Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления Калькулятор

✖Крутизна МОП-транзистора является ключевым параметром, который описывает взаимосвязь между входным напряжением и выходным током.ⓘ Крутизна МОП-транзистора [g_m]			+10% -10%
✖Емкость источника затвора относится к емкости между клеммами затвора и истока полевого транзистора (FET).ⓘ Емкость источника затвора [C_gs]			+10% -10%
✖Емкость затвора-стока относится к емкости между клеммами затвора и стока устройства.ⓘ Емкость стока затвора [C_gd]			+10% -10%

✖Частота единичного усиления в MOSFET означает частоту, при которой коэффициент усиления по напряжению устройства падает до 1 (0 дБ) в конфигурации с общим истоком и резистивной нагрузкой.ⓘ Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления [f_t]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

Формула

`"f"_{"t"} = "g"_{"m"}/("C"_{"gs"}+"C"_{"gd"})`

Пример

`"37.41497kHz"="2.2S"/("56μF"+"2.8μF")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Изготовление МОП-ИС Формулы PDF PDF Image

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

Частота единичного усиления в MOSFET - (Измеряется в Герц) - Частота единичного усиления в MOSFET означает частоту, при которой коэффициент усиления по напряжению устройства падает до 1 (0 дБ) в конфигурации с общим истоком и резистивной нагрузкой.
Крутизна МОП-транзистора - (Измеряется в Сименс) - Крутизна МОП-транзистора является ключевым параметром, который описывает взаимосвязь между входным напряжением и выходным током.
Емкость источника затвора - (Измеряется в фарада) - Емкость источника затвора относится к емкости между клеммами затвора и истока полевого транзистора (FET).
Емкость стока затвора - (Измеряется в фарада) - Емкость затвора-стока относится к емкости между клеммами затвора и стока устройства.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Крутизна МОП-транзистора: 2.2 Сименс --> 2.2 Сименс Конверсия не требуется
Емкость источника затвора: 56 Микрофарад --> 5.6E-05 фарада (Проверьте преобразование здесь)
Емкость стока затвора: 2.8 Микрофарад --> 2.8E-06 фарада (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

f_t = g_m/(C_gs+C_gd) --> 2.2/(5.6E-05+2.8E-06)

Оценка ... ...

f_t = 37414.9659863946

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

37414.9659863946 Герц -->37.4149659863946 Килогерц (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

37.4149659863946 ≈ 37.41497 Килогерц <-- Частота единичного усиления в MOSFET

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление МОП-ИС » Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 15 Изготовление МОП-ИС Калькуляторы

Напряжение точки переключения

Идти Напряжение точки переключения = (Напряжение питания+Пороговое напряжение PMOS+Пороговое напряжение NMOS*sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))/(1+sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))

Эффект тела в MOSFET

Идти Пороговое напряжение с подложкой = Пороговое напряжение с нулевым смещением тела+Параметр эффекта тела*(sqrt(2*Объемный потенциал Ферми+Напряжение, приложенное к телу)-sqrt(2*Объемный потенциал Ферми))

Концентрация донорской легирующей примеси

Идти Концентрация донорской легирующей примеси = (Ток насыщения*Длина транзистора)/([Charge-e]*Ширина транзистора*Электронная подвижность*Емкость слоя обеднения)

Ток стока MOSFET в области насыщения

Идти Ток стока = Параметр крутизны/2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение с нулевым смещением тела)^2*(1+Коэффициент модуляции длины канала*Напряжение источника стока)

Концентрация акцепторной примеси

Идти Концентрация акцепторной примеси = 1/(2*pi*Длина транзистора*Ширина транзистора*[Charge-e]*Мобильность отверстий*Емкость слоя обеднения)

Максимальная концентрация легирующей примеси

Идти Максимальная концентрация легирующей примеси = Эталонная концентрация*exp(-Энергия активации твердой растворимости/([BoltZ]*Абсолютная температура))

Время распространения

Идти Время распространения = 0.7*Количество проходных транзисторов*((Количество проходных транзисторов+1)/2)*Сопротивление в МОП-транзисторе*Емкость нагрузки

Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами

Идти Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами = [Charge-e]*Электронная концентрация*Электронная подвижность*Напряженность электрического поля

Плотность дрейфового тока из-за дырок

Идти Плотность дрейфового тока из-за дырок = [Charge-e]*Концентрация дырок*Мобильность отверстий*Напряженность электрического поля

Сопротивление канала

Идти Сопротивление канала = Длина транзистора/Ширина транзистора*1/(Электронная подвижность*Плотность носителей)

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

Идти Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)

Критическое измерение

Идти Критическое измерение = Зависимая от процесса константа*Длина волны в фотолитографии/Числовая апертура

Глубина фокуса

Идти Глубина фокуса = Коэффициент пропорциональности*Длина волны в фотолитографии/(Числовая апертура^2)

Умереть на пластину

Идти Умереть на пластину = (pi*Диаметр пластины^2)/(4*Размер каждой матрицы)

Эквивалентная толщина оксида

Идти Эквивалентная толщина оксида = Толщина материала*(3.9/Диэлектрическая проницаемость материала)

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления формула

Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!