Übermäßige Trägerkonzentration Taschenrechner

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✖Optische Erzeugung: Bewerten Sie die Anzahl der Elektronen, die an jedem Punkt im Gerät aufgrund der Absorption von Photonen erzeugt werden.ⓘ Optische Erzeugungsrate [g_op]			+10% -10%
✖Die Rekombinationslebensdauer ist die durchschnittliche Zeit, die ein überschüssiger Minderheitsträger für die Rekombination benötigt.ⓘ Rekombinationslebensdauer [τ_n]			+10% -10%

✖Bei einer überschüssigen Trägerkonzentration handelt es sich um zusätzliche Elektronen, die in der Trägerkonzentration vorhanden sind.ⓘ Übermäßige Trägerkonzentration [δ_n]

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Formel

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Übermäßige Trägerkonzentration

Formel

`"δ"_{"n"} = "g"_{"op"}*"τ"_{"n"}`

Beispiel

`"1E^14/m³"="2.9e19"*"3.62e-6s"`

Taschenrechner

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Übermäßige Trägerkonzentration Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Überschüssige Trägerkonzentration = Optische Erzeugungsrate*Rekombinationslebensdauer
δ_n = g_op*τ_n
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Überschüssige Trägerkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Bei einer überschüssigen Trägerkonzentration handelt es sich um zusätzliche Elektronen, die in der Trägerkonzentration vorhanden sind.
Optische Erzeugungsrate - Optische Erzeugung: Bewerten Sie die Anzahl der Elektronen, die an jedem Punkt im Gerät aufgrund der Absorption von Photonen erzeugt werden.
Rekombinationslebensdauer - (Gemessen in Zweite) - Die Rekombinationslebensdauer ist die durchschnittliche Zeit, die ein überschüssiger Minderheitsträger für die Rekombination benötigt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Optische Erzeugungsrate: 2.9E+19 --> Keine Konvertierung erforderlich
Rekombinationslebensdauer: 3.62E-06 Zweite --> 3.62E-06 Zweite Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

δ_n = g_op*τ_n --> 2.9E+19*3.62E-06

Auswerten ... ...

δ_n = 104980000000000

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

104980000000000 1 pro Kubikmeter --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

104980000000000 ≈ 1E+14 1 pro Kubikmeter <-- Überschüssige Trägerkonzentration

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 20 Energieband Taschenrechner

Intrinsische Trägerkonzentration

Gehen Intrinsische Trägerkonzentration = sqrt(Effektive Zustandsdichte im Valenzband*Effektive Zustandsdichte im Leitungsband)*exp(-Energielücke/(2*[BoltZ]*Temperatur))

Trägerlebensdauer

Gehen Trägerlebensdauer = 1/(Verhältnismäßigkeit für Rekombination*(Lochkonzentration im Volantband+Elektronenkonzentration im Leitungsband))

Energie des Elektrons bei gegebener Coulomb-Konstante

Gehen Energie des Elektrons = (Quantenzahl^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Mögliche Bohrlochlänge^2)

Steady-State-Elektronenkonzentration

Gehen Steady-State-Carrier-Konzentration = Elektronenkonzentration im Leitungsband+Überschüssige Trägerkonzentration

Flüssigkeitskonzentration

Gehen Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit = Verunreinigungskonzentration im Feststoff/Verteilungskoeffizient

Verteilungskoeffizient

Gehen Verteilungskoeffizient = Verunreinigungskonzentration im Feststoff/Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit

Rekombinationslebensdauer

Gehen Rekombinationslebensdauer = (Verhältnismäßigkeit für Rekombination*Lochkonzentration im Volantband)^-1

Nettoänderungsrate im Leitungsband

Gehen Verhältnismäßigkeit für Rekombination = Thermische Erzeugung/(Intrinsische Trägerkonzentration^2)

Konzentration im Leitungsband

Gehen Elektronenkonzentration im Leitungsband = Effektive Zustandsdichte im Leitungsband*Fermi-Funktion

Effektive Staatsdichte

Gehen Effektive Zustandsdichte im Leitungsband = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Fermi-Funktion

Wärmeerzeugungsrate

Gehen Thermische Erzeugung = Verhältnismäßigkeit für Rekombination*(Intrinsische Trägerkonzentration^2)

Fermi-Funktion

Gehen Fermi-Funktion = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Effektive Zustandsdichte im Leitungsband

Zustand der effektiven Dichte im Valenzband

Gehen Effektive Zustandsdichte im Valenzband = Lochkonzentration im Volantband/(1-Fermi-Funktion)

Konzentration von Löchern im Valenzband

Gehen Lochkonzentration im Volantband = Effektive Zustandsdichte im Valenzband*(1-Fermi-Funktion)

Übermäßige Trägerkonzentration

Gehen Überschüssige Trägerkonzentration = Optische Erzeugungsrate*Rekombinationslebensdauer

Optische Erzeugungsrate

Gehen Optische Erzeugungsrate = Überschüssige Trägerkonzentration/Rekombinationslebensdauer

Photoelektronenenergie

Gehen Photoelektronenenergie = [hP]*Häufigkeit des einfallenden Lichts

Leitungsbandenergie

Gehen Leitungsbandenergie = Energielücke+Valenzbandenergie

Valenzbandenergie

Gehen Valenzbandenergie = Leitungsbandenergie-Energielücke

Energielücke

Gehen Energielücke = Leitungsbandenergie-Valenzbandenergie

< 15 Halbleiterträger Taschenrechner

Intrinsische Trägerkonzentration

Gehen Intrinsische Trägerkonzentration = sqrt(Effektive Zustandsdichte im Valenzband*Effektive Zustandsdichte im Leitungsband)*exp(-Energielücke/(2*[BoltZ]*Temperatur))

Trägerlebensdauer

Gehen Trägerlebensdauer = 1/(Verhältnismäßigkeit für Rekombination*(Lochkonzentration im Volantband+Elektronenkonzentration im Leitungsband))

Radius der N-ten Umlaufbahn des Elektrons

Gehen Radius der n-ten Umlaufbahn des Elektrons = ([Coulomb]*Quantenzahl^2*[hP]^2)/(Teilchenmasse*[Charge-e]^2)

Elektronenflussdichte

Gehen Elektronenflussdichte = (Mittleres freies Wegelektron/(2*Zeit))*Unterschied in der Elektronenkonzentration

Quantenzustand

Gehen Energie im Quantenzustand = (Quantenzahl^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Teilchenmasse*Mögliche Bohrlochlänge^2)

Verteilungskoeffizient

Gehen Verteilungskoeffizient = Verunreinigungskonzentration im Feststoff/Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit

Elektronenvervielfachung

Gehen Elektronenmultiplikation = Anzahl der Elektronen außerhalb der Region/Anzahl der Elektronen in der Region

Fermi-Funktion

Gehen Fermi-Funktion = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Effektive Zustandsdichte im Leitungsband

Zustand der effektiven Dichte im Valenzband

Gehen Effektive Zustandsdichte im Valenzband = Lochkonzentration im Volantband/(1-Fermi-Funktion)

Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch

Gehen Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch = Optische Erzeugungsrate*Majority Carrier Decay

Übermäßige Trägerkonzentration

Gehen Überschüssige Trägerkonzentration = Optische Erzeugungsrate*Rekombinationslebensdauer

Photoelektronenenergie

Gehen Photoelektronenenergie = [hP]*Häufigkeit des einfallenden Lichts

Elektronenstromdichte

Gehen Elektronenstromdichte = Gesamtträgerstromdichte-Lochstromdichte

Lochstromdichte

Gehen Lochstromdichte = Gesamtträgerstromdichte-Elektronenstromdichte

Leitungsbandenergie

Gehen Leitungsbandenergie = Energielücke+Valenzbandenergie

Übermäßige Trägerkonzentration Formel

Überschüssige Trägerkonzentration = Optische Erzeugungsrate*Rekombinationslebensdauer
δ_n = g_op*τ_n

Wie erhöht man die Trägerkonzentration?

Das Absenken der Temperatur bewirkt eine Abnahme der intrinsischen Ladungsträgerkonzentration, während das Erhöhen der Temperatur eine Erhöhung der intrinsischen Ladungsträgerkonzentration bewirkt

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