Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET Калькулятор

✖Напряжение затвор-исток является критическим параметром, влияющим на работу полевого транзистора, и его часто используют для управления поведением устройства.ⓘ Напряжение затвор-исток [V_gs]			+10% -10%
✖Угловая частота волны относится к угловому смещению в единицу времени. Это скалярная мера скорости вращения.ⓘ Угловая частота [ω]			+10% -10%
✖Емкость затвора истока — это мера емкости между электродами истока и затвора в полевом транзисторе (FET).ⓘ Емкость затвора источника [C_sg]			+10% -10%
✖Емкость затвор-сток — это паразитная емкость, которая существует между электродами затвора и стока полевого транзистора (FET).ⓘ Емкость затвор-сток [C_gd]			+10% -10%

✖Входной ток может относиться к электрическому току, который течет в электрическое устройство или цепь. Этот ток может быть переменным или постоянным в зависимости от устройства и источника питания.ⓘ Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET [I_in]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET

Формула

`"I"_{"in"} = "V"_{"gs"}*("ω"*("C"_{"sg"}+"C"_{"gd"}))`

Пример

`"2.00112mA"="4V"*("33rad/s"*("8.16μF"+"7μF"))`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Входной ток = Напряжение затвор-исток*(Угловая частота*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))
I_in = V_gs*(ω*(C_sg+C_gd))
В этой формуле используются 5 Переменные

Используемые переменные

Входной ток - (Измеряется в Ампер) - Входной ток может относиться к электрическому току, который течет в электрическое устройство или цепь. Этот ток может быть переменным или постоянным в зависимости от устройства и источника питания.
Напряжение затвор-исток - (Измеряется в вольт) - Напряжение затвор-исток является критическим параметром, влияющим на работу полевого транзистора, и его часто используют для управления поведением устройства.
Угловая частота - (Измеряется в Радиан в секунду) - Угловая частота волны относится к угловому смещению в единицу времени. Это скалярная мера скорости вращения.
Емкость затвора источника - (Измеряется в фарада) - Емкость затвора истока — это мера емкости между электродами истока и затвора в полевом транзисторе (FET).
Емкость затвор-сток - (Измеряется в фарада) - Емкость затвор-сток — это паразитная емкость, которая существует между электродами затвора и стока полевого транзистора (FET).

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Напряжение затвор-исток: 4 вольт --> 4 вольт Конверсия не требуется
Угловая частота: 33 Радиан в секунду --> 33 Радиан в секунду Конверсия не требуется
Емкость затвора источника: 8.16 Микрофарад --> 8.16E-06 фарада (Проверьте преобразование здесь)
Емкость затвор-сток: 7 Микрофарад --> 7E-06 фарада (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

I_in = V_gs*(ω*(C_sg+C_gd)) --> 4*(33*(8.16E-06+7E-06))

Оценка ... ...

I_in = 0.00200112

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.00200112 Ампер -->2.00112 Миллиампер (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

2.00112 Миллиампер <-- Входной ток

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Напряжение » Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 20 Напряжение Калькуляторы

Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник»

Идти Проводимость канала = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*ширина канала/Длина канала*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)

Выходное напряжение общего затвора

Идти Выходное напряжение = -(крутизна*Критическое напряжение)*((Сопротивление нагрузки*Сопротивление ворот)/(Сопротивление ворот+Сопротивление нагрузки))

Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением

Идти Напряжение затвор-исток = Пороговое напряжение+sqrt((2*Ток смещения постоянного тока)/(Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон))

Входное напряжение источника

Идти Входное напряжение источника = Входное напряжение*(Сопротивление входного усилителя/(Сопротивление входного усилителя+Эквивалентное сопротивление источника))

Выходное напряжение на стоке Q1 полевого МОП-транзистора при синфазном сигнале

Идти Напряжение стока Q1 = -Выходное сопротивление*(крутизна*Синфазный входной сигнал)/(1+(2*крутизна*Выходное сопротивление))

Входное напряжение затвор-исток

Идти Критическое напряжение = (Сопротивление входного усилителя/(Сопротивление входного усилителя+Эквивалентное сопротивление источника))*Входное напряжение

Выходное напряжение на стоке Q2 MOSFET при синфазном сигнале

Идти Напряжение стока Q2 = -(Выходное сопротивление/((1/крутизна)+2*Выходное сопротивление))*Синфазный входной сигнал

Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET

Идти Входной ток = Напряжение затвор-исток*(Угловая частота*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))

Напряжение на затворе и истоке MOSFET при заданном входном токе

Идти Напряжение затвор-исток = Входной ток/(Угловая частота*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))

Повышенное напряжение, когда полевой МОП-транзистор действует как усилитель с сопротивлением нагрузки

Идти крутизна = Общий ток/(Синфазный входной сигнал-(2*Общий ток*Выходное сопротивление))

Инкрементальный сигнал напряжения дифференциального усилителя

Идти Синфазный входной сигнал = (Общий ток/крутизна)+(2*Общий ток*Выходное сопротивление)

Напряжение на стоке Q2 в MOSFET

Идти Выходное напряжение = -(Общее сопротивление нагрузки MOSFET/(2*Выходное сопротивление))*Синфазный входной сигнал

Напряжение на стоке Q1 MOSFET

Напряжение насыщения MOSFET

Идти Напряжение насыщения стока и истока = Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение

Напряжение между затвором и истоком полевого МОП-транзистора при дифференциальном входном напряжении при заданном напряжении перегрузки

Идти Напряжение затвор-исток = Пороговое напряжение+1.4*Эффективное напряжение

Пороговое напряжение, когда полевой МОП-транзистор действует как усилитель

Идти Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение

Пороговое напряжение MOSFET

Идти Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение

Выходное напряжение на стоке Q1 MOSFET

Идти Напряжение стока Q1 = -(Выходное сопротивление*Общий ток)

Выходное напряжение на стоке Q2 MOSFET

Идти Напряжение стока Q2 = -(Выходное сопротивление*Общий ток)

Напряжение перегрузки

Идти Повышенное напряжение = (2*Ток стока)/крутизна

Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET формула

Входной ток = Напряжение затвор-исток*(Угловая частота*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))
I_in = V_gs*(ω*(C_sg+C_gd))

Для чего используется полевой МОП-транзистор?

Транзистор MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) представляет собой полупроводниковое устройство, которое широко используется для коммутации и усиления электронных сигналов в электронных устройствах.

Какие бывают типы полевых МОП-транзисторов?

Есть два класса полевых МОП-транзисторов. Есть режим истощения и есть режим улучшения. Каждый класс доступен как n- или p-канал, что дает в общей сложности четыре типа полевых МОП-транзисторов. Режим истощения обозначается буквой N или P, а режим улучшения - буквой N или P.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!