Переходный ток Калькулятор

✖Статическая мощность определяется как ток утечки из-за очень низкого статического энергопотребления в устройствах CMOS.ⓘ Статическая мощность [P_st]			+10% -10%
✖Напряжение базового коллектора является важнейшим параметром смещения транзистора. Это относится к разнице напряжений между базовыми и коллекторными выводами транзистора, когда он находится в активном состоянии.ⓘ Базовое напряжение коллектора [V_bc]			+10% -10%
✖Подпороговый ток — это подпороговая утечка через выключенные транзисторы.ⓘ Подпороговый ток [i_st]			+10% -10%
✖Конфликтный ток определяется как конфликтный ток, возникающий в нормированных цепях.ⓘ Текущий конфликт [i_con]			+10% -10%
✖Ток затвора определяется как отсутствие напряжения между клеммами затвора и истока, в стоке не течет ток, кроме тока утечки, из-за очень высокого импеданса сток-исток.ⓘ Ток затвора [i_g]			+10% -10%

✖Ток перехода — это утечка перехода из-за диффузии истока/стока.ⓘ Переходный ток [i_j]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Переходный ток

Формула

`"i"_{"j"} = ("P"_{"st"}/"V"_{"bc"})-("i"_{"st"}+"i"_{"con"}+"i"_{"g"})`

Пример

`"134.8167mA"=("0.37W"/"2.22V")-("1.6mA"+"25.75mA"+"4.5mA")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF

Переходный ток Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Ток перехода = (Статическая мощность/Базовое напряжение коллектора)-(Подпороговый ток+Текущий конфликт+Ток затвора)
i_j = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_g)
В этой формуле используются 6 Переменные

Используемые переменные

Ток перехода - (Измеряется в Ампер) - Ток перехода — это утечка перехода из-за диффузии истока/стока.
Статическая мощность - (Измеряется в Ватт) - Статическая мощность определяется как ток утечки из-за очень низкого статического энергопотребления в устройствах CMOS.
Базовое напряжение коллектора - (Измеряется в вольт) - Напряжение базового коллектора является важнейшим параметром смещения транзистора. Это относится к разнице напряжений между базовыми и коллекторными выводами транзистора, когда он находится в активном состоянии.
Подпороговый ток - (Измеряется в Ампер) - Подпороговый ток — это подпороговая утечка через выключенные транзисторы.
Текущий конфликт - (Измеряется в Ампер) - Конфликтный ток определяется как конфликтный ток, возникающий в нормированных цепях.
Ток затвора - (Измеряется в Ампер) - Ток затвора определяется как отсутствие напряжения между клеммами затвора и истока, в стоке не течет ток, кроме тока утечки, из-за очень высокого импеданса сток-исток.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Статическая мощность: 0.37 Ватт --> 0.37 Ватт Конверсия не требуется
Базовое напряжение коллектора: 2.22 вольт --> 2.22 вольт Конверсия не требуется
Подпороговый ток: 1.6 Миллиампер --> 0.0016 Ампер (Проверьте преобразование здесь)
Текущий конфликт: 25.75 Миллиампер --> 0.02575 Ампер (Проверьте преобразование здесь)
Ток затвора: 4.5 Миллиампер --> 0.0045 Ампер (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

i_j = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_g) --> (0.37/2.22)-(0.0016+0.02575+0.0045)

Оценка ... ...

i_j = 0.134816666666667

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.134816666666667 Ампер -->134.816666666667 Миллиампер (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

134.816666666667 ≈ 134.8167 Миллиампер <-- Ток перехода

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Изготовление СБИС » Оптимизация материалов СБИС » Переходный ток

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 25 Оптимизация материалов СБИС Калькуляторы

Плотность заряда области массового истощения СБИС

Идти Плотность заряда области массового истощения = -(1-((Боковая протяженность области истощения с источником+Боковая протяженность области истощения с дренажом)/(2*Длина канала)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Концентрация акцептора*abs(2*Поверхностный потенциал))

Коэффициент эффекта тела

Идти Коэффициент эффекта тела = modulus((Пороговое напряжение-Пороговое напряжение DIBL)/(sqrt(Поверхностный потенциал+(Разница в потенциале исходного тела))-sqrt(Поверхностный потенциал)))

Соединение Встроенное напряжение СБИС

Идти Встроенное напряжение соединения = ([BoltZ]*Температура/[Charge-e])*ln(Концентрация акцептора*Концентрация доноров/(Внутренняя концентрация)^2)

Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС

Идти Глубина истощения Pn-перехода с источником = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Встроенное напряжение соединения)/([Charge-e]*Концентрация акцептора))

Общая паразитная емкость источника

Идти Паразитная емкость источника = (Емкость между соединением тела и источника*Область диффузии источника)+(Емкость между соединением корпуса и боковой стенкой*Периметр боковой стенки диффузии источника)

Ток насыщения короткого канала СБИС

Идти Ток насыщения короткого канала = ширина канала*Скорость дрейфа электронов насыщения*Оксидная емкость на единицу площади*Напряжение источника насыщения, стока

Переходный ток

Идти Ток перехода = (Статическая мощность/Базовое напряжение коллектора)-(Подпороговый ток+Текущий конфликт+Ток затвора)

Поверхностный потенциал

Идти Поверхностный потенциал = 2*Разница в потенциале исходного тела*ln(Концентрация акцептора/Внутренняя концентрация)

DIBL Коэффициент

Идти Коэффициент DIBL = (Пороговое напряжение DIBL-Пороговое напряжение)/Сток в источник потенциала

Пороговое напряжение, когда источник соответствует потенциалу тела

Идти Пороговое напряжение DIBL = Коэффициент DIBL*Сток в источник потенциала+Пороговое напряжение

Оксидная емкость после полного масштабирования СБИС

Идти Оксидная емкость после полного масштабирования = Оксидная емкость на единицу площади*Коэффициент масштабирования

Пороговое напряжение

Идти Пороговое напряжение = Ворота к напряжению канала-(Плата за канал/Емкость затвора)

Емкость затвора

Идти Емкость затвора = Плата за канал/(Ворота к напряжению канала-Пороговое напряжение)

Плата за канал

Идти Плата за канал = Емкость затвора*(Ворота к напряжению канала-Пороговое напряжение)

Подпороговый наклон

Идти Подпороговый наклон = Разница в потенциале исходного тела*Коэффициент DIBL*ln(10)

Длина затвора с использованием оксидной емкости затвора

Идти Длина ворот = Емкость затвора/(Емкость оксидного слоя затвора*Ширина ворот)

Оксидная емкость затвора

Идти Емкость оксидного слоя затвора = Емкость затвора/(Ширина ворот*Длина ворот)

Толщина оксида затвора после полного масштабирования СБИС

Идти Толщина оксида затвора после полного масштабирования = Толщина оксида ворот/Коэффициент масштабирования

Глубина соединения после полного масштабирования СБИС

Идти Глубина соединения после полного масштабирования = Глубина соединения/Коэффициент масштабирования

Критическое напряжение

Идти Критическое напряжение = Критическое электрическое поле*Электрическое поле по длине канала

Ширина канала после полного масштабирования СБИС

Идти Ширина канала после полного масштабирования = ширина канала/Коэффициент масштабирования

Длина канала после полного масштабирования СБИС

Идти Длина канала после полного масштабирования = Длина канала/Коэффициент масштабирования

Внутренняя емкость затвора

Идти Емкость перекрытия МОП-затвора = Емкость МОП-ворота*Ширина перехода

Мобильность в Mosfet

Идти Мобильность в MOSFET = К Прайм/Емкость оксидного слоя затвора

K-Prime

Идти К Прайм = Мобильность в MOSFET*Емкость оксидного слоя затвора

Переходный ток формула

Ток перехода = (Статическая мощность/Базовое напряжение коллектора)-(Подпороговый ток+Текущий конфликт+Ток затвора)
i_j = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_g)

MOSFET - это устройство управления током?

МОП-транзистор, как и полевой транзистор, представляет собой устройство, управляемое напряжением. Входное напряжение на затвор управляет потоком тока от истока к стоку. Ворота не потребляют постоянный ток.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!