Nadmierne stężenie nośnika Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

⤿

Nośniki półprzewodnikowe

Złącze SSD

✖Generacja optyczna Oceń liczbę elektronów generowanych w każdym punkcie urządzenia w wyniku absorpcji fotonów.ⓘ Szybkość generacji optycznej [g_op]			+10% -10%
✖Żywotność rekombinacji średni czas potrzebny do rekombinacji nadmiarowego nośnika mniejszościowego.ⓘ Żywotność rekombinacji [τ_n]			+10% -10%

✖Nadmiarowe stężenie nośnika to dodatkowy elektron obecny w stężeniu nośnika.ⓘ Nadmierne stężenie nośnika [δ_n]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Nadmierne stężenie nośnika

Formuła

`"δ"_{"n"} = "g"_{"op"}*"τ"_{"n"}`

Przykład

`"1E^14/m³"="2.9e19"*"3.62e-6s"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Zespół energetyczny Formuły PDF PDF Image

Nadmierne stężenie nośnika Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Nadmierne stężenie nośnika = Szybkość generacji optycznej*Żywotność rekombinacji
δ_n = g_op*τ_n
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Nadmierne stężenie nośnika - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Nadmiarowe stężenie nośnika to dodatkowy elektron obecny w stężeniu nośnika.
Szybkość generacji optycznej - Generacja optyczna Oceń liczbę elektronów generowanych w każdym punkcie urządzenia w wyniku absorpcji fotonów.
Żywotność rekombinacji - (Mierzone w Drugi) - Żywotność rekombinacji średni czas potrzebny do rekombinacji nadmiarowego nośnika mniejszościowego.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Szybkość generacji optycznej: 2.9E+19 --> Nie jest wymagana konwersja
Żywotność rekombinacji: 3.62E-06 Drugi --> 3.62E-06 Drugi Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

δ_n = g_op*τ_n --> 2.9E+19*3.62E-06

Ocenianie ... ...

δ_n = 104980000000000

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

104980000000000 1 na metr sześcienny --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

104980000000000 ≈ 1E+14 1 na metr sześcienny <-- Nadmierne stężenie nośnika

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Urządzenia półprzewodnikowe » Zespół energetyczny » Nadmierne stężenie nośnika

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 20 Zespół energetyczny Kalkulatory

Wewnętrzne stężenie nośnika

Iść Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym*Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa)*exp(-Przerwa energetyczna/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Iść Żywotność przewoźnika = 1/(Proporcjonalność dla rekombinacji*(Koncentracja dziur w paśmie Valance'a+Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa))

Energia elektronu przy danej stałej Coulomba

Iść Energia elektronu = (Liczba kwantowa^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Potencjalna długość studni^2)

Koncentracja elektronów w stanie ustalonym

Iść Stężenie nośników w stanie stacjonarnym = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa+Nadmierne stężenie nośnika

Koncentracja w paśmie przewodnictwa

Iść Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa = Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa*Funkcja Fermiego

Efektywna gęstość stanu

Iść Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Funkcja Fermiego

Funkcja Fermiego

Iść Funkcja Fermiego = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa

Efektywny stan gęstości w paśmie walencyjnym

Iść Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym = Koncentracja dziur w paśmie Valance'a/(1-Funkcja Fermiego)

Koncentracja dziur w paśmie walencyjnym

Iść Koncentracja dziur w paśmie Valance'a = Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym*(1-Funkcja Fermiego)

Żywotność rekombinacji

Iść Żywotność rekombinacji = (Proporcjonalność dla rekombinacji*Koncentracja dziur w paśmie Valance'a)^-1

Współczynnik dystrybucji

Iść Współczynnik dystrybucji = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Stężenie zanieczyszczeń w cieczy

Stężenie w płynie

Iść Stężenie zanieczyszczeń w cieczy = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Współczynnik dystrybucji

Szybkość zmian netto w paśmie przewodnictwa

Iść Proporcjonalność dla rekombinacji = Wytwarzanie ciepła/(Wewnętrzne stężenie nośnika^2)

Szybkość wytwarzania ciepła

Iść Wytwarzanie ciepła = Proporcjonalność dla rekombinacji*(Wewnętrzne stężenie nośnika^2)

Szybkość generacji optycznej

Iść Szybkość generacji optycznej = Nadmierne stężenie nośnika/Żywotność rekombinacji

Nadmierne stężenie nośnika

Iść Nadmierne stężenie nośnika = Szybkość generacji optycznej*Żywotność rekombinacji

Energia pasma przewodnictwa

Iść Energia pasma przewodnictwa = Przerwa energetyczna+Energia pasma walencyjnego

Energia pasma walencyjnego

Iść Energia pasma walencyjnego = Energia pasma przewodnictwa-Przerwa energetyczna

Przerwa energetyczna

Iść Przerwa energetyczna = Energia pasma przewodnictwa-Energia pasma walencyjnego

Energia fotoelektronów

Iść Energia fotoelektronów = [hP]*Częstotliwość padającego światła

< 15 Nośniki półprzewodnikowe Kalkulatory

Wewnętrzne stężenie nośnika

Iść Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym*Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa)*exp(-Przerwa energetyczna/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Iść Żywotność przewoźnika = 1/(Proporcjonalność dla rekombinacji*(Koncentracja dziur w paśmie Valance'a+Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa))

Gęstość strumienia elektronów

Iść Gęstość strumienia elektronów = (Średni elektron na swobodnej ścieżce/(2*Czas))*Różnica w koncentracji elektronów

Stan kwantowy

Iść Energia w stanie kwantowym = (Liczba kwantowa^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masa cząstek*Potencjalna długość studni^2)

Promień N-tej orbity elektronu

Iść Promień n-tej orbity elektronu = ([Coulomb]*Liczba kwantowa^2*[hP]^2)/(Masa cząstek*[Charge-e]^2)

Funkcja Fermiego

Iść Funkcja Fermiego = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa

Efektywny stan gęstości w paśmie walencyjnym

Iść Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym = Koncentracja dziur w paśmie Valance'a/(1-Funkcja Fermiego)

Średni czas spędzony przez dziurę

Iść Średni czas spędzony przez dziurę = Szybkość generacji optycznej*Upadek przewoźnika większościowego

Współczynnik dystrybucji

Iść Współczynnik dystrybucji = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Stężenie zanieczyszczeń w cieczy

Mnożenie elektronów

Iść Mnożenie elektronów = Liczba elektronów poza regionem/Liczba elektronów w regionie

Gęstość prądu elektronowego

Iść Gęstość prądu elektronowego = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu otworu

Gęstość prądu w otworze

Iść Gęstość prądu otworu = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu elektronowego

Nadmierne stężenie nośnika

Iść Nadmierne stężenie nośnika = Szybkość generacji optycznej*Żywotność rekombinacji

Energia pasma przewodnictwa

Iść Energia pasma przewodnictwa = Przerwa energetyczna+Energia pasma walencyjnego

Energia fotoelektronów

Iść Energia fotoelektronów = [hP]*Częstotliwość padającego światła

Nadmierne stężenie nośnika Formułę

Nadmierne stężenie nośnika = Szybkość generacji optycznej*Żywotność rekombinacji
δ_n = g_op*τ_n

Jak zwiększyć koncentrację nośnika?

Obniżenie temperatury powoduje spadek stężenia nośnika wewnętrznego, natomiast podwyższenie temperatury powoduje wzrost stężenia nośnika wewnętrznego

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!