Напряжение насыщения MOSFET Калькулятор

✖Напряжение затвор-исток является критическим параметром, влияющим на работу полевого транзистора, и его часто используют для управления поведением устройства.ⓘ Напряжение затвор-исток [V_gs]			+10% -10%
✖Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.ⓘ Пороговое напряжение [V_th]			+10% -10%

✖Напряжение насыщения стока и истока — это напряжение, при котором полевой транзистор больше не может работать в качестве усилителя, а его выходное напряжение фиксируется на максимальном значении.ⓘ Напряжение насыщения MOSFET [V_ds(s)]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Напряжение насыщения MOSFET

Формула

`"V"_{"ds(s)"} = "V"_{"gs"}-"V"_{"th"}`

Пример

`"1.7V"="4V"-"2.3V"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF

Напряжение насыщения MOSFET Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Напряжение насыщения стока и истока = Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение
V_ds(s) = V_gs-V_th
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Напряжение насыщения стока и истока - (Измеряется в вольт) - Напряжение насыщения стока и истока — это напряжение, при котором полевой транзистор больше не может работать в качестве усилителя, а его выходное напряжение фиксируется на максимальном значении.
Напряжение затвор-исток - (Измеряется в вольт) - Напряжение затвор-исток является критическим параметром, влияющим на работу полевого транзистора, и его часто используют для управления поведением устройства.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Напряжение затвор-исток: 4 вольт --> 4 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение: 2.3 вольт --> 2.3 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

V_ds(s) = V_gs-V_th --> 4-2.3

Оценка ... ...

V_ds(s) = 1.7

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

1.7 вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

1.7 вольт <-- Напряжение насыщения стока и истока

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Напряжение » Напряжение насыщения MOSFET

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 20 Напряжение Калькуляторы

Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник»

Идти Проводимость канала = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*ширина канала/Длина канала*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)

Выходное напряжение общего затвора

Идти Выходное напряжение = -(крутизна*Критическое напряжение)*((Сопротивление нагрузки*Сопротивление ворот)/(Сопротивление ворот+Сопротивление нагрузки))

Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением

Идти Напряжение затвор-исток = Пороговое напряжение+sqrt((2*Ток смещения постоянного тока)/(Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон))

Входное напряжение источника

Идти Входное напряжение источника = Входное напряжение*(Сопротивление входного усилителя/(Сопротивление входного усилителя+Эквивалентное сопротивление источника))

Выходное напряжение на стоке Q1 полевого МОП-транзистора при синфазном сигнале

Идти Напряжение стока Q1 = -Выходное сопротивление*(крутизна*Синфазный входной сигнал)/(1+(2*крутизна*Выходное сопротивление))

Входное напряжение затвор-исток

Идти Критическое напряжение = (Сопротивление входного усилителя/(Сопротивление входного усилителя+Эквивалентное сопротивление источника))*Входное напряжение

Выходное напряжение на стоке Q2 MOSFET при синфазном сигнале

Идти Напряжение стока Q2 = -(Выходное сопротивление/((1/крутизна)+2*Выходное сопротивление))*Синфазный входной сигнал

Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET

Идти Входной ток = Напряжение затвор-исток*(Угловая частота*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))

Напряжение на затворе и истоке MOSFET при заданном входном токе

Идти Напряжение затвор-исток = Входной ток/(Угловая частота*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))

Повышенное напряжение, когда полевой МОП-транзистор действует как усилитель с сопротивлением нагрузки

Идти крутизна = Общий ток/(Синфазный входной сигнал-(2*Общий ток*Выходное сопротивление))

Инкрементальный сигнал напряжения дифференциального усилителя

Идти Синфазный входной сигнал = (Общий ток/крутизна)+(2*Общий ток*Выходное сопротивление)

Напряжение на стоке Q2 в MOSFET

Идти Выходное напряжение = -(Общее сопротивление нагрузки MOSFET/(2*Выходное сопротивление))*Синфазный входной сигнал

Напряжение на стоке Q1 MOSFET

Напряжение насыщения MOSFET

Идти Напряжение насыщения стока и истока = Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение

Напряжение между затвором и истоком полевого МОП-транзистора при дифференциальном входном напряжении при заданном напряжении перегрузки

Идти Напряжение затвор-исток = Пороговое напряжение+1.4*Эффективное напряжение

Пороговое напряжение, когда полевой МОП-транзистор действует как усилитель

Идти Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение

Пороговое напряжение MOSFET

Идти Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение

Выходное напряжение на стоке Q1 MOSFET

Идти Напряжение стока Q1 = -(Выходное сопротивление*Общий ток)

Выходное напряжение на стоке Q2 MOSFET

Идти Напряжение стока Q2 = -(Выходное сопротивление*Общий ток)

Напряжение перегрузки

Идти Повышенное напряжение = (2*Ток стока)/крутизна

< 15 Характеристики МОП-транзистора Калькуляторы

Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник»

Коэффициент усиления по напряжению при заданном сопротивлении нагрузки MOSFET

Идти Усиление напряжения = крутизна*(1/(1/Сопротивление нагрузки+1/Выходное сопротивление))/(1+крутизна*Сопротивление источника)

Частота перехода MOSFET

Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))

Максимальное усиление напряжения в точке смещения

Идти Максимальное усиление напряжения = 2*(Напряжение питания-Эффективное напряжение)/(Эффективное напряжение)

Усиление напряжения с использованием слабого сигнала

Идти Усиление напряжения = крутизна*1/(1/Сопротивление нагрузки+1/Конечное сопротивление)

Усиление напряжения при заданном напряжении стока

Идти Усиление напряжения = (Ток стока*Сопротивление нагрузки*2)/Эффективное напряжение

Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET

Идти ширина канала = Емкость перекрытия/(Оксидная емкость*Длина перекрытия)

Напряжение смещения MOSFET

Идти Общее мгновенное напряжение смещения = Напряжение смещения постоянного тока+Постоянное напряжение

Влияние тела на транспроводимость

Идти Транспроводимость тела = Изменение порогового значения базового напряжения*крутизна

Напряжение насыщения MOSFET

Идти Напряжение насыщения стока и истока = Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение

Максимальное усиление напряжения при всех напряжениях

Идти Максимальное усиление напряжения = (Напряжение питания-0.3)/Тепловое напряжение

Пороговое напряжение MOSFET

Идти Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение

Коэффициент усиления в модели MOSFET с малым сигналом

Идти Коэффициент усиления = крутизна*Выходное сопротивление

Крутизна МОП-транзистора

Идти крутизна = (2*Ток стока)/Повышенное напряжение

Проводимость в линейном сопротивлении MOSFET

Идти Проводимость канала = 1/Линейное сопротивление

Напряжение насыщения MOSFET формула

Напряжение насыщения стока и истока = Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение
V_ds(s) = V_gs-V_th

Что такое область насыщения MOSFET?

В области насыщения или линейной области транзистор будет смещен так, что к устройству будет приложено максимальное напряжение затвора, что приведет к сопротивлению канала RDS (при минимальном возможном значении максимального тока стока, протекающего через переключатель MOSFET.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!