Corrente di giunzione Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Corrente di giunzione = (Potenza statica/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente di contesa+Corrente del cancello)
ij = (Pst/Vbc)-(ist+icon+ig)
Questa formula utilizza 6 Variabili
Variabili utilizzate
Corrente di giunzione - (Misurato in Ampere) - La corrente di giunzione è la perdita di giunzione dalle diffusioni source/drain.
Potenza statica - (Misurato in Watt) - La potenza statica è definita come la corrente di dispersione dovuta al bassissimo consumo di energia statica nei dispositivi CMOS.
Tensione del collettore di base - (Misurato in Volt) - La tensione del collettore di base è un parametro cruciale nella polarizzazione dei transistor. Si riferisce alla differenza di tensione tra la base e i terminali del collettore del transistor quando è nel suo stato attivo.
Corrente sottosoglia - (Misurato in Ampere) - La corrente di sottosoglia è la dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF.
Corrente di contesa - (Misurato in Ampere) - La corrente di contesa è definita come la corrente di contesa che si verifica nei circuiti rapportati.
Corrente del cancello - (Misurato in Ampere) - La corrente di gate è definita come quando non c'è tensione tra i terminali di gate e source, non scorre corrente nel drain tranne la corrente di dispersione, a causa di un'impedenza drain-source molto elevata.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Potenza statica: 0.37 Watt --> 0.37 Watt Nessuna conversione richiesta
Tensione del collettore di base: 2.22 Volt --> 2.22 Volt Nessuna conversione richiesta
Corrente sottosoglia: 1.6 Millampere --> 0.0016 Ampere (Controlla la conversione qui)
Corrente di contesa: 25.75 Millampere --> 0.02575 Ampere (Controlla la conversione qui)
Corrente del cancello: 4.5 Millampere --> 0.0045 Ampere (Controlla la conversione qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
ij = (Pst/Vbc)-(ist+icon+ig) --> (0.37/2.22)-(0.0016+0.02575+0.0045)
Valutare ... ...
ij = 0.134816666666667
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.134816666666667 Ampere -->134.816666666667 Millampere (Controlla la conversione qui)
RISPOSTA FINALE
134.816666666667 134.8167 Millampere <-- Corrente di giunzione
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

25 Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Densità di carica della regione di esaurimento di massa VLSI
Partire Densità di carica della regione di esaurimento di massa = -(1-((Estensione laterale della regione di esaurimento con la sorgente+Estensione laterale della regione di esaurimento con drenaggio)/(2*Lunghezza del canale)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentrazione dell'accettore*abs(2*Potenziale di superficie))
Coefficiente di effetto corporeo
Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))
Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI
Partire Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensione incorporata di giunzione)/([Charge-e]*Concentrazione dell'accettore))
Tensione incorporata di giunzione VLSI
Partire Tensione incorporata di giunzione = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori/(Concentrazione intrinseca)^2)
Capacità parassita della sorgente totale
Partire Capacità parassita della sorgente = (Capacità tra giunzione del corpo e sorgente*Area di diffusione della sorgente)+(Capacità tra la giunzione del corpo e la parete laterale*Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente)
Corrente di saturazione del canale corto VLSI
Partire Corrente di saturazione del canale corto = Larghezza del canale*Velocità di deriva degli elettroni in saturazione*Capacità di ossido per unità di area*Tensione della sorgente di drenaggio di saturazione
Corrente di giunzione
Partire Corrente di giunzione = (Potenza statica/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente di contesa+Corrente del cancello)
Potenziale di superficie
Partire Potenziale di superficie = 2*Differenza di potenziale del corpo sorgente*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca)
Lunghezza del gate utilizzando la capacità dell'ossido di gate
Partire Lunghezza del cancello = Capacità del cancello/(Capacità dello strato di ossido di gate*Larghezza del cancello)
Capacità dell'ossido di gate
Partire Capacità dello strato di ossido di gate = Capacità del cancello/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)
Tensione di soglia quando la sorgente è al potenziale corporeo
Partire Tensione di soglia DIBL = Coefficiente DIBL*Drenare al potenziale di origine+Soglia di voltaggio
Coefficiente DIBL
Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine
Soglia di voltaggio
Partire Soglia di voltaggio = Voltaggio da gate a canale-(Carica del canale/Capacità del cancello)
Capacità del gate
Partire Capacità del cancello = Carica del canale/(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)
Pendenza sottosoglia
Partire Pendenza sottosoglia = Differenza di potenziale del corpo sorgente*Coefficiente DIBL*ln(10)
Channel Charge
Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)
Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI
Partire Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo = Capacità di ossido per unità di area*Fattore di scala
Profondità di giunzione dopo il ridimensionamento completo VLSI
Partire Profondità della giunzione dopo il ridimensionamento completo = Profondità di giunzione/Fattore di scala
Spessore dell'ossido di gate dopo il ridimensionamento completo VLSI
Partire Spessore dell'ossido di gate dopo la scalatura completa = Spessore dell'ossido di gate/Fattore di scala
Lunghezza del canale dopo il ridimensionamento completo VLSI
Partire Lunghezza del canale dopo il ridimensionamento completo = Lunghezza del canale/Fattore di scala
Larghezza del canale dopo il ridimensionamento completo VLSI
Partire Larghezza del canale dopo il ridimensionamento completo = Larghezza del canale/Fattore di scala
Tensione critica
Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale
Capacità intrinseca di gate
Partire Capacità di sovrapposizione del gate MOS = Capacità del gate MOS*Larghezza di transizione
Mobilità in Mosfet
Partire Mobilità nei MOSFET = K Primo/Capacità dello strato di ossido di gate
K-Prime
Partire K Primo = Mobilità nei MOSFET*Capacità dello strato di ossido di gate

Corrente di giunzione Formula

Corrente di giunzione = (Potenza statica/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente di contesa+Corrente del cancello)
ij = (Pst/Vbc)-(ist+icon+ig)

Il MOSFET è un dispositivo di controllo della corrente?

Il MOSFET, come il FET, è un dispositivo controllato in tensione. Un ingresso di tensione al gate controlla il flusso di corrente dalla sorgente allo scarico. Il cancello non assorbe una corrente continua.

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