Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами Калькулятор

✖Концентрация электронов относится к количеству электронов в единице объема материала.ⓘ Электронная концентрация [n]			+10% -10%
✖Подвижность электронов описывает, насколько быстро электроны могут перемещаться через материал в ответ на электрическое поле.ⓘ Электронная подвижность [μ_n]			+10% -10%
✖Интенсивность электрического поля — это векторная величина, которая представляет собой силу, испытываемую положительным пробным зарядом в данной точке пространства из-за присутствия других зарядов.ⓘ Напряженность электрического поля [E_i]			+10% -10%

✖Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами, относится к движению носителей заряда (электронов) в полупроводниковом материале под воздействием электрического поля.ⓘ Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами [J_n]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами

Формула

`"J"_{"n"} = "[Charge-e]"*"n"*"μ"_{"n"}*"E"_{"i"}`

Пример

`"53.83313µA"="[Charge-e]"*"1E^6electrons/cm³"*"30m²/V*s"*"11.2V/m"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Изготовление МОП-ИС Формулы PDF PDF Image

Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами = [Charge-e]*Электронная концентрация*Электронная подвижность*Напряженность электрического поля
J_n = [Charge-e]*n*μ_n*E_i
В этой формуле используются 1 Константы, 4 Переменные

Используемые константы

[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые переменные

Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами - (Измеряется в Ампер) - Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами, относится к движению носителей заряда (электронов) в полупроводниковом материале под воздействием электрического поля.
Электронная концентрация - (Измеряется в Электронов на кубический метр) - Концентрация электронов относится к количеству электронов в единице объема материала.
Электронная подвижность - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность электронов описывает, насколько быстро электроны могут перемещаться через материал в ответ на электрическое поле.
Напряженность электрического поля - (Измеряется в Вольт на метр) - Интенсивность электрического поля — это векторная величина, которая представляет собой силу, испытываемую положительным пробным зарядом в данной точке пространства из-за присутствия других зарядов.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Электронная концентрация: 1000000 Электронов на кубический сантиметр --> 1000000000000 Электронов на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Электронная подвижность: 30 Квадратный метр на вольт в секунду --> 30 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
Напряженность электрического поля: 11.2 Вольт на метр --> 11.2 Вольт на метр Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

J_n = [Charge-e]*n*μ_n*E_i --> [Charge-e]*1000000000000*30*11.2

Оценка ... ...

J_n = 5.3833134432E-05

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

5.3833134432E-05 Ампер -->53.833134432 микроампер (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

53.833134432 ≈ 53.83313 микроампер <-- Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление МОП-ИС » Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 15 Изготовление МОП-ИС Калькуляторы

Напряжение точки переключения

Идти Напряжение точки переключения = (Напряжение питания+Пороговое напряжение PMOS+Пороговое напряжение NMOS*sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))/(1+sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))

Эффект тела в MOSFET

Идти Пороговое напряжение с подложкой = Пороговое напряжение с нулевым смещением тела+Параметр эффекта тела*(sqrt(2*Объемный потенциал Ферми+Напряжение, приложенное к телу)-sqrt(2*Объемный потенциал Ферми))

Концентрация донорской легирующей примеси

Идти Концентрация донорской легирующей примеси = (Ток насыщения*Длина транзистора)/([Charge-e]*Ширина транзистора*Электронная подвижность*Емкость слоя обеднения)

Ток стока MOSFET в области насыщения

Идти Ток стока = Параметр крутизны/2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение с нулевым смещением тела)^2*(1+Коэффициент модуляции длины канала*Напряжение источника стока)

Концентрация акцепторной примеси

Идти Концентрация акцепторной примеси = 1/(2*pi*Длина транзистора*Ширина транзистора*[Charge-e]*Мобильность отверстий*Емкость слоя обеднения)

Максимальная концентрация легирующей примеси

Идти Максимальная концентрация легирующей примеси = Эталонная концентрация*exp(-Энергия активации твердой растворимости/([BoltZ]*Абсолютная температура))

Время распространения

Идти Время распространения = 0.7*Количество проходных транзисторов*((Количество проходных транзисторов+1)/2)*Сопротивление в МОП-транзисторе*Емкость нагрузки

Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами

Идти Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами = [Charge-e]*Электронная концентрация*Электронная подвижность*Напряженность электрического поля

Плотность дрейфового тока из-за дырок

Идти Плотность дрейфового тока из-за дырок = [Charge-e]*Концентрация дырок*Мобильность отверстий*Напряженность электрического поля

Сопротивление канала

Идти Сопротивление канала = Длина транзистора/Ширина транзистора*1/(Электронная подвижность*Плотность носителей)

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

Идти Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)

Критическое измерение

Идти Критическое измерение = Зависимая от процесса константа*Длина волны в фотолитографии/Числовая апертура

Глубина фокуса

Идти Глубина фокуса = Коэффициент пропорциональности*Длина волны в фотолитографии/(Числовая апертура^2)

Умереть на пластину

Идти Умереть на пластину = (pi*Диаметр пластины^2)/(4*Размер каждой матрицы)

Эквивалентная толщина оксида

Идти Эквивалентная толщина оксида = Толщина материала*(3.9/Диэлектрическая проницаемость материала)

Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами формула

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!