Емкость перехода Калькулятор

✖Область перехода — это граница или область интерфейса между двумя типами полупроводниковых материалов в p-n-диоде.ⓘ Зона соединения [A_j]			+10% -10%
✖Смещение постоянной длины относится к фиксированной или постоянной настройке, которая добавляется или вычитается из измеренной или заданной длины.ⓘ Смещение постоянной длины [k]			+10% -10%
✖Концентрация легирования основания представляет собой количество примесей, добавленных к основанию.ⓘ Легирующая концентрация основания [N_B]			+10% -10%
✖Напряжение источника — это разница электрических потенциалов между двумя точками, которая определяется как работа, необходимая на единицу заряда для перемещения пробного заряда между двумя точками.ⓘ Напряжение источника [V]			+10% -10%
✖Напряжение источника 1 — это давление источника питания электрической цепи, которое проталкивает заряженные электроны (ток) через проводящую петлю, позволяя им выполнять работу, например, освещать свет.ⓘ Напряжение источника 1 [V₁]			+10% -10%

✖Емкость перехода определяется как емкость, которая образуется в диоде с PN-переходом при обратном смещении.ⓘ Емкость перехода [C_j]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Емкость перехода

Формула

`"C"_{"j"} = ("A"_{"j"}/2)*sqrt((2*"[Charge-e]"*"k"*"N"_{"B"})/("V"-"V"_{"1"}))`

Пример

`"0.02304μF"=("5401.3µm²"/2)*sqrt((2*"[Charge-e]"*"1.59μm"*"1e28/m³")/("120V"-"50V"))`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать SSD-соединение Формулы PDF PDF Image

Емкость перехода Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Емкость перехода = (Зона соединения/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Смещение постоянной длины*Легирующая концентрация основания)/(Напряжение источника-Напряжение источника 1))
C_j = (A_j/2)*sqrt((2*[Charge-e]*k*N_B)/(V-V₁))
В этой формуле используются 1 Константы, 1 Функции, 6 Переменные

Используемые константы

[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые функции

sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)

Используемые переменные

Емкость перехода - (Измеряется в фарада) - Емкость перехода определяется как емкость, которая образуется в диоде с PN-переходом при обратном смещении.
Зона соединения - (Измеряется в Квадратный метр) - Область перехода — это граница или область интерфейса между двумя типами полупроводниковых материалов в p-n-диоде.
Смещение постоянной длины - (Измеряется в метр) - Смещение постоянной длины относится к фиксированной или постоянной настройке, которая добавляется или вычитается из измеренной или заданной длины.
Легирующая концентрация основания - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация легирования основания представляет собой количество примесей, добавленных к основанию.
Напряжение источника - (Измеряется в вольт) - Напряжение источника — это разница электрических потенциалов между двумя точками, которая определяется как работа, необходимая на единицу заряда для перемещения пробного заряда между двумя точками.
Напряжение источника 1 - (Измеряется в вольт) - Напряжение источника 1 — это давление источника питания электрической цепи, которое проталкивает заряженные электроны (ток) через проводящую петлю, позволяя им выполнять работу, например, освещать свет.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Зона соединения: 5401.3 Площадь микрометра --> 5.4013E-09 Квадратный метр (Проверьте преобразование здесь)
Смещение постоянной длины: 1.59 микрометр --> 1.59E-06 метр (Проверьте преобразование здесь)
Легирующая концентрация основания: 1E+28 1 на кубический метр --> 1E+28 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Напряжение источника: 120 вольт --> 120 вольт Конверсия не требуется
Напряжение источника 1: 50 вольт --> 50 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

C_j = (A_j/2)*sqrt((2*[Charge-e]*k*N_B)/(V-V₁)) --> (5.4013E-09/2)*sqrt((2*[Charge-e]*1.59E-06*1E+28)/(120-50))

Оценка ... ...

C_j = 2.30402951890085E-08

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

2.30402951890085E-08 фарада -->0.0230402951890085 Микрофарад (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.0230402951890085 ≈ 0.02304 Микрофарад <-- Емкость перехода

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Твердотельные устройства » SSD-соединение » Емкость перехода

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 16 SSD-соединение Калькуляторы

Емкость перехода

Идти Емкость перехода = (Зона соединения/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Смещение постоянной длины*Легирующая концентрация основания)/(Напряжение источника-Напряжение источника 1))

Длина соединения на стороне P

Идти Длина соединения на стороне P = (Оптический ток/([Charge-e]*Зона соединения*Скорость оптической генерации))-(Ширина перехода соединения+Диффузионная длина переходной области)

Последовательное сопротивление P-типа

Идти Последовательное сопротивление в P-переходе = ((Напряжение источника-Напряжение соединения)/Электрический ток)-Последовательное сопротивление в N-переходе

Последовательное сопротивление типа N

Идти Последовательное сопротивление в N-переходе = ((Напряжение источника-Напряжение соединения)/Электрический ток)-Последовательное сопротивление в P-переходе

Переходное напряжение

Идти Напряжение соединения = Напряжение источника-(Последовательное сопротивление в P-переходе+Последовательное сопротивление в N-переходе)*Электрический ток

Ширина перехода соединения

Идти Ширина перехода соединения = Проникновение заряда N-типа*((Концентрация акцептора+Концентрация доноров)/Концентрация акцептора)

Площадь поперечного сечения соединения

Идти Зона соединения = Общий заряд акцептора/([Charge-e]*Проникновение заряда N-типа*Концентрация акцептора)

Концентрация акцептора

Идти Концентрация акцептора = Общий заряд акцептора/([Charge-e]*Проникновение заряда N-типа*Зона соединения)

Ширина N-типа

Идти Проникновение заряда N-типа = Общий заряд акцептора/(Зона соединения*Концентрация акцептора*[Charge-e])

Общий заряд акцептора

Идти Общий заряд акцептора = [Charge-e]*Проникновение заряда N-типа*Зона соединения*Концентрация акцептора

Концентрация доноров

Идти Концентрация доноров = Общий заряд акцептора/([Charge-e]*Проникновение заряда P-типа*Зона соединения)

Коэффициент поглощения

Идти Коэффициент поглощения = (-1/Толщина образца)*ln(Поглощенная мощность/Мощность инцидента)

Поглощенная мощность

Идти Поглощенная мощность = Мощность инцидента*exp(-Толщина образца*Коэффициент поглощения)

Чистое распределение заряда

Идти Чистое распределение = (Концентрация доноров-Концентрация акцептора)/Оцененная постоянная

Длина соединения PN

Идти Длина соединения = Смещение постоянной длины+Эффективная длина канала

Квантовое число

Идти Квантовое число = [Coulomb]*Потенциальная длина скважины/3.14

Емкость перехода формула

Что такое емкость перехода, как она зависит от смещения?

Диод может иметь две разные емкости, а именно емкость перехода и емкость диффузии. Емкость перехода: преобладает, когда диод смещен в обратном направлении, и является результатом заряда, хранящегося в слое истощения.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!