Примеси с собственной концентрацией Калькулятор

✖На концентрацию электронов влияют различные факторы, такие как температура, примеси или легирующие примеси, добавленные в полупроводниковый материал, а также внешние электрические или магнитные поля.ⓘ Электронная концентрация [n_e]			+10% -10%
✖Концентрация дырок предполагает большее количество доступных носителей заряда в материале, что влияет на его проводимость и различные полупроводниковые устройства.ⓘ Концентрация дырок [p]			+10% -10%
✖Температурная загрязненность — базовый индекс, представляющий среднюю температуру воздуха в разные периоды времени.ⓘ Температурная примесь [t_o]			+10% -10%

✖Собственная концентрация — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.ⓘ Примеси с собственной концентрацией [n_i]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Примеси с собственной концентрацией

Формула

`"n"_{"i"} = sqrt(("n"_{"e"}*"p")/"t"_{"o"})`

Пример

`"1.321249/cm³"=sqrt(("50.6/cm³"*"0.69/cm³")/"20K")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF PDF Image

Примеси с собственной концентрацией Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)
n_i = sqrt((n_e*p)/t_o)
В этой формуле используются 1 Функции, 4 Переменные

Используемые функции

sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)

Используемые переменные

Внутренняя концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Собственная концентрация — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.
Электронная концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - На концентрацию электронов влияют различные факторы, такие как температура, примеси или легирующие примеси, добавленные в полупроводниковый материал, а также внешние электрические или магнитные поля.
Концентрация дырок - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация дырок предполагает большее количество доступных носителей заряда в материале, что влияет на его проводимость и различные полупроводниковые устройства.
Температурная примесь - (Измеряется в Кельвин) - Температурная загрязненность — базовый индекс, представляющий среднюю температуру воздуха в разные периоды времени.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Электронная концентрация: 50.6 1 на кубический сантиметр --> 50600000 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Концентрация дырок: 0.69 1 на кубический сантиметр --> 690000 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Температурная примесь: 20 Кельвин --> 20 Кельвин Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

n_i = sqrt((n_e*p)/t_o) --> sqrt((50600000*690000)/20)

Оценка ... ...

n_i = 1321249.40870375

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

1321249.40870375 1 на кубический метр -->1.32124940870375 1 на кубический сантиметр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

1.32124940870375 ≈ 1.321249 1 на кубический сантиметр <-- Внутренняя концентрация

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление биполярных ИС » Примеси с собственной концентрацией

Кредиты

Сделано Рахул Гупта

Чандигархский университет (КУ), Мохали, Пенджаб

Рахул Гупта создал этот калькулятор и еще 25+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

< 19 Изготовление биполярных ИС Калькуляторы

Сопротивление прямоугольного параллелепипеда

Идти Сопротивление = ((Удельное сопротивление*Толщина слоя)/(Ширина диффузного слоя*Длина диффузного слоя))*(ln(Ширина нижнего прямоугольника/Длина нижнего прямоугольника)/(Ширина нижнего прямоугольника-Длина нижнего прямоугольника))

Атомы примеси на единицу площади

Идти Общая примесь = Эффективное распространение*(Зона базового соединения эмиттера*((Заряжать*Внутренняя концентрация^2)/Коллекторный ток)*exp(Базовый эмиттер напряжения/Тепловое напряжение))

Проводимость N-типа

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))

Проводимость P-типа

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация P-типа)+Подвижность кремния, легированного дырками*Равновесная концентрация P-типа)

Омическая проводимость примесей

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)

Коллекторный ток PNP-транзистора

Идти Коллекторный ток = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Равновесная концентрация N-типа*Константа диффузии для PNP)/Базовая ширина

Ток насыщения в транзисторе

Идти Ток насыщения = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Эффективное распространение*Внутренняя концентрация^2)/Общая примесь

Емкость источника затвора с учетом емкости перекрытия

Идти Емкость источника затвора = (2/3*Ширина транзистора*Длина транзистора*Оксидная емкость)+(Ширина транзистора*Емкость перекрытия)

Потребляемая мощность емкостной нагрузки при заданном напряжении питания

Идти Потребляемая мощность емкостной нагрузки = Емкость нагрузки*Напряжение питания^2*Частота выходного сигнала*Общее количество переключаемых выходов

Листовое сопротивление слоя

Идти Листовое сопротивление = 1/(Заряжать*Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа*Толщина слоя)

Плотность тока Отверстие

Идти Плотность тока отверстия = Заряжать*Константа диффузии для PNP*(Равновесная концентрация дырок/Базовая ширина)

Сопротивление диффузного слоя

Идти Сопротивление = (1/Омическая проводимость)*(Длина диффузного слоя/(Ширина диффузного слоя*Толщина слоя))

Примеси с собственной концентрацией

Идти Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)

Эффективность впрыска эмиттера

Идти Эффективность ввода эмиттера = Ток эмиттера/(Эмиттерный ток, обусловленный электронами+Ток эмиттера из-за отверстий)

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

Идти Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)

Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования

Идти Эффективность ввода эмиттера = Допинг на N-стороне/(Допинг на N-стороне+Допинг на стороне P)

Ток, текущий в стабилитроне

Идти Ток диода = (Входное опорное напряжение-Стабильное выходное напряжение)/Сопротивление Зенера

Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах

Идти Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах = Частота выходного сигнала/Входное напряжение

Базовый транспортный коэффициент с учетом базовой ширины

Идти Базовый транспортный фактор = 1-(1/2*(Физическая ширина/Диффузионная длина электронов)^2)

Примеси с собственной концентрацией формула

Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)
n_i = sqrt((n_e*p)/t_o)

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!