IGBT-uitschakeltijd Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Schakel de tijd UIT = Vertragingstijd+Initiële herfsttijd+Laatste herfsttijd
Toff = Td+tf1+tf2
Deze formule gebruikt 4 Variabelen
Variabelen gebruikt
Schakel de tijd UIT - (Gemeten in Seconde) - uitschakeltijd is de som van de opslagtijd (t
Vertragingstijd - (Gemeten in Seconde) - Vertragingstijd is de tijd die de collectorstroom nodig heeft om de basis-emittercapaciteit van een transistorapparaat op te laden.
Initiële herfsttijd - (Gemeten in Seconde) - De initiële valtijd van een IGBT is de tijd die nodig is voordat de collectorstroom daalt van 90% naar 10% van de initiële waarde nadat de poortspanning is uitgeschakeld.
Laatste herfsttijd - (Gemeten in Seconde) - De uiteindelijke valtijd van een IGBT is de tijd die nodig is voordat de collectorstroom daalt van 10% naar 1% van de initiële waarde nadat de poortspanning is uitgeschakeld.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Vertragingstijd: 1.15 Seconde --> 1.15 Seconde Geen conversie vereist
Initiële herfsttijd: 1.67 Seconde --> 1.67 Seconde Geen conversie vereist
Laatste herfsttijd: 0.652 Seconde --> 0.652 Seconde Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Toff = Td+tf1+tf2 --> 1.15+1.67+0.652
Evalueren ... ...
Toff = 3.472
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
3.472 Seconde --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
3.472 Seconde <-- Schakel de tijd UIT
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Mohammed Fazil V
Acharya instituut voor technologie (AIT), Bengaluru
Mohammed Fazil V heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Parminder Singh
Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

8 IGBT Rekenmachines

Nominale continue collectorstroom van IGBT
​ Gaan Voorwaartse stroming = (-Totale spanning van collector en emitter+sqrt((Totale spanning van collector en emitter)^2+4*Weerstand van collector en emitter*((Maximaal operationeel kruispunt-Temperatuur behuizing)/Thermische weerstand)))/(2*Weerstand van collector en emitter)
Spanningsdaling in IGBT in AAN-status
​ Gaan Spanningsdaling OP het podium = Voorwaartse stroming*N-kanaal weerstand+Voorwaartse stroming*Weerstand tegen drift+Spanning Pn-verbinding 1
Verzadigingsspanning van IGBT
​ Gaan Verzadigingsspanning van collector naar emitter = Basis-emitterspanning van PNP-transistor+Afvoerstroom*(Geleidbaarheid weerstand+N-kanaal weerstand)
IGBT-uitschakeltijd
​ Gaan Schakel de tijd UIT = Vertragingstijd+Initiële herfsttijd+Laatste herfsttijd
Maximale vermogensdissipatie in IGBT
​ Gaan Maximale vermogensdissipatie = Maximaal operationeel kruispunt/Verbinding met hoek van behuizing
Ingangscapaciteit van IGBT
​ Gaan Ingangscapaciteit = Poort naar emittercapaciteit+Poort naar collectorcapaciteit
Doorslagspanning van voorwaartse bias van IGBT
​ Gaan Doorslagspanning op veilig werkgebied = (5.34*10^13)/((Netto positieve lading)^(3/4))
Emitterstroom van IGBT
​ Gaan Zenderstroom = Gatenstroom+Elektronische stroom

IGBT-uitschakeltijd Formule

Schakel de tijd UIT = Vertragingstijd+Initiële herfsttijd+Laatste herfsttijd
Toff = Td+tf1+tf2
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!