Емкость перекрытия MOSFET Калькулятор

✖Ширина канала относится к диапазону частот, используемых для передачи данных по каналу беспроводной связи. Она также известна как полоса пропускания и измеряется в герцах (Гц).ⓘ ширина канала [W_c]			+10% -10%
✖Оксидная емкость — важный параметр, влияющий на производительность МОП-устройств, например, на скорость и энергопотребление интегральных схем.ⓘ Оксидная емкость [C_ox]			+10% -10%
✖Длина перекрытия — это среднее расстояние, которое лишние несущие могут преодолеть, прежде чем они воссоединятся.ⓘ Длина перекрытия [L_ov]			+10% -10%

✖Емкость перекрытия — это емкость, которая возникает между двумя проводящими областями, расположенными в непосредственной близости друг от друга, но не связанными напрямую.ⓘ Емкость перекрытия MOSFET [C_oc]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Емкость перекрытия MOSFET

Формула

`"C"_{"oc"} = "W"_{"c"}*"C"_{"ox"}*"L"_{"ov"}`

Пример

`"3.8E^-7μF"="10μm"*"940μF"*"40.6μm"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Емкость перекрытия MOSFET Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Емкость перекрытия = ширина канала*Оксидная емкость*Длина перекрытия
C_oc = W_c*C_ox*L_ov
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

Емкость перекрытия - (Измеряется в фарада) - Емкость перекрытия — это емкость, которая возникает между двумя проводящими областями, расположенными в непосредственной близости друг от друга, но не связанными напрямую.
ширина канала - (Измеряется в метр) - Ширина канала относится к диапазону частот, используемых для передачи данных по каналу беспроводной связи. Она также известна как полоса пропускания и измеряется в герцах (Гц).
Оксидная емкость - (Измеряется в фарада) - Оксидная емкость — важный параметр, влияющий на производительность МОП-устройств, например, на скорость и энергопотребление интегральных схем.
Длина перекрытия - (Измеряется в метр) - Длина перекрытия — это среднее расстояние, которое лишние несущие могут преодолеть, прежде чем они воссоединятся.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

ширина канала: 10 микрометр --> 1E-05 метр (Проверьте преобразование здесь)
Оксидная емкость: 940 Микрофарад --> 0.00094 фарада (Проверьте преобразование здесь)
Длина перекрытия: 40.6 микрометр --> 4.06E-05 метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

C_oc = W_c*C_ox*L_ov --> 1E-05*0.00094*4.06E-05

Оценка ... ...

C_oc = 3.8164E-13

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

3.8164E-13 фарада -->3.8164E-07 Микрофарад (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

3.8164E-07 ≈ 3.8E-7 Микрофарад <-- Емкость перекрытия

(Расчет завершен через 00.006 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель » Емкость перекрытия MOSFET

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Аншика Арья

Национальный Технологический Институт (NIT), Хамирпур

Аншика Арья проверил этот калькулятор и еще 2500+!

< 15 Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Калькуляторы

Проводимость канала МОП-транзисторов

Идти Проводимость канала = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*(ширина канала/Длина канала)*Напряжение на оксиде

Фазовый сдвиг в выходной RC-цепи

Идти Сдвиг фазы = arctan(Емкостное реактивное сопротивление/(Сопротивление+Сопротивление нагрузки))

Величина электронного заряда в канале MOSFET

Идти Заряд электрона в канале = Оксидная емкость*ширина канала*Длина канала*Эффективное напряжение

Частота перехода MOSFET

Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))

Нижняя критическая частота МОП-транзистора

Идти Угловая частота = 1/(2*pi*(Сопротивление+Входное сопротивление)*Емкость)

Выходная емкость МОП-транзистора Миллера

Идти Выходная емкость Миллера = Емкость затвор-сток*((Усиление напряжения+1)/Усиление напряжения)

Фазовый сдвиг во входной RC-цепи

Идти Сдвиг фазы = arctan(Емкостное реактивное сопротивление/Входное сопротивление)

Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET

Идти ширина канала = Емкость перекрытия/(Оксидная емкость*Длина перекрытия)

Суммарная емкость между затвором и каналом MOSFET

Идти Емкость канала затвора = Оксидная емкость*ширина канала*Длина канала

Емкость перекрытия MOSFET

Идти Емкость перекрытия = ширина канала*Оксидная емкость*Длина перекрытия

Критическая частота в RC-цепи высокочастотного входа

Идти Угловая частота = 1/(2*pi*Входное сопротивление*Емкость Миллера)

Емкостное реактивное сопротивление МОП-транзистора

Идти Емкостное реактивное сопротивление = 1/(2*pi*Частота*Емкость)

Критическая частота Мосфета

Идти Критическая частота в дециблях = 10*log10(Критическая частота)

Миллер Емкость МОП-транзистора

Идти Емкость Миллера = Емкость затвор-сток*(Усиление напряжения+1)

Ослабление RC-цепи

Идти Затухание = Базовое напряжение/Входное напряжение

Емкость перекрытия MOSFET формула

Емкость перекрытия = ширина канала*Оксидная емкость*Длина перекрытия
C_oc = W_c*C_ox*L_ov

Как МОП-транзистор действует как конденсатор?

Проще говоря, СЛИВ и ИСТОЧНИК МОП-транзистора действуют как проводящие пластины в конденсаторе из-за изолированного затвора. МОП-транзисторы ведут себя как электропроводящие устройства, что эквивалентно управляемой напряжением емкости.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!