Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Интегральные схемы (ИС)EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Изготовление МОП-ИС Изготовление биполярных ИС Триггер Шмитта

✖Концентрация электронов относится к количеству электронов в единице объема материала.ⓘ Электронная концентрация [n]			+10% -10%
✖Подвижность электронов описывает, насколько быстро электроны могут перемещаться через материал в ответ на электрическое поле.ⓘ Электронная подвижность [μ_n]			+10% -10%
✖Интенсивность электрического поля — это векторная величина, которая представляет собой силу, испытываемую положительным пробным зарядом в данной точке пространства из-за присутствия других зарядов.ⓘ Напряженность электрического поля [E_i]			+10% -10%

✖Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами, относится к движению носителей заряда (электронов) в полупроводниковом материале под воздействием электрического поля.ⓘ Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами [J_n]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Изготовление МОП-ИС Формулы PDF PDF Image

Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами = [Charge-e]*Электронная концентрация*Электронная подвижность*Напряженность электрического поля
J_n = [Charge-e]*n*μ_n*E_i
В этой формуле используются 1 Константы, 4 Переменные

Используемые константы

[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые переменные

Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами - (Измеряется в Ампер) - Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами, относится к движению носителей заряда (электронов) в полупроводниковом материале под воздействием электрического поля.
Электронная концентрация - (Измеряется в Электронов на кубический метр) - Концентрация электронов относится к количеству электронов в единице объема материала.
Электронная подвижность - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность электронов описывает, насколько быстро электроны могут перемещаться через материал в ответ на электрическое поле.
Напряженность электрического поля - (Измеряется в Вольт на метр) - Интенсивность электрического поля — это векторная величина, которая представляет собой силу, испытываемую положительным пробным зарядом в данной точке пространства из-за присутствия других зарядов.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Электронная концентрация: 1000000 Электронов на кубический сантиметр --> 1000000000000 Электронов на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Электронная подвижность: 30 Квадратный метр на вольт в секунду --> 30 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
Напряженность электрического поля: 11.2 Вольт на метр --> 11.2 Вольт на метр Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

J_n = [Charge-e]*n*μ_n*E_i --> [Charge-e]*1000000000000*30*11.2

Оценка ... ...

J_n = 5.3833134432E-05

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

5.3833134432E-05 Ампер -->53.833134432 микроампер (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

53.833134432 ≈ 53.83313 микроампер <-- Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление МОП-ИС » Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами

Кредиты

Сделано Бану Пракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

Бану Пракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< Изготовление МОП-ИС Калькуляторы

Эффект тела в MOSFET

LaTeX Идти Пороговое напряжение с подложкой = Пороговое напряжение с нулевым смещением тела+Параметр эффекта тела*(sqrt(2*Объемный потенциал Ферми+Напряжение, приложенное к телу)-sqrt(2*Объемный потенциал Ферми))

Ток стока MOSFET в области насыщения

LaTeX Идти Ток стока = Параметр крутизны/2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение с нулевым смещением тела)^2*(1+Коэффициент модуляции длины канала*Напряжение источника стока)

Сопротивление канала

LaTeX Идти Сопротивление канала = Длина транзистора/Ширина транзистора*1/(Электронная подвижность*Плотность носителей)

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

LaTeX Идти Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)

Узнать больше >>