Напряжение пробоя коллектора-эмиттера Калькулятор

✖Напряжение пробоя базы коллектора — это максимальное напряжение между выводами коллектора и базы биполярного транзистора, не вызывающее пробоя транзистора.ⓘ Напряжение пробоя базы коллектора [V_cb]			+10% -10%
✖Коэффициент усиления по току BJT используется для описания свойств усиления транзистора. Он показывает, насколько ток коллектора усиливается по отношению к току базы.ⓘ Текущий прирост BJT [i_g]			+10% -10%
✖Корневое число представляет собой константу или коэффициент, связанный с транзистором.ⓘ Корневой номер [n]			+10% -10%

✖Напряжение пробоя коллектор-эмиттер — это напряжение между выводами коллектора и эмиттера биполярного транзистора, не вызывающее пробоя транзистора.ⓘ Напряжение пробоя коллектора-эмиттера [V_ce]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

Формула

`"V"_{"ce"} = "V"_{"cb"}/("i"_{"g"})^(1/"n")`

Пример

`"2.103602V"="3.52V"/("2.8V")^(1/"2")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF PDF Image

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)
V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n)
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер - (Измеряется в вольт) - Напряжение пробоя коллектор-эмиттер — это напряжение между выводами коллектора и эмиттера биполярного транзистора, не вызывающее пробоя транзистора.
Напряжение пробоя базы коллектора - (Измеряется в вольт) - Напряжение пробоя базы коллектора — это максимальное напряжение между выводами коллектора и базы биполярного транзистора, не вызывающее пробоя транзистора.
Текущий прирост BJT - (Измеряется в вольт) - Коэффициент усиления по току BJT используется для описания свойств усиления транзистора. Он показывает, насколько ток коллектора усиливается по отношению к току базы.
Корневой номер - Корневое число представляет собой константу или коэффициент, связанный с транзистором.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Напряжение пробоя базы коллектора: 3.52 вольт --> 3.52 вольт Конверсия не требуется
Текущий прирост BJT: 2.8 вольт --> 2.8 вольт Конверсия не требуется
Корневой номер: 2 --> Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n) --> 3.52/(2.8)^(1/2)

Оценка ... ...

V_ce = 2.10360235242853

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

2.10360235242853 вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

2.10360235242853 ≈ 2.103602 вольт <-- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление биполярных ИС » Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

Кредиты

Сделано Рахул Гупта

Чандигархский университет (КУ), Мохали, Пенджаб

Рахул Гупта создал этот калькулятор и еще 25+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

< 19 Изготовление биполярных ИС Калькуляторы

Сопротивление прямоугольного параллелепипеда

Идти Сопротивление = ((Удельное сопротивление*Толщина слоя)/(Ширина диффузного слоя*Длина диффузного слоя))*(ln(Ширина нижнего прямоугольника/Длина нижнего прямоугольника)/(Ширина нижнего прямоугольника-Длина нижнего прямоугольника))

Атомы примеси на единицу площади

Идти Общая примесь = Эффективное распространение*(Зона базового соединения эмиттера*((Заряжать*Внутренняя концентрация^2)/Коллекторный ток)*exp(Базовый эмиттер напряжения/Тепловое напряжение))

Проводимость N-типа

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))

Проводимость P-типа

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация P-типа)+Подвижность кремния, легированного дырками*Равновесная концентрация P-типа)

Омическая проводимость примесей

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)

Коллекторный ток PNP-транзистора

Идти Коллекторный ток = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Равновесная концентрация N-типа*Константа диффузии для PNP)/Базовая ширина

Ток насыщения в транзисторе

Идти Ток насыщения = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Эффективное распространение*Внутренняя концентрация^2)/Общая примесь

Емкость источника затвора с учетом емкости перекрытия

Идти Емкость источника затвора = (2/3*Ширина транзистора*Длина транзистора*Оксидная емкость)+(Ширина транзистора*Емкость перекрытия)

Потребляемая мощность емкостной нагрузки при заданном напряжении питания

Идти Потребляемая мощность емкостной нагрузки = Емкость нагрузки*Напряжение питания^2*Частота выходного сигнала*Общее количество переключаемых выходов

Листовое сопротивление слоя

Идти Листовое сопротивление = 1/(Заряжать*Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа*Толщина слоя)

Плотность тока Отверстие

Идти Плотность тока отверстия = Заряжать*Константа диффузии для PNP*(Равновесная концентрация дырок/Базовая ширина)

Сопротивление диффузного слоя

Идти Сопротивление = (1/Омическая проводимость)*(Длина диффузного слоя/(Ширина диффузного слоя*Толщина слоя))

Примеси с собственной концентрацией

Идти Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)

Эффективность впрыска эмиттера

Идти Эффективность ввода эмиттера = Ток эмиттера/(Эмиттерный ток, обусловленный электронами+Ток эмиттера из-за отверстий)

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

Идти Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)

Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования

Идти Эффективность ввода эмиттера = Допинг на N-стороне/(Допинг на N-стороне+Допинг на стороне P)

Ток, текущий в стабилитроне

Идти Ток диода = (Входное опорное напряжение-Стабильное выходное напряжение)/Сопротивление Зенера

Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах

Идти Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах = Частота выходного сигнала/Входное напряжение

Базовый транспортный коэффициент с учетом базовой ширины

Идти Базовый транспортный фактор = 1-(1/2*(Физическая ширина/Диффузионная длина электронов)^2)

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера формула

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)
V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n)

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!