Время выключения IGBT Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Время выключения = Время задержки+Начальное время падения+Время последней осени
Toff = Td+tf1+tf2
В этой формуле используются 4 Переменные
Используемые переменные
Время выключения - (Измеряется в Второй) - Время выключения представляет собой сумму времени хранения (t
Время задержки - (Измеряется в Второй) - Время задержки — это время, необходимое току коллектора для зарядки емкости базового эмиттера транзисторного устройства.
Начальное время падения - (Измеряется в Второй) - Начальное время спада IGBT — это время, необходимое для падения тока коллектора с 90% до 10% от его первоначального значения после отключения напряжения на затворе.
Время последней осени - (Измеряется в Второй) - Конечное время спада IGBT — это время, необходимое для того, чтобы ток коллектора упал с 10% до 1% от его первоначального значения после отключения напряжения на затворе.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Время задержки: 1.15 Второй --> 1.15 Второй Конверсия не требуется
Начальное время падения: 1.67 Второй --> 1.67 Второй Конверсия не требуется
Время последней осени: 0.652 Второй --> 0.652 Второй Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Toff = Td+tf1+tf2 --> 1.15+1.67+0.652
Оценка ... ...
Toff = 3.472
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
3.472 Второй --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
3.472 Второй <-- Время выключения
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Технологический институт Ачарья (АИТ), Бангалор
Мохамед Фазиль V создал этот калькулятор и еще 50+!
Verifier Image
Проверено Парминдер Сингх
Чандигархский университет (ТС), Пенджаб
Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

8 БТИЗ Калькуляторы

Номинальный непрерывный ток коллектора IGBT
​ Идти Прямой ток = (-Общее напряжение коллектора и эмиттера+sqrt((Общее напряжение коллектора и эмиттера)^2+4*Сопротивление коллектора и эмиттера*((Максимальный рабочий переход-Температура корпуса)/Термическое сопротивление)))/(2*Сопротивление коллектора и эмиттера)
Напряжение насыщения IGBT
​ Идти Напряжение насыщения коллектор-эмиттер = Базовое напряжение эмиттера PNP-транзистора+Ток стока*(Сопротивление проводимости IGBT+Сопротивление N-канала)
Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии
​ Идти Падение напряжения на этапе = Прямой ток*Сопротивление N-канала+Прямой ток*Сопротивление дрейфу+Напряжение Pn-перехода 1
Время выключения IGBT
​ Идти Время выключения = Время задержки+Начальное время падения+Время последней осени
Максимальная рассеиваемая мощность в IGBT
​ Идти Максимальная рассеиваемая мощность = Максимальный рабочий переход/Угол соединения с корпусом
Входная емкость IGBT
​ Идти Входная емкость = Емкость от затвора до эмиттера+Ворота к емкости коллектора
Напряжение пробоя прямосмещенного IGBT
​ Идти Пробивное напряжение в безопасной рабочей зоне = (5.34*10^13)/((Чистый положительный заряд)^(3/4))
Ток эмиттера IGBT
​ Идти Ток эмиттера = Ток отверстия+Электронный ток

Время выключения IGBT формула

Время выключения = Время задержки+Начальное время падения+Время последней осени
Toff = Td+tf1+tf2
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!