Driftstromdichte aufgrund freier Elektronen Taschenrechner

Maschinenbau Chemie Finanz Gesundheit Mehr >>

↳

Elektronik Bürgerlich Chemieingenieurwesen Elektrisch Mehr >>

⤿

Integrierte Schaltkreise (IC)Analoge Elektronik Analoge Kommunikation Antenne und Wellenausbreitung Mehr >>

⤿

MOS-IC-Herstellung Bipolare IC-Herstellung Schmitt-Trigger

✖Die Elektronenkonzentration bezieht sich auf die Anzahl der Elektronen pro Volumeneinheit in einem Material.ⓘ Elektronenkonzentration [n]			+10% -10%
✖Elektronenmobilität beschreibt, wie schnell sich Elektronen als Reaktion auf ein elektrisches Feld durch das Material bewegen können.ⓘ Elektronenmobilität [μ_n]			+10% -10%
✖Die elektrische Feldstärke ist eine Vektorgröße, die die Kraft darstellt, die eine positive Testladung an einem bestimmten Punkt im Raum aufgrund der Anwesenheit anderer Ladungen erfährt.ⓘ Elektrische Feldstärke [E_i]			+10% -10%

✖Unter Driftstromdichte durch Elektronen versteht man die Bewegung von Ladungsträgern (Elektronen) in einem Halbleitermaterial unter dem Einfluss eines elektrischen Felds.ⓘ Driftstromdichte aufgrund freier Elektronen [J_n]

⎘ Kopie

👎

Formel

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen MOS-IC-Herstellung Formeln Pdf PDF Image

Driftstromdichte aufgrund freier Elektronen Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Driftstromdichte aufgrund von Elektronen = [Charge-e]*Elektronenkonzentration*Elektronenmobilität*Elektrische Feldstärke
J_n = [Charge-e]*n*μ_n*E_i
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 4 Variablen

Verwendete Konstanten

[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19

Verwendete Variablen

Driftstromdichte aufgrund von Elektronen - (Gemessen in Ampere) - Unter Driftstromdichte durch Elektronen versteht man die Bewegung von Ladungsträgern (Elektronen) in einem Halbleitermaterial unter dem Einfluss eines elektrischen Felds.
Elektronenkonzentration - (Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter) - Die Elektronenkonzentration bezieht sich auf die Anzahl der Elektronen pro Volumeneinheit in einem Material.
Elektronenmobilität - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Elektronenmobilität beschreibt, wie schnell sich Elektronen als Reaktion auf ein elektrisches Feld durch das Material bewegen können.
Elektrische Feldstärke - (Gemessen in Volt pro Meter) - Die elektrische Feldstärke ist eine Vektorgröße, die die Kraft darstellt, die eine positive Testladung an einem bestimmten Punkt im Raum aufgrund der Anwesenheit anderer Ladungen erfährt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Elektronenkonzentration: 1000000 Elektronen pro Kubikzentimeter --> 1000000000000 Elektronen pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Elektronenmobilität: 30 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde --> 30 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Elektrische Feldstärke: 11.2 Volt pro Meter --> 11.2 Volt pro Meter Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

J_n = [Charge-e]*n*μ_n*E_i --> [Charge-e]*1000000000000*30*11.2

Auswerten ... ...

J_n = 5.3833134432E-05

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

5.3833134432E-05 Ampere -->53.833134432 Mikroampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

53.833134432 ≈ 53.83313 Mikroampere <-- Driftstromdichte aufgrund von Elektronen

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » Integrierte Schaltkreise (IC) » MOS-IC-Herstellung » Driftstromdichte aufgrund freier Elektronen

Credits

Erstellt von Banu Prakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banu Prakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

< MOS-IC-Herstellung Taschenrechner

Körpereffekt im MOSFET

LaTeX Gehen Schwellenspannung mit Substrat = Schwellenspannung mit Zero Body Bias+Körpereffektparameter*(sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial+An den Körper angelegte Spannung)-sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial))

Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich

LaTeX Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter/2*(Gate-Source-Spannung-Schwellenspannung mit Zero Body Bias)^2*(1+Modulationsfaktor der Kanallänge*Drain-Quellenspannung)

Kanalwiderstand

LaTeX Gehen Kanalwiderstand = Transistorlänge/Breite des Transistors*1/(Elektronenmobilität*Trägerdichte)

MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz

LaTeX Gehen Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET = Transkonduktanz im MOSFET/(Gate-Source-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität)

Mehr sehen >>