энергетический разрыв+Энергия валентной полосы

Энергия валентной полосы

Идти Энергия валентной полосы = Энергия зоны проводимости-Энергетический разрыв

Энергетический разрыв

Идти Энергетический разрыв = Энергия зоны проводимости-Энергия валентной полосы

Фотоэлектронная энергия

Идти Фотоэлектронная энергия = [hP]*Частота падающего света

< 15 Полупроводниковые носители Калькуляторы

Концентрация внутреннего носителя

Срок службы оператора связи

Плотность электронного потока

Идти Плотность потока электронов = (Электрон со средним свободным пробегом/(2*Время))*Разница в концентрации электронов

Квантовое состояние

Идти Энергия в квантовом состоянии = (Квантовое число^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Масса частицы*Потенциальная длина скважины^2)

Радиус N-й орбиты электрона

Идти Радиус n-й орбиты электрона = ([Coulomb]*Квантовое число^2*[hP]^2)/(Масса частицы*[Charge-e]^2)

Функция Ферми

Эффективное состояние плотности в валентной зоне

Среднее время, затрачиваемое на отверстие

Идти Среднее время, затрачиваемое на отверстие = Скорость оптической генерации*Затухание основной несущей

Коэффициент распределения

Идти Коэффициент распределения = Концентрация примесей в твердом теле/Концентрация примесей в жидкости

Избыточная концентрация носителя

Идти Избыточная концентрация носителя = Скорость оптической генерации*Время жизни рекомбинации

Электронное умножение

Идти Электронное умножение = Количество электронов вне области/Количество электронов в области

Плотность электронного тока

Идти Плотность электронного тока = Суммарная плотность несущего тока-Плотность тока отверстия

Плотность тока отверстия

Идти Плотность тока отверстия = Суммарная плотность несущего тока-Плотность электронного тока

Энергия зоны проводимости

Идти Энергия зоны проводимости = Энергетический разрыв+Энергия валентной полосы

Фотоэлектронная энергия

Идти Фотоэлектронная энергия = [hP]*Частота падающего света

Избыточная концентрация носителя формула

Избыточная концентрация носителя = Скорость оптической генерации*Время жизни рекомбинации
δ_n = g_op*τ_n

Как увеличить концентрацию носителей?

Понижение температуры вызывает уменьшение концентрации собственных носителей заряда, а повышение температуры вызывает увеличение концентрации собственных носителей заряда.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!