Ток эмиттера IGBT Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Ток эмиттера = Ток отверстия+Электронный ток
Iemiy = Ih+Ie
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Ток эмиттера - (Измеряется в Ампер) - Ток эмиттера IGBT — это ток, который течет в эмиттер устройства. Ток эмиттера определяется нагрузкой, подключенной к коллектору IGBT.
Ток отверстия - (Измеряется в Ампер) - Дырочный ток в IGBT — это ток, который течет через IGBT в направлении, противоположном нормальному потоку электронов.
Электронный ток - (Измеряется в Ампер) - Электронный ток Когда на затвор подается напряжение, IGBT включается и позволяет электронам течь от эмиттера к коллектору.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Ток отверстия: 12.2 Миллиампер --> 0.0122 Ампер (Проверьте преобразование ​здесь)
Электронный ток: 0.323 Миллиампер --> 0.000323 Ампер (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Iemiy = Ih+Ie --> 0.0122+0.000323
Оценка ... ...
Iemiy = 0.012523
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.012523 Ампер -->12.523 Миллиампер (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
12.523 Миллиампер <-- Ток эмиттера
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Технологический институт Ачарья (АИТ), Бангалор
Мохамед Фазиль V создал этот калькулятор и еще 50+!
Verifier Image
Проверено Парминдер Сингх
Чандигархский университет (ТС), Пенджаб
Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

8 БТИЗ Калькуляторы

Номинальный непрерывный ток коллектора IGBT
​ Идти Прямой ток = (-Общее напряжение коллектора и эмиттера+sqrt((Общее напряжение коллектора и эмиттера)^2+4*Сопротивление коллектора и эмиттера*((Максимальный рабочий переход-Температура корпуса)/Термическое сопротивление)))/(2*Сопротивление коллектора и эмиттера)
Напряжение насыщения IGBT
​ Идти Напряжение насыщения коллектор-эмиттер = Базовое напряжение эмиттера PNP-транзистора+Ток стока*(Сопротивление проводимости IGBT+Сопротивление N-канала)
Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии
​ Идти Падение напряжения на этапе = Прямой ток*Сопротивление N-канала+Прямой ток*Сопротивление дрейфу+Напряжение Pn-перехода 1
Время выключения IGBT
​ Идти Время выключения = Время задержки+Начальное время падения+Время последней осени
Максимальная рассеиваемая мощность в IGBT
​ Идти Максимальная рассеиваемая мощность = Максимальный рабочий переход/Угол соединения с корпусом
Входная емкость IGBT
​ Идти Входная емкость = Емкость от затвора до эмиттера+Ворота к емкости коллектора
Напряжение пробоя прямосмещенного IGBT
​ Идти Пробивное напряжение в безопасной рабочей зоне = (5.34*10^13)/((Чистый положительный заряд)^(3/4))
Ток эмиттера IGBT
​ Идти Ток эмиттера = Ток отверстия+Электронный ток

Ток эмиттера IGBT формула

Ток эмиттера = Ток отверстия+Электронный ток
Iemiy = Ih+Ie
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!