Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии Калькулятор

✖Прямой ток IGBT — это максимальный ток, который может протекать через устройство при его включении.ⓘ Прямой ток [I_f]			+10% -10%
✖Сопротивление N-канала IGBT — это сопротивление полупроводникового материала в устройстве, когда IGBT включен.ⓘ Сопротивление N-канала [R_ch]			+10% -10%
✖Дрейфовое сопротивление IGBT — это область N-дрейфа полупроводникового материала в устройстве. Область N-дрейфа представляет собой толстый легированный кремний, который отделяет коллектор от области P-базы.ⓘ Сопротивление дрейфу [R_d]			+10% -10%
✖Напряжение Pn перехода 1 вызвано потенциальным барьером, существующим на переходе. Этот потенциальный барьер создается диффузией носителей заряда через переход.ⓘ Напряжение Pn-перехода 1 [V_j1]			+10% -10%

✖Стадия падения напряжения в IGBT – это разница напряжений между клеммами коллектора и эмиттера, когда IGBT включен. В устройстве используется полупроводниковый материал.ⓘ Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии [V_drop]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии

Формула

`"V"_{"drop"} = "I"_{"f"}*"R"_{"ch"}+"I"_{"f"}*"R"_{"d"}+"V"_{"j1"}`

Пример

`"20.2533V"="1.69mA"*"10.59kΩ"+"1.69mA"*"0.98kΩ"+"0.7V"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Силовая электроника формула PDF PDF Image

Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Падение напряжения на этапе = Прямой ток*Сопротивление N-канала+Прямой ток*Сопротивление дрейфу+Напряжение Pn-перехода 1
V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1
В этой формуле используются 5 Переменные

Используемые переменные

Падение напряжения на этапе - (Измеряется в вольт) - Стадия падения напряжения в IGBT – это разница напряжений между клеммами коллектора и эмиттера, когда IGBT включен. В устройстве используется полупроводниковый материал.
Прямой ток - (Измеряется в Ампер) - Прямой ток IGBT — это максимальный ток, который может протекать через устройство при его включении.
Сопротивление N-канала - (Измеряется в ом) - Сопротивление N-канала IGBT — это сопротивление полупроводникового материала в устройстве, когда IGBT включен.
Сопротивление дрейфу - (Измеряется в ом) - Дрейфовое сопротивление IGBT — это область N-дрейфа полупроводникового материала в устройстве. Область N-дрейфа представляет собой толстый легированный кремний, который отделяет коллектор от области P-базы.
Напряжение Pn-перехода 1 - (Измеряется в вольт) - Напряжение Pn перехода 1 вызвано потенциальным барьером, существующим на переходе. Этот потенциальный барьер создается диффузией носителей заряда через переход.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Прямой ток: 1.69 Миллиампер --> 0.00169 Ампер (Проверьте преобразование здесь)
Сопротивление N-канала: 10.59 килоом --> 10590 ом (Проверьте преобразование здесь)
Сопротивление дрейфу: 0.98 килоом --> 980 ом (Проверьте преобразование здесь)
Напряжение Pn-перехода 1: 0.7 вольт --> 0.7 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1 --> 0.00169*10590+0.00169*980+0.7

Оценка ... ...

V_drop = 20.2533

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

20.2533 вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

20.2533 вольт <-- Падение напряжения на этапе

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электрические » Силовая электроника » Усовершенствованные транзисторные устройства » БТИЗ » Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии

Кредиты

Сделано Мохамед Фазиль V

Технологический институт Ачарья (АИТ), Бангалор

Мохамед Фазиль V создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

< 8 БТИЗ Калькуляторы

Номинальный непрерывный ток коллектора IGBT

Идти Прямой ток = (-Общее напряжение коллектора и эмиттера+sqrt((Общее напряжение коллектора и эмиттера)^2+4*Сопротивление коллектора и эмиттера*((Максимальный рабочий переход-Температура корпуса)/Термическое сопротивление)))/(2*Сопротивление коллектора и эмиттера)

Напряжение насыщения IGBT

Идти Напряжение насыщения коллектор-эмиттер = Базовое напряжение эмиттера PNP-транзистора+Ток стока*(Сопротивление проводимости IGBT+Сопротивление N-канала)

Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии

Идти Падение напряжения на этапе = Прямой ток*Сопротивление N-канала+Прямой ток*Сопротивление дрейфу+Напряжение Pn-перехода 1

Время выключения IGBT

Идти Время выключения = Время задержки+Начальное время падения+Время последней осени

Максимальная рассеиваемая мощность в IGBT

Идти Максимальная рассеиваемая мощность = Максимальный рабочий переход/Угол соединения с корпусом

Входная емкость IGBT

Идти Входная емкость = Емкость от затвора до эмиттера+Ворота к емкости коллектора

Напряжение пробоя прямосмещенного IGBT

Идти Пробивное напряжение в безопасной рабочей зоне = (5.34*10^13)/((Чистый положительный заряд)^(3/4))

Ток эмиттера IGBT

Идти Ток эмиттера = Ток отверстия+Электронный ток

Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии формула

Падение напряжения на этапе = Прямой ток*Сопротивление N-канала+Прямой ток*Сопротивление дрейфу+Напряжение Pn-перехода 1
V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!